Effect of growth interruption time and growth temperature on the natural formation of InGaAs/AlGaAs quantum disk structures on GaAs (311)B substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 2, 2000, Pages 745-749

  Ogawa, Tomoya ^a   Akabori, Masashi ^a   Motohisa, Junichi ^a   Fukui, Takashi ^a  

^a HOKKAIDO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0042730593     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371935     Document Type: Article

References (35)

1. R. Nötzel, J. Temmyo, and T. Tamamura, Nature (London) 369, 131 (1994).
2. S. Guna, A. Madhukar, and K. C. Rajkumar, Appl. Phys. Lett. 57, 2110 (1990).
3. D. Leonard, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. Denbaars, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 63, 3203 (1993).
4. J. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. André, and O. Vatel, Appl. Phys. Lett. 64, 196 (1994).
5. J. Oshinowo, M. Nishioka, S. Ishida, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 65, 1421 (1994).
6. K. Kumakura, K. Nakakoshi, J. Motohisa, T. Fukui, and H. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 4387 (1995).
7. F. Heinrichsdorff, M.-H. Mao, N. Kirstaedter, A. Krost, D. Bimberg, A. O. Kosogov, and P. Werner, Appl. Phys. Lett. 71, 22 (1997).
8. H. Shoji, Y. Nakata, K. Mukai, Y. Sugiyama, M. Sugawara, N. Yokoyama, and H. Ishikawa, Electron. Lett. 32, 2023 (1996).
9. I. Mukhametzhanov, R. Heitz, J. Zeng, P. Chen, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 73, 1841 (1998).
10. K. Akahane, T. Kawamura, K. Okino, H. Koyama, S. Lan, Y. Okada, and M. Kawabe, Appl. Phys. Lett. 73, 3411 (1998).
11. R. Nötzel, J. Temmyo, and T. Tamamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L275 (1994).
12. R. Nötzel, J. Temmyo, H. Kameda, T. Furuta, and T. Tamamura, Appl. Phys. Lett. 65, 457 (1994).
13. R. Nötzel, T. Fukui, H. Hasegawa, J. Temmyo, and T. Tamamura, Appl. Phys. Lett. 65, 2854 (1994).
14. R. Nötzel, J. Temmyo, T. Tamamura, T. Fukui, and H. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L872 (1995).
15. J. Temmyo, E. Kuramochi, M. Sugo, T. Nishiya, R. Nötzel, and T. Tamamura, Electron. Lett. 31, 209 (1995).
16. Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, and N. P. Kobayashi, Phys. Rev. Lett. 75, 2542 (1995).
17. F. Heinrichsdorff, A. Krost, M. Grundmann, D. Bimberg, F. Bertram, J. Christen, A. Kosogov, and P. Werner, J. Cryst. Growth 170, 568 (1997).
18. M. Kitamura, M. Nishioka, R. Schur, and Y. Arakawa, J. Cryst. Growth 170, 563 (1997).
19. M. Geiger, A. Bauknecht, F. Adler, H. Schweizer, and F. Scholz, J. Cryst. Growth 170, 558 (1997).
20. T. R. Ramachandran, R. Heitz, P. Chen, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 70, 640 (1997).
21. M. Kawase, Master Thesis, Hokkaido University, 1997.
22. J. Temmyo, R. Nötzel, and T. Tamamura, Appl. Phys. Lett. 71, 1086 (1997).
23. T. Fukunaga, K. L. I. Kobayashi, and H. Nakashima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 24, L510 (1985).
24. M. Tanaka, H. Sakaki, and J. Yoshino, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 25, L155 (1986).
25. S. F. Yoon, H. M. Li, K. Radhakrishnan, and D. H. Zhang, J. Cryst. Growth 131, 1 (1993).
26. T. E. Schlesinger and T. Kuech, Appl. Phys. Lett. 49, 519 (1986).
27. W. P. Gillin, D. J. Dunstan, K. P. Homewood, L. K. Howard, and B. J. Sealy, J. Appl. Phys. 73, 3782 (1993).
28. W. J. Taylor, N. Kuwata, I. Yoshida, T. Katsuyama, and H. Hayashi, J. Appl. Phys. 73, 8653 (1993).
29. R. Leon, D. R. M. Williams, J. Krueger, E. R. Weber, and M. R. Melloch, Phys. Rev. B 56, R4336 (1997).
30. R. Leon, Y. Kim, C. Jagadish, M. Gal, J. Zou, and D. J. H. Cockayne, Appl. Phys. Lett. 69, 1888 (1996).
31. S. Malik, C. Roberts, R. Murray, and M. Pate, Appl. Phys. Lett. 71, 1987 (1997).
32. T. Ogawa, M. Akabori, M. Kawase, J. Motohisa, and T. Fukui, Physica B (to be published).
33. T. Ogawa, M. Akabori, J. Motohisa, and T. Fukui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 1040 (1999).
34. E. Kuramochi, J. Temmyo, T. Tamamura, and H. Kamada, Appl. Phys. Lett. 71, 1655 (1997).
35. For example, T. Umeda, K. Kumakura, J. Motohisa, and T. Fukui, Physica E (Amsterdam) 2, 809 (1998).