ZnO and ZnMgO growth by molecular beam epitaxy

Materials Research Society Symposium - Proceedings

Volumn 744, Issue , 2002, Pages 75-86

  Yano, Mitsuaki ^a   Ogata, Ken Ichi ^a   Yan, FengPing ^a   Koike, Kazuto ^a   Sasa, Shigehiko ^a   Inoue, Masataka ^a  

^a OSAKA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL GROWTH; CRYSTAL STRUCTURE; ELECTRIC PROPERTIES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHASE SEPARATION; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING FILMS; SEMICONDUCTOR DOPING; SINGLE CRYSTALS; SUBSTRATES; ZINC ALLOYS; ZINC OXIDE;

RADICAL SOURCE MOLECULAR BEAM EPITAXY; SINGLE CRYSTALLINE GROWTH; ZINC MAGNESIA; ZINC OXIDE FILM;

SEMICONDUCTOR GROWTH;

EID: 0037812286     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1557/proc-744-m3.1     Document Type: Conference Paper

References (22)

1. K. Ooe, Y. Hamamoto, T. Iuchi, and Y. Hirano, Abstract of SPIE Symp. on Smart Materials, Nano-, and Micro-Smart Systems, Melbourne, Dec. 16-18, 2002, in press.
2. P. Fons, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, S. Niki, K. Nakahara, T. Tanabe, and H. Takasu, Appl. Phys. Lett. 77, 1801 (2000).
3. L. T. Vinh, M. Eddrief, C. A. Sébenne, P. Dumas, A. T. Ibrahimi, R. Gunther, Y. J. Chabal, and J. Derrien, Appl. Phys. Lett. 64, 3308 (1994).
4. H. J. Ko, Y. F. Chen, J. M. Ko, T. Hanada, Z. Zhu, T. Fukuda, and T. Yao, J. Crystal Growth 207, 87 (1999).
5. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, M. Y. Shen, and T. Goto, Nonlinear Optics 18, 243 (1997).
6. H. J. Ko, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, I. Kobayashi, and H. Uchiki, Appl. Phys. Lett. 76, 1905 (2000).
7. K. Nakahara, T. Tanabe, H. Takasu, P. Fons, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, R. Hunger, and S. Niki, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 250 (2001).
8. Y. Chen, S. K. Hong, H. J. Ko, M. Nakajima, T. Yao, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 76, 245 (2000).
9. T. Takai, J. H. Chang, K. Godo, T. Hanada, and T. Yao, phys. stat. sol. (b) 229, 381 (2002).
10. J. F. Sarver, F. L. Katnack, and F. A. Hummel, J. Electrochem. Soc. 106, 960 (1959).
11. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
12. Y. Masumoto, M. Murakami, Z. Jin, A. Ohtomo, M. Lippmaa, M. Kawasaki, and H. Koinuma, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L603 (1999).
13. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
14. K. Ogata, T. Kawanishi, K. Maejima, K. Sakurai, S. Fujita, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L657 (2001).
15. K. Iwata, P. Fons, S. Niki, A. Yamada, K. Matsubara, K. Tanabe, and H. Takasu, J. Crystal Growth 214/215, 50 (2000).
16. K. Koike, T. Tanite, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, MRS Symp. Proc. 692, 655 (2002).
17. N. S. Sokolov, T. Hirai, K. Kawasaki, S. Ohmi, K. Tsutsui, S. Furukawa, I. Takahashi, Y. Itoh, and J. Harada, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 2395 (1994).
18. M. Tsutsui, M. Watanabe, and M. Asada, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L920 (1999).
19. K. Kawasaki and K. Tsutsui, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 1521 (1999).
20. H. C. Ong, A. S. K. Li, and G. T. Du, Appl. Phys. Lett. 78, 2667 (2001).
21. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
22. L.R. Weisberg, J. Appl. Phys. 33, 1817 (1962).