Preparation of CdS single-crystal nanowires by electrochemically induced deposition

Advanced Materials

Volumn 12, Issue 7, 2000, Pages 520-522

  Xu, Dongsheng ^a,b   Xu, Yajie ^a   Chen, Dapeng ^a,c   Guo, Guolin ^a   Gui, Linlin ^a   Tang, Youqi ^a  

^a Peking University   (China)

^b HARBIN ENGINEERING UNIVERSITY   (China)

^c Yunnan Polytechnic University   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINA; AMINES; COMPOSITION; CRYSTAL GROWTH; DEPOSITION; ELECTROCHEMISTRY; ENERGY DISPERSIVE SPECTROSCOPY; PORE SIZE; RAMAN SPECTROSCOPY; SEMICONDUCTING CADMIUM COMPOUNDS; SINGLE CRYSTALS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ACIDIC CHEMICAL BATH; ANODIC ALUMINUM OXIDE; CADMIUM CHLORIDE; ELECTROCHEMICALLY INDUCED DEPOSITION; SINGLE CRYSTAL NANOWIRES; THIOACETAMIDE;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 0033906741     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/(SICI)1521-4095(200004)12:7<520::AID-ADMA520>3.0.CO;2-#     Document Type: Article

References (25)

1. S. Iijima, Nature 1991, 354, 56.
2. H. Dai, E. W. Wong, Y. Z. Lu, S. Fan, C. M. Lieber, Nature 1995, 375, 769.
3. A. P. Alivisatos, Science 1996, 271, 933.
4. S. J. Tans, M. H. Devoret, H. Dai, A. Thess, R. E. Smalley, L. J. Geerligs, C. Dekker, Nature 1997, 386, 474.
5. A. M. Morales, C. M. Lieber, Science 1998, 279, 208.
6. D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, X. S. Sun, Y. H. Tang, G. W. Zhou, Z. G. Bai, S. Q. Feng, Solid State Commun. 1998, 105, 403.
7. S. Frank, P. Poncharal, Z. L. Wang, W. A. de Heer, Science 1998, 280, 1744.
8. C. M. Lieber, Solid State Commun. 1998, 107, 607.
9. J. R. Heath, H. J. Kuekes, G. Snyder, R. S. Williams, Science 1998, 280, 1717.
10. G. T. Hu, T. W. Odom, C. M. Lieber, Acc. Chem. Res. 1999, 32, 435.
11. J. Hu, M. Ouyang, P. Yang, C. M. Lieber, Nature 1999, 399, 48.
12. D. S. Xu, G. L. Guo, L. L. Gui, Y. O. Tang, Z. J. Shi, Z. X. Jin, Z. N. Gu, W. M. Liu, X. L. Li, G. H. Zhang, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 481.
13. H. I. Liu, N. I. Maluf, R. F. Pease, J. Vac. Sci. Technol. B 1992, 10, 2846.
14. T. Ono, H. Saitoh, M. Esashi, Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 1852.
15. S. Hu, A. Hamidi, S. Altmeyer, T. Koster, B. Spangenberg, H. Kurz, J. Vac. Sci. Technol. B 1999, 16, 2822.
16. M. Andersson, A. Iline, F. Stietz, F. Trager. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Proc. 1999, 68, 609.
17. G. Palasantzas, B. Ilge, J. De Nijs, L. J. Geerligs, J. Appl. Phys. 1999, 85, 1907.
18. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Okawa, K. Haraguchi, M. Kogucchi, H. Kakibayashi, J. Appl. Phys. 1995, 77, 477.
19. W. Q. Man, S. S. Fan, Q. Q. Li, Y. D. Hu, Science 1997, 277, 1278.
20. C. R. Martin, Science 1994, 266, 1961.
21. D. Routkevitch, T. Bigioni, M. Moskovits, J. M. Xu, J. Phys. Chem. 1996, 100, 14037.
22. J. S. Suh, J. S. Lee, Chem. Phys. Lett. 1997, 281, 384.
23. J. L. Hutchison, D. Routkevitch, M. Moskovits, R. R. Nayak. Inst. Phys. Conf. Ser. 1997, 157, 389.
24. D. S. Xu, Y. J. Xu, D. P. Chen, G. L. Guo, L. L. Gui, Y. Q. Tang, unpublished.
25. K. Yamaguchi, T. Yoshida, T. Sugiura, H. Minoura, J. Phys. Chem. B 1998, 102, 9677.