Unidirectional electron flow in a nanometer-scale semiconductor channel: A self-switching device

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 9, 2003, Pages 1881-1883

  Song, A M ^a   Missous, M ^a   Omling, P ^b   Peaker, A R ^a   Samuelson, L ^b   Seifert, W ^b  

^a UNIVERSITY OF MANCHESTER   (United Kingdom)

^b LUND UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON GAS;

SELF SWITCHING DEVICE (SSD);

SEMICONDUCTOR DEVICES;

EID: 0141634015     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1606881     Document Type: Article

References (21)

1. D. V. Averin and K. K. Likharev, J. Low Temp. Phys. 62, 345 (1986).
2. T. A. Fulton and G. J. Dolan, Phys. Rev. Lett. 59, 109 (1987).
3. U. Meiave, M. A. Kastner, and S. J. Wind, Phys. Rev. Lett. 65, 771 (1990).
4. A. D. Wieck and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 56, 928 (1990); J. Nieder, A. D. Wieck, P. Grambow, H. Lage, D. Heitmann, K. von Klitzing, and K. Ploog, ibid. 57, 2695 (1990); J. S. Mclean, A. D. Wieck, M. Bieder, and K. Ploog, ibid. 61, 1324 (1992); A. D. Wieck and K. Ploog, ibid. 61, 1048 (1992).
5. A. D. Wieck and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 56, 928 (1990); J. Nieder, A. D. Wieck, P. Grambow, H. Lage, D. Heitmann, K. von Klitzing, and K. Ploog, ibid. 57, 2695 (1990); J. S. Mclean, A. D. Wieck, M. Bieder, and K. Ploog, ibid. 61, 1324 (1992); A. D. Wieck and K. Ploog, ibid. 61, 1048 (1992).
6. A. D. Wieck and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 56, 928 (1990); J. Nieder, A. D. Wieck, P. Grambow, H. Lage, D. Heitmann, K. von Klitzing, and K. Ploog, ibid. 57, 2695 (1990); J. S. Mclean, A. D. Wieck, M. Bieder, and K. Ploog, ibid. 61, 1324 (1992); A. D. Wieck and K. Ploog, ibid. 61, 1048 (1992).
7. A. D. Wieck and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 56, 928 (1990); J. Nieder, A. D. Wieck, P. Grambow, H. Lage, D. Heitmann, K. von Klitzing, and K. Ploog, ibid. 57, 2695 (1990); J. S. Mclean, A. D. Wieck, M. Bieder, and K. Ploog, ibid. 61, 1324 (1992); A. D. Wieck and K. Ploog, ibid. 61, 1048 (1992).
8. H. Ishikuro, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguchi, T. Hiramoto, and T. Ikoma, Appl. Phys. Lett. 68, 3585 (1996).
9. L. Zhuang, L. J. Guo, and S. Y. Chou, Appl. Phys. Lett. 72, 1205 (1998).
10. Yu. A. Pashkin, Y. Nakamura, and J. S. Tsai, Appl. Phys. Lett. 76, 2256 (2000).
11. A. M. Song, A. Lorke, A. Kriele, J. P. Kotthaus, W. Wegscheider, and M. Bichler, Phys. Rev. Lett. 80, 3831 (1998); A. M. Song, Phys. Rev. B 59, 9806 (1999).
12. A. M. Song, A. Lorke, A. Kriele, J. P. Kotthaus, W. Wegscheider, and M. Bichler, Phys. Rev. Lett. 80, 3831 (1998); A. M. Song, Phys. Rev. B 59, 9806 (1999).
13. K. Hieke and M. Ulfward, Phys. Rev. B 62, 16727 (2000).
14. H. Q. Xu, Appl. Phys. Lett. 78, 2064 (2001); 80, 853 (2002).
15. H. Q. Xu, Appl. Phys. Lett. 78, 2064 (2001); 80, 853 (2002).
16. A. M. Song, P. Omling, L. Samuelson, W. Seifen, I. Shorubalko, and H. Zirath, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L909 (2001); A. M. Song, P. Omling, L. Samuelson, W. Seifert, I. Shorubalko, and H. Zirath, Appl. Phys. Lett. 79, 1357 (2001).
17. A. M. Song, P. Omling, L. Samuelson, W. Seifen, I. Shorubalko, and H. Zirath, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L909 (2001); A. M. Song, P. Omling, L. Samuelson, W. Seifert, I. Shorubalko, and H. Zirath, Appl. Phys. Lett. 79, 1357 (2001).
18. I. Shorubalko, H. Q. Xu, I. Maximov, P. Omling, L. Samuelson, and W. Seifert, Appl. Phys. Lett. 79, 1384 (2001); I. Shorubalko, H. Q. Xu, I. Maximov, D. Nilson, P. Omling, L. Samuelson, and W. Seifert, IEEE Electron Device Lett. 23, 377 (2002)
19. I. Shorubalko, H. Q. Xu, I. Maximov, P. Omling, L. Samuelson, and W. Seifert, Appl. Phys. Lett. 79, 1384 (2001); I. Shorubalko, H. Q. Xu, I. Maximov, D. Nilson, P. Omling, L. Samuelson, and W. Seifert, IEEE Electron Device Lett. 23, 377 (2002)
20. L. Worschech, B. Weidner, S. Reitzenstein, and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 78, 3325 (2001); L. Worschech, H. Q. Xu, A. Forchel, and L. Samuelson, ibid. 79, 3287 (2001).
21. L. Worschech, B. Weidner, S. Reitzenstein, and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 78, 3325 (2001); L. Worschech, H. Q. Xu, A. Forchel, and L. Samuelson, ibid. 79, 3287 (2001).