The structural and electrical characteristics of silicon-implanted borosilicate glass

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 41, Issue 12 A, 2002, Pages

  Lin, Gong Ru ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Borosilicate glass; Defects; Implanted; Nanocrystal; Negative differential resistance; Silicon

Indexed keywords

AMORPHOUS MATERIALS; CRYSTAL ORIENTATION; ELECTRIC PROPERTIES; ION IMPLANTATION; LEAKAGE CURRENTS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PHOTOLUMINESCENCE; RAPID THERMAL ANNEALING; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SILICON; SURFACE STRUCTURE; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

CURRENT-VOLTAGE ANALYSIS; LEAKAGE CURRENT SCHOTTKY DIODE; NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE; RADIATIVE DEFECT; SILICON NANOCRYSTAL;

BOROSILICATE GLASS;

EID: 0036976550     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.41.l1379     Document Type: Letter

References (25)

1. A. G. Cullis, L. T. Canham and P. D. Calcott: J. Appl. Phys. 82 (1997) 909.
2. V. Lehmann and U. Gosele: Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 856.
3. D. J. DiMaria, J. R. Kirtley, E. J. Pakulis, D. W. Dong, T. S. Kuan, F. L. Pesavento, T. N. Theis and J. A. Cutro: J. Appl. Phys. 56 (1984) 401.
4. S. Furukawa and T. Miyasato: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) 2207.
5. H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki and T. Nakagiri: Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 2379.
6. H. Morisaki, F. W. Ping, H. Ono and K. Yazawa: J. Appl. Phys. 70 (1991) 1869.
7. S. Hayashi, T. Nagareda, Y. Kanzawa and K. Yamamoto: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 3840.
8. L. T. Canham: Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 1046.
9. Materials and Devices for Silicon-Based Optoelectronics, eds. S. Coffa, A. Polman and O. Soref (Materials Research Society, Pittsburgh, 1998) Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 486.
10. C. Delerue, G. Allan and M. Lannoo. Phys. Rev. B48 (1993) 11024.
11. K. S. Min, K. V. Shchegloe, C. M. Yang, H. A. Atwater, M. L. Brongersma and A. Polman. Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 2033.
12. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. Crabbe and K. Chan: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1377.
13. K. D. Hirschman, L. Tsybeskov, S. D. Duttagupta and P. M. Fauchet: Nature (London) 384 (1996) 338.
14. Y. Kanemitsu: Phys. Rep. 263 (1995) 1.
15. M. L. Brongersma, K. S. Min, E. Boer, T. Tambo, A. Polman and H. A. Atwater: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 486 (1998) 275.
16. L. Rebohle, J. von Borany, R. A. Yankov, W. Skorupa, I. E. Tyscenko, H. Fröb and K. Leo: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2809.
17. A. Sandhu, Y. Show, T. Katano, M. Iwase, T. Izumi, T. Yabe, S. Nozaki and H. Morisaki: Appl. Sur. Sci. 117 (1997) 634.
18. JCPDA-International Center for Diffraction Data, No. 35-63, 82 (1999) Newtown Square, Pennsylvania 19073-3273 U.S.A.
19. H. Z. Song, X. M. Bao, N. S. Li and J. Y. Zhang: J. Appl. Phys. 82 (1997) 4028.
20. L. S. Liao, X. M. Bao, N. S. Li, X. W. Zhenga and N. B. Min: J. Lumin. 68 (1996) 199.
21. P. Mutti, G. Ghislotti, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi, L. Zanghieri, R. Cubeddu, A. Pifferi, P. Taroni and A. Torricelli: Thin Solid Films 276 (1996) 88.
22. L. Rebohle, I. E. Tyschenko, H. Frob, K. Leo, R. A. Yankov, J. von Borany, G. A. Kachurin and W. Skorupa: Microelectron. Eng. 36 (1997) 107.
23. S. Schuppler, S. L. Friedman, M. A. Marcus, D. L. Adler, Y.-H. Xie, F. M. Ross, Y. J. Chabal, T. D. Harris, L. E. Brus, W. L. Brown, E. E. Chaban, P. E. Szajowski, S. B. Christman and P. H. Citrin. Phys. Rev. B52 (1995) 4910.
24. R. K. Soni, L. F. Fonseca, O. Resto, M. Buzaianu and S. Z. Weisz: J. Lumin. 83/84 (1999) 187.
25. J. Y. Jeong, S. Im, M. S. Oh, H. B. Kim, K. H. Chae, C. N. Whang and J. H. Song: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 6981.