Cathodoluminescence study of the initial growth stage of a free-standing gan wafer grown by using hydride vapor phase epitaxy

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 37, Issue 5 Part 1, 2000, Pages 611-616

  Kim, Hwa Mok ^a   Kang, Tae Won ^a   Oh, Jae Eung ^b  

^a Dongguk University   (South Korea)

^b Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0034343848     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.37.611     Document Type: Article

References (23)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Spring-Verlag, Heidelberg, 1997).
2. S. Porowski, in Proceedings of the 2nd Int. Conf. Nitride Semiconductors (Tokushima, Japan, 1997).
3. S. H. Yang, K. S. Nahm, S. H. Ahn, K. S. Park, E. K. Suh and K. Y. Lim, J. Korean Phys. Soc. 35, 504 (1999).
4. S. H. Yang, K. S. Nahm, Y. B. Hahn, Y. S. Lee, M. S. Jeong and E. K. Suh, J. Korean Phys. Soc. 36, 182 (2000).
5. T. Detchprohm, K. Hiramatsu, H. Amano and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 61, 2688 (1992).
6. Y. V. Melnik, K. V. Vassilevski, I. P. Nikitina, A. I. Babanin, V. Y. Davydov and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 39 (1997).
7. S. T. Kim, Y. J. Lee and D. C. Moon, J. Korean Phys. Soc. 33, L1 (1998).
8. M. H. Lee, S. T. Kim, S. H. Chung and D. C. Moon, J. Korean Phys. Soc. 34, L101 (1998).
9. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997).
10. I. Grzegory, M. Bockowski, B. Lucznik, S. Krukowski, M. Wroblewski and S. Porowski, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 20 (1996).
11. R. P. Vaudo, V. M. Phanse, X. Wu, Y. Golan and J. S. Speck, in Proceedings of the 2nd Int. Conf. Nitride Semiconductors (Tokushima, Japan, 1997).
12. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Koyaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 2014 (1998).
13. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Koyaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 73, 832 (1998).
14. Yu. Melnik, A. Nikolaev, I. Nikitina, K. Vassilevski and V. Dimitriev, Mater. Res. Soc. Proc. 482, 269 (1998).
15. H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L1384 (1988).
16. C. Kisielowski, J. Kröger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager, E. Jones, Z. Lilienthal-Weber, M. Rubin, M. D. Bremser and R. F. Davis, Phys. Rev. B54, 17745 (1996).
17. M. D. Bremser, W. G. Perry, T. Zheleva, N. V. Edwards, O. H. Nam, N. Parikh, D. E. Aspnes and R. F. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 8 (1996).
18. D. V. Tsvetkov, A. S. Zubrilov, V. I. Nikolaev, V. Soloviev, and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 35 (1996).
19. K. P. O'Donnell, T. Breitkopf, H. Kalt, W. Van der Stricht, I. Moerman, P. Demeester and P. G. Middleton, Appl. Phys. Lett. 70, 1843 (1997).
20. F. Binet, J. Y. Duboz, E. Rosencher, F. Scholz and V. Harle, Phys. Rev. B54, 8116 (1996).
21. R. Fremunt, P. Cerny, J. Kohout, V. Rosicka and A. Burger, Crystal Res. Technol. 16, 1257 (1981).
22. M. Sano and M. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys. 15, 1943 (1976).
23. W. Götz, J. Walker, L. T. Romano, N. M. Johnson and R. J. Molnar, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 525 (1997).