Exciton states and interband optical transitions in InGaN quantum dots

Solid State Communications

Volumn 124, Issue 9, 2002, Pages 341-345

  Shi, Jun Jie ^a  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

A. InGaN quantum dots; D. Exciton binding energy; D. Optical properties; D. Piezoelectricity and spontaneous polarization

Indexed keywords

BINDING ENERGY; ELECTRIC FIELDS; ELECTRON TRANSITIONS; ENERGY GAP; EXCITONS; OPTICAL PROPERTIES; PIEZOELECTRICITY; POLARIZATION; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

OPTICAL TRANSITIONS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0036852679     PISSN: 00381098     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0038-1098(02)00538-0     Document Type: Article

References (31)

1. Gil B. Group III Nitride Semiconductor Compounds. 1998;Clarendon Press, Oxford.
2. Nakamura S. AAPPS Bull. 10:2000;2.
3. Nakamura S., Chichibu S.F. Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes. 2000;Taylor & Francis, London.
4. O'Donnell K.P., Martin R.W., Middleton P.G. Phys. Rev. Lett. 82:1999;237.
5. Chichibu S., Azuhata T., Sota T., Nakamura S. Appl. Phys. Lett. 69:1996;4188.
6. Chichibu S., Azuhata T., Sota T., Nakamura S. Appl. Phys. Lett. 70:1997;2822.
7. Narukawa Y., Kawakami Y., Fujita Sz., Fujita Sg., Nakamura S. Phys. Rev. B. 55:1997;1938.
8. Narukawa Y., Kawakami Y., Funato M., Fujita Sz., Fujita Sg., Nakamura S. Appl. Phys. Lett. 70:1997;981.
9. Chichibu S., Wada K., Nakamura S. Appl. Phys. Lett. 71:1997;2346.
10. Tachibana K., Someya T., Ishida S., Arakawa Y. Appl. Phys. Lett. 76:2000;3212.
11. Moriwaki O., Someya T., Tachibana K., Ishida S., Arakawa Y. Appl. Phys. Lett. 76:2000;2361.
12. Narukawa Y., Kawakami Y., Fujita S., Nakamura S. Phys. Rev. B. 59:1999;10283.
13. Kawakami Y., Narukawa Y., Sawada K., Saijyo S., Fujita S., Fujita S., Nakamura S. Mater. Sci. Engng, B. 50:1997;256.
14. Martin G., Botchkarev A., Rockett A., Morkoc H. Appl. Phys. Lett. 68:1996;2541.
15. Takeuchi T., Sota S., Katsuragawa M., Komori M., Takeuchi H., Amano H., Akasaki I. Jpn. J. Appl. Phys. Part 2. 36:1997;L382.
16. Grandjean N., Damilano B., Dalmasso S., Leroux M., Laügt M., Massies J. J. Appl. Phys. 86:1999;3714.
17. Takeuchi T., Amano H., Akasaki I. Jpn. J. Appl. Phys. Part 1. 39:2000;413.
18. Chichibu S.F., Azuhata T., Sota T., Mukai T., Nakamura S. J. Appl. Phys. 88:2000;5153.
19. Wan S.P., Xia J.B., Chang K. J. Appl. Phys. 90:2001;6210.
20. Fiorentini V., Bernardini F., Sala F.D., Carlo A.D., Lugli P. Phys. Rev. B. 60:1999;8849.
21. Dai L., Zhang B., Lin J.Y., Jiang H.X. J. Appl. Phys. 89:2001;4951.
22. Lefebvre P., Morel A., Gallart M., Taliercio T., Allegre J., Gil B., Mathieu H., Damilano B., Grandjean N., Massies J. Appl. Phys. Lett. 78:2001;1252.
23. J.-J. Shi, Z.-Z. Gan, manuscript in preparation.
24. Goff S.L., Stébé B. Phys. Rev. B. 47:1993;1383.
25. Szafran B., Bednarek S., Adamowski J. Phys. Rev. B. 64:2001;125301.
26. Chang K., Peeters F.M. Phys. Rev. B. 63:2001;153307.
27. Li S.-S., Xia J.-B., Yuan Z.L., Xu Z.Y., Ge W., Wang X.R., Wang Y., Wang J., Chang L.L. Phys. Rev. B. 54:1996;11575.
28. Takeuchi T., Takeuchi H., Sota S., Sakai H., Amano H., Akasaki I. Jpn. J. Appl. Phys. Part 2. 36:1997;L177.
29. Bernardini F., Fiorentini V. Phys. Rev. B. 58:1998;15292.
30. Bernardini F., Fiorentini V., Vanderbilt D. Phys. Rev. B. 56:1997;R10024.
31. Jain F., Huang W. IEEE J. Quant. Electron. 32:1996;859.