High-temperature vapor-phase growth and characterization of thick GaN by the direct reaction of Ga and NH3

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 36, Issue 3, 2000, Pages 182-187

  Yang, Seung Hyun ^a   Nahm, Kee Suk ^a   Hahn, Yun Bong ^a   Lee, Youn Sik ^a   Jeong, Mun Seok ^a   Suh, Eun Kyung ^a  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0034147136     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (21)

1. J. I. Pankov, E. A. Miller and J. E. Berkeyheiser, RCA Rev. 32, 383 (1971).
2. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B10, 1237 (1992).
3. S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
4. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1332 (1995).
5. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 1417 (1997).
6. S. Nakamura, M. Senoh, N. Isawa and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L797 (1995).
7. S. Nakamura, M. Senoh, N. Isawa and S. Nagahama, Appl. Phys. Lett. 67, 1868 (1995).
8. Y. J. Lee and S. T. Kim, J. Korean Phys. Soc. 33, S330 (1998).
9. S. Kurai, T. Abe, Y. Naoi and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1637 (1996).
10. S. Fischer, C. Wetzel, W. L. Hansen and E. D. Bourret-Courchesne, Appl. Phys. Lett. 69, 2716 (1996).
11. C. Wetzel, D. Volm, B. K. Meyer, K. Pressel, S. Nilsson, E. N. Mokhov and P. G. Branov, Appl. Pys. Lett. 65, 1033 (1994).
12. P. G. Baranov, E. N. Mokhov, A. O. Ostroumov, M. G. Ramm, M. S. Ramm, V. V. Ratnikov, A. D. Roenkov, Yu. A. Vodakov, A. A. Wolfson, G. V. Saparin, S. Yu. Karpov, D. V. Zimina and Yu. N. Makarov, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 50 (1998).
13. Yu. A. Vodakov, E. N. Mokhov, M. G. Ramm, M. S. Ramm, A. D. Roenkov, A. G. Ostroumov, A. A. Wolfson, S. Yu. Karpov, Yu. N. Makarov and H. Jürgensen, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 27 (1998).
14. K. C. Kim, H. W. Shim, E.-K. Suh, H. J. Lee and K. S. Nahm, J. Korean Phys. Soc. 32, 558 (1998).
15. Y. G. Roman and A. P. M. Adriassen, Thin Solid Films 169, 241 (1989).
16. T. Hashimoto, O. Imafuji, M. Ishida, Y. Terakoshi, T. Sugino, A. Yoshikawa, K. Itho and J. Shirafuji, J. Cryst. Growth 169, 185 (1996).
17. Z. Liliental-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov and J. Washburn, Phys. Rev. Lett. 79, 2835 (1997).
18. S. Oktyabrsky, K. Dovidenko, A. K. Sharma, V. Joshkin and J. Narayan, MIJ-NSR 4S1, G6.43 (1999).
19. F. A. Ponce, D. P. Bour and W. Gotz, Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996).
20. C. Noguez, Phys. Rev. B58, 12641 (1998).
21. Y. H. Mo, K. S. Nahm, S. H. Yang, K. C. Kim, W. H. Lee, E.-K. Suh and K. Y. Lim, J. Korean Phys. Soc. 34, S364 (1999).