Effects of barrier-metal schemes of tungsten plugs and blanket film deposition

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 39, Issue 8, 2000, Pages 4738-4743

  Chang, Hui Lin ^a,b   Jeng, Pei Ren ^a,c  

^a UTEK Semiconductor Corporation Ltd   (Taiwan)

^b NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^c MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

MORPHOLOGY; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; TUNGSTEN;

TUNGSTEN PLUG;

TITANIUM NITRIDE;

EID: 0034245158     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.39.4738     Document Type: Article

References (22)

1. A. C. Westerheim, J. M. Bulger, C. S. Whelan, T. S. Sriram, L. J. Elliott and J. J. Maziarz: J. Vac. Sci. & Technol. B 16 (1998) 2729.
2. Y. P. Chen, G. Dixit, J. P. Lu, W. Y. Hsu, A. Konecni, J. D. Luttmer and R. Havemann: Thin Solids Films 320 (1998) 73.
3. C. Faltermeier, C. Goldberg, M. Jones, A. Upham, D. Manger, G. Peterson, J. Lau and A. Kaloyeros: J. Electrochem. Soc. 144 (1997) 1002.
4. H. Koerner, H. P. Erb and H. Melzner: Appl. Surf. Sci. 73 (1993) 6.
5. O. Yamazaki, K. Nakamura, H. Sakamoto, S. Ohnishi and K. Sakiyama: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 466.
6. P. J. Ireland: Thin Solids Films 304 (1997) 1.
7. D. Pramanik and V. Jain: Solid State Technol. 34 (1991) May, 97.
8. G. L. Leusink, C. R. Kleijn, T. G. M. Oosterlaken, G. C. A. M. Janssen and S. Radelaar: J. Appl. Phys. 72 (1992) 490.
9. E. J. McInerney, T. W. Mountsier, B. L. Chin and E. K. Broadbent: J. Vac. Sci. & Technol. B 11 (1993) 734.
10. S. Parikh, L. Akselrod, J. Gardner, K. Armstrong and N. Parekh: Thin Solid Films 320 (1998) 26.
11. P. Dekker, P. J. Van der Put, H. J. Veringa and J. Schoonman: J. Electrochem. Soc. 141 (1994) 787.
12. K. A. Littau, M. Eizenberg, S. Ghannayem, H. Tran, Y. Maeda, A. Sinha, M. Chang, G. Dixit, M. K. Jain, M. F. Chisholm and R. H. Havemann: Proc. 11th Int. VLSI Multilevel Interconnection Conf. Santa Clara (1994) p. 440.
13. Y. Harada, T. Akahori and H. Onoda: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 413.
14. A. J. Silverstre, O. Conde, R. Vilar and M. Jeandin: J. Mater. Sci. 29 (1994) 404.
15. M. J. Buiting and A. F. Otterloo: J. Electrochem. Soc. 139 (1992) 2580.
16. D. H. Kim, J. J. Kim, J. W. Park and J. J. Kim: J. Electrochem. Soc. 143 (1996) L188.
17. C. K. Wang, L. M. Liu, M. Liao, H. C. Cheng and M. S. Lin: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 4274.
18. T. Hosoda, Y. Fukumoto, S. Inagaki and H. Yagi: Proc. 14th Int. VLSI Multilevel Interconnection Conf. Santa Clara (1997) p. 299.
19. H. J. Jang, H. Sohn, J. S. Kim, K. H. Yang, S. B. Kim, S. Y. Lee, S. H. Lee, T. K. Hong, K. B. Lee, N. J. Kwak and H. J. Kwon: Proc. 15th Int. VLSI Multilevel Interconnection Conf. Santa Clara (1998) p. 109.
20. C. Y. Ho and S. Y. Hou: Proc. 15th Int. VLSI Multilevel Interconnection Conf. Santa Clara (1998) p. 171.
21. H. L. Chang and P. R. Jeng: Proc. 16th Int. VLSI Multilevel Interconnection Conf. Santa Clara (1999) p. 362.
22. M. Eizenberg, K. Littau, S. Ghanayem, M. Liao, R. Mosely and A. K. Sinha: J. Vac. Sci. & Technol. A 13 (1995) 590.