Improvement of 1.5 μm photoluminescence from reactive deposition epitaxy (RDE) grown β-FeSi2 balls in Si by high temperature annealing

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 38, Issue 6 A/B, 1999, Pages

  Suemasu, Takashi ^a   Iikura, Yusuke ^a   Fujii, Tetsuo ^a   Takakura, Ken'ichiro ^a   Hiroi, Noriyoshi ^a   Hasegawa, Fumio ^a  

^a UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR GROWTH; X RAY CRYSTALLOGRAPHY;

FULL WIDTH AT HALF MAXIMUM (FWHM); IRON DISILICIDE; REACTIVE DEPOSITION EPITAXY (RDE);

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 0032689387     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.38.l620     Document Type: Article

References (25)

1. D. Leong, M. Harry, K. J. Reeson and K. P. Homewood: Nature 387 (1997) 686.
2. M. C. Bost and J. E. Mahan: J. Appl. Phys. 58 (1985) 2696.
3. M. C. Bost and J. E. Mahan: J. Appl. Phys. 64 (1988) 2034.
4. N. Cherief, C. D'Anterroches, R. C. Cinti, T. A. N. Tan and J. Derrien: Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1671.
5. K. Radermacher, R. Carius and S. Mantl: Nucl. Instrum. & Methods B 84 (1994) 163.
6. C. A. Dimitriadis, J. H. Werner, S. Logothetidis, M. Stutzmann, J. Weber and R. Nesper: J. Appl. Phys. 68 (1990) 1726.
7. T. Miya, Y. Terunuma, T. Hosaka and T. Miyashita: Electron. Lett. 15 (1979) 106.
8. K. Lefki, P. Muret, N. Cherief and R. C. Cinti: J. Appl. Phys. 69 (1991) 352.
9. H. Katsumata, Y. Makita, N. Kobayashi, H. Shibata, M. Hasegawa, I. Aksenov, S. Kimura, A. Obara and S. Uekusa: J Appl. Phys. 80 (1996) 5995.
10. Z. Yang, K. P. Homewood, M. S. Finney, M. Harry and K. J. Reeson: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1649.
11. Y. Maeda, T. Akita, K. Umezawa, K. Miyake and M. Sagawa: Proc. SPIE 3419 (1998) 354.
12. T. Suemasu, T. Fujii, Y. Iikura, K. Takakura and F. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L1513.
13. J. E. Mahan, K. M. Geib, G. Y. Robinson, R. G. Long, X. Yan, G. Bai, M. A. Nicolet and M. Nathan: Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 2126.
14. L. Wang, L. Qin, Y. Zheng, Q. Shen, X. Chen, X. Lin, C. Lin and S. Zou: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 3105.
15. K. M. Geib, J. E. Mahan, R. G. Long, M. Nathan and G. Bai: J. Appl. Phys. 70 (1991) 1730.
16. M. Tanaka, Y. Kumagai, T. Suemasu and F. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 3620.
17. M. G. Grimaldi, F. Marabelli, L. Miglio and V. Meregalli: J. Lumin. 80 (1999) 467.
18. T. Suemasu, M. Tanaka, T. Fujii, S. Hashimoto, Y. Kumagai and F. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1225.
19. D. N. Leong, M. A. Harry, K. J. Reeson and K. P. Homewood: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1649.
20. A. Rizzi, B. N. E. Rösen, D. Freundt, Ch. Dieker, H. Lüth and D. Gerthse: Phys. Rev. B 51 (1995) 17780.
21. D. H. Tassus, C. L. Mitsas, T. T. Zorba, M. Angelakeris, C. A. Dimitriadis, O. Valassiades, D. I. Siapkas and G. Kiriakidis: Appl. Surf. Sci. 102 (1996) 178.
22. K. Lefki, P. Muret, E. Bustarret, N. Boutarret, R. Madar, J. Chevrier, J. Derrien and M. Brunel: Solid State Commun. 80 (1991) 791.
23. T. Suemasu, K. Takakura, M. Tanaka, T. Fujii and F. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L333.
24. S. M. Sze: Physics of Semiconductor Devices (John Wiley & Sons, Int., New York, 1981) 2nd ed., Chap. 2, p. 69.
25. N. E. Christensen: Phys. Rev. B 42 (1990) 7148.