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Volumn 79, Issue 20, 1997, Pages 3946-3949

SiGe coherent islanding and stress relaxation in the high mobility regime

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EID: 0345473989     PISSN: 00319007     EISSN: 10797114     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevLett.79.3946     Document Type: Article
Times cited : (158)

References (18)
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    • M. Hammar et al., Surf. Sci. 349, 129 (1996).
    • (1996) Surf. Sci , vol.349 , pp. 129
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.