Ion-implanted In0.53Ga0.47As for ultrafast optoelectronic applications

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 22, 2003, Pages 3913-3915

  Carmody, C ^a   Tan, H H ^a   Jagadish, C ^a   Gaarder, A ^b   Marcinkevicius S ^b  

^a AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY   (Australia)

^b ROYAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; COMPUTER SIMULATION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; HALL EFFECT; OPTOELECTRONIC DEVICES;

CARRIER LIFETIMES;

ION IMPLANTATION;

EID: 0037631798     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1579565     Document Type: Article

References (20)

1. F. W. Smith, H. Q. Le, V. Diadiuk, M. A. Hollis, A. R. Calawa, S. Gupta, M. Frankel, D. R. Dykaar, G. A. Mourou, and T. Y. Hsiang, Appl. Phys. Lett. 54, 890 (1989).
2. A. Krotkus, S. Marcinkevičius, J. Jasinski, M. Kaminska, H. H. Tan, and C. Jagadish, Appl. Phys. Lett. 66, 3304 (1995); H. H. Tan, C. Jagadish, K. P. Korona, J. Jasinski, M. Kaminska, R. Viselga, S. Marcinkevičius, and A. Krotkus, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2, 636 (1996).
3. A. Krotkus, S. Marcinkevičius, J. Jasinski, M. Kaminska, H. H. Tan, and C. Jagadish, Appl. Phys. Lett. 66, 3304 (1995); H. H. Tan, C. Jagadish, K. P. Korona, J. Jasinski, M. Kaminska, R. Viselga, S. Marcinkevičius, and A. Krotkus, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2, 636 (1996).
4. Z. Liliental-Weber, H. J. Cheng, S. Gupta, J. Whitaker, K. Nichols, and W. Smith, J. Electron. Mater. 22, 1465 (1993).
5. H. Künzel, J. Böttcher, R. Gibis, and G. Urman, Appl. Phys. Lett. 61, 1347 (1992).
6. S. Gupta, J. F. Whitaker, and G. A. Mourou, IEEE J. Quantum Electron. 28, 2464 (1992).
7. Y. Chen, S. S. Prabhu, S. E. Ralph, and D. T. McInturf, Appl. Phys. Lett. 72, 439 (1998).
8. D. Vignaud, J. F. Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, and F. Mollot, Appl. Phys. Lett. 80, 4151 (2002).
9. E. Lugagne Delpon, J. L. Oudar, N. Bouché, R. Raj, A. Shen, N. Stelmakh, and J. M. Lourtioz, Appl, Phys. Lett. 72, 759 (1998).
10. L. Joulaud, J. Mangeney, J. M. Lourtioz, P. Crozat, and G. Patriarche, Appl. Phys. Lett. 82, 856 (2003).
11. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, M. B. Panish, R. A. Hamm, and L. M. Lunardi, J. Appl. Phys. 66, 656 (1989).
12. S. M. Gulwadi, M. V. Rao, A. K. Berry, D. S. Simons, P. H. Chi, and H. B. Dietrich, J. Appl. Phys. 69, 4222 (1991).
13. C. Carmody, H. H. Tan, C. Jagadish, A. Gaarder, and S. Marcinkevičius (unpublished).
14. B. Tell, U. Koren, and B. I. Miller, J. Appl. Phys. 61, 1172 (1986).
15. B. Grandidier, H. Chen, R. M. Feenstra, D. T. McInturff, P. W. Juodawlkis, and S. E. Ralph, Appl. Phys. Lett. 74, 1439 (1999).
16. A. Krotkus, R. Viselga, K. Bertulis, V. Jasutis, S. Marcinkevičius, and U. Olin, Appl. Phys. Lett. 66, 1939 (1995).
17. A. I. Lobad, Y. Kostoulas, G. W. Wicks, and P. M. Fauchet, Hot Carriers in Semiconductors, edited by K. Hess, J.-P. Legurton, and U. Ravaioli (Plenum, New York, 1996) p. 97.
18. J.-F. Roux, J.-L. Coutaz, and A. Krotkus, Appl. Phys. Lett. 74, 2462 (1999).
19. A. Krotkus, K. Bertulis, M. Kaminska, K. Korona, A. Wolos, J. Siegert, S. Marcinkevičius, J.-F. Roux, and J.-L. Coutaz, IEE Proc.: Optoelectron. 149, 111 (2002).
20. P. W. Juodawikis and S. E. Ralph, Appl. Phys. Lett. 76, 1722 (2000).