Molecular-beam epitaxy of mercury-cadmium-telluride solid solutions on alternative substrates

Semiconductors

Volumn 35, Issue 9, 2001, Pages 1045-1053

  Sidorov, Yu G ^a   Dvoretskii S A ^a   Varavin, V S ^a   Mikhailov N N ^a   Yakushev, M V ^a   Sabinina, I V ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035457627     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1403569     Document Type: Article

References (36)

1. O. K. Wu, Proc. SPIE 2021, 79 (1993).
2. A. Kawahara, A. Ajisawa, K. Myamoto, et al., Proc. SPIE 2552, 411 (1995).
3. T. J. deLyon, R. D. Ravajal, J. A. Vigil, et al., J. Electron. Mater. 27, 550 (1999).
4. D. M. Jamba, J. E. Jensen, P. D. Brewer, et al., J. Electron. Mater. 27, 747 (1998).
5. V. A. Zubkov, V. V. Kalinin, V. D. Kuz'min, et al., Poverkhnost, No. 9, 45 (1991).
6. J. W. Matthews, J. Vac. Sci. Technol. 12, 126 (1975).
7. Yu. G. Sidorov and E. M. Trukhanov, Poverkhnost, No. 6, 106 (1992).
8. S. A. Dvoretskiǐ V. I. Budarnykh, A. K. Gutakovskiǐ, et al., Dokl. Akad. Nauk SSSR 304, 604 (1989) [Sov. Phys. Dokl. 34, 5 (1989)].
9. S. A. Dvoretskiǐ V. I. Budarnykh, A. K. Gutakovskiǐ, et al., Dokl. Akad. Nauk SSSR 304, 604 (1989) [Sov. Phys. Dokl. 34, 5 (1989)].
10. I. V. Sabinina, A. K. Gutakovsky, V. D. Kuzmin, and Yu. G. Sidorov, Phys. Status Solidi A 126, 181 (1991).
11. A. Krost, W. Richter, D. R. T. Zahn, et al., Appl. Phys. Lett. 57, 1981 (1990).
12. T. Scimeca, Y. Watanabe, and F. Maeda, Appl. Phys. Lett. 62, 1667 (1993).
13. N. A. Goryunova, The Chemistry of Diamond-like Semiconductors (Leningr. Gos. Univ., Leningrad, 1963; Chapman and Hall, London, 1965).
14. M. V. Yakushev, Yu. G. Sidorov, and L. V. Sokolov, Poverkhnost, No. 10, 35 (1996).
15. V. G. Kesler, M. V. Yakushev, L. M. Logvinskiǐ, and Yu. G. Sidorov, Poverkhnost, No. 2, 58 (1997).
16. Yu. G. Sidorov, M. V. Yakushev, D. N. Pridachin, et al., Thin Solid Films 367, 203 (2000).
17. Yu. G. Sidorov, S. A. Dvoretsky, M. V. Yakushev, et al., Thin Solid Films 306, 253 (1997).
18. Yu. G. Sidorov, S. A. Dvoretskiǐ, N. N. Mikhaǐlov, et al., Opt. Zh. 67 (1), 39 (2000) [J. Opt. Technol. 67, 31 (2000)].
19. Yu. G. Sidorov, S. A. Dvoretskiǐ, N. N. Mikhaǐlov, et al., Opt. Zh. 67 (1), 39 (2000) [J. Opt. Technol. 67, 31 (2000)].
20. K. K. Svitashev, V. A. Shvets, A. S. Mardezhov, et al., Avtometriya, No. 4, 100 (1996).
21. A. S. Mardezhov, N. N. Mikhaǐlov, and V. A. Shvets, Poverkhnost, No. 12, 92 (1990).
22. K. K. Svitashev, S. A. Dvoretsky, Yu. G. Sidorov, et al., Cryst. Res. Technol. 29, 931 (1994).
23. K. K. Svitashev, V. A. Shvets, A. S. Mardezhov, et al., Zh. Tekh. Fiz. 65 (9), 110 (1995) Tech. Phys. 40, 924 (1995)].
24. K. K. Svitashev, V. A. Shvets, A. S. Mardezhov, et al., Zh. Tekh. Fiz. 65 (9), 110 (1995) [Tech. Phys. 40, 924 (1995)].
25. S. A. Dvoretskiǐ, S. A. Dulin, N. N. Mikhaǐlov, S. V. Rykhlitskiǐ, and Yu. G. Sidorov, RF Patent No. 2149366 (2000).
26. V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, V. I. Liberman, et al., Thin Solid Films 267, 121 (1995).
27. V. S. Varavin, S. A. Dvoretsky, V. I. Liberman, et al., J. Cryst. Growth 159, 1161 (1996).
28. I. V. Sabinina, A. K. Gutakovsky, Yu. G. Sidorov, et al., J. Cryst. Growth 117, 238 (1992).
29. P. S. Wijewarnasuriya, M. Zandian, D. D. Edwall, et al., J. Electron. Mater. 27, 546 (1998).
30. R. K. Bhan, V. Dhar, and P. K. Chaudhury, Appl. Phys. Lett. 68, 2453 (1996).
31. A. V. Voǐtsekhovskiǐ, Yu. A. Denisov, A. P. Kokhanenko, et al., Avtometriya, No. 4, 51 (1996).
32. J. M. Arias, J. G. Pasko, M. Zandian, et al., Proc. SPIE 2228, 210 (1994).
33. J. M. Arias, M. Zandian, S. H. Shin, et al., J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1646 (1991).
34. E. V. Susov, Yu. G. Sidorov, V. N. Severtsev, et al., Avtometriya, No. 4, 40 (1996).
35. V. N. Severtsev, E. V. Susov, V. S. Varavin, et al., Avtometriya, No. 4, 21 (1998).
36. V. N. Ovsyuk, Yu. G. Sidorov, V. V. Vasil'ev, and V. V. Shashkin, Prikl. Fiz., No. 5, 58 (2000).