Ferroelectric Properties of Bismuth Lanthanum Titanate (BLT) Thin Films Processed at Low Temperature

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 43, Issue 4 I, 2003, Pages 548-552

  Kim, Jin Soo ^a   Kim, Sang Su ^b   Song, Tae Kwon ^c  

^a University of Ulsan   (South Korea)

^b Changwon National University   (South Korea)

^c Dept of Ceram Sci and Enginnering   (United States)

Author keywords

Bi4Ti3O12; BLT; Fatigue; Ferroelectric thin film; P E hysteresis loop; PRAM; Remanent polarization; Sol Gel

Indexed keywords

EID: 0242318938     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (22)

1. K. Uchino, Ferroelectric Devices (Marcel Dekker, New York, 2000).
2. J. F. Scott, Ferroelectric Memories (Springer, Berlin, 2000).
3. B. H. Park, S. J. Hyun, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, H. -D. Kim, T. H. Kim and W. Jo, Appl. Phys. Lett. 74, 1907 (1999).
4. K. Kato, C. Zheng, J. M. Finder, S. K. Dey and Y. Torii, J. Am. Ceram, Soc. 81, 1869 (1998).
5. S. H. Hwang and H. J. Chang, J. Korean Phys. Soc. 41, 139 (2002).
6. B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee and W. Jo, Nature 401, 682 (1999).
7. I. W. Kim, C. W. Ahn, J. S. Kim, T. K. Song, J. -S. Bae, B. C. Choi, J. -H. Jeong and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 80, 4006 (2002).
8. T. Choi, Y. Kim and J. Lee, J. Korean Phys. Soc. 40, 188 (2002).
9. D. Wu, A. Li, T. Zhu, Z. Liu and N. Ming, J. Appl. Phys. 88, 5941 (2000).
10. X. Du and I-W. Chen, J. Am. Ceram. Soc. 81, 3253 (1998).
11. J. S. Kim, S. S. Kim, J. K. Kim and T. K. Song, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 5497 (2002).
12. U. Chon, K. Kim, H. M. Jang and G. Yi, Appl. Phys. Lett. 79, 3137 (2001).
13. S. S. Kim, E. K. Choi, J. K. Kim, J. S. Kim, T. K. Song, and J. Kim, J. Korean Phys. Soc. 42, S1126 (2003).
14. Y. Noguchi, I. Miwa, Y. Goshima and M. Miyayama, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L1259 (2000).
15. J. S. Kim, I. W. Kim, J. A. Cho, Y. K. Song and K. S. Lee, J. Korean Phys. Soc. 42, S1134 (2003).
16. T. Watanabe, H. Funakubo, M. Osada, Y. Noguchi and M. Miyayama, Appl. Phys. Lett. 10, 100 (2002).
17. http://pr.fujitsu.com.
18. S. E. Cummins and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 39, 2268 (1968).
19. H. N. Lee, D. Hesse. N. Zakharov and U. Go″sel, Science 296, 2006 (2002).
20. B. H. Park, S. J. Hyun, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, H. -D. Kim, T. H. Kim and W. Jo, Appl. Phys. Lett. 74, 1907 (1999).
21. M. W. Chu, M. Ganne, M. T. Caldes and L. Brohan, Appl. Phys. Lett. 91, 3178 (2002).
22. Y. Noguchi and M. Miyayama, Appl. Phys. Lett. 78, 1903 (2001).