Structural and electrical characteristics of Ba(Zr0.12Ti0.88)O3 thin films deposited on LaNiOa electrode by RF magnetron sputtering

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 37, Issue 10, 1998, Pages 5638-5644

  Shy, Hsiou Jeng ^a   Wu, Tai Bor ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Ba(Zr0.12Ti0.88)O3; LaNiO3; Sputtering; Thin film

Indexed keywords

BARIUM TITANATE; CRYSTALLINE MATERIALS; ELECTRODES; FILM GROWTH; INTERFACES (MATERIALS); LANTHANUM COMPOUNDS; MAGNETRON SPUTTERING; PEROVSKITE; SPUTTER DEPOSITION; TEXTURES; THIN FILMS; X RAY CRYSTALLOGRAPHY;

RADIO FREQUENCY (RF) MAGNETRON SPUTTERING;

DIELECTRIC FILMS;

EID: 0032180381     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.37.5638     Document Type: Article

References (29)

1. T. Sumi, Y. Judai, K. Hirano, T. Ito, T. Mikawa, M. Takeo, M. Azuma, Hayashi, Y. Uemoto, K. Arita, T. Nasu, Y. Nagano, A. Inoue, A. Matsuda, E. Fuji, Y. Shimada and T. Otsuki: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1516.
2. T. Kaga, M. Ohkura, F. Murai, N. Yokoyama and E. Takeda: J. Vac. Sci. Technol. B 13 (1995) 2329.
3. H. Achard and H. Mace: Science and Technology of Electroceratnic Thin Films, eds. O. Auciello and R. Waser (Kluwer, Dordrecht, 1994) p. 353.
4. K. Abe and S. Komatsu: J. Appl. Phys. 77 (1995) 6461.
5. T. Nakamura, Y. Yamanaka, A. Morimoto and T. Shimizu: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 5150.
6. T. Kuroiwa, Y. Tsunemine, T. Horikawa, T. Makita, J. Tanimura, N. Mikami and K. Sato: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 5187.
7. C. M. Wu and T. B. Wu: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 1164.
8. W. J. Lee, I. K. Park, G. E. Jang and H. G. Kim: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 196.
9. C. S. Hwang, S. O. Park, H. J. Cho, C. S. Kang, S. I. Lee and M. Y. Lee: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 2819.
10. K. Numata, Y. Fukuda, K. Aoki and A. Nishimura: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 5245.
11. J. N. Lin and T. B. Wu: J. Appl. Phys. 68 (1990) 985.
12. T. B. Wu, C. M. Wu and M. L. Chen: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 2659.
13. S. Hoffmann and R. Waser: Integrat. Ferroelectr. 17 (1997) 141.
14. C. C. Yang, M. S. Chen, T. J. Hong, C. M. Wu, J. M. Wu and T. B. Wu: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 2643.
15. M. S. Chen, J. M. Wu and T. B. Wu: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 4870.
16. T. F. Tseng, K. S. Liu, T. B. Wu and I. N. Lin: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 2505.
17. M. J. Shyu, T. J. Hong and T. B. Wu: Mater. Lett. 23 (1995) 221.
18. M. J. Shyu, T. J. Hong, T. J. Yang and T. B. Wu: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 3647.
19. T. F. Tseng, C. C. Yang, K. S. Lin, J. M. Wu, T. B. Wu and I. N. Lin Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 4743.
20. M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg: Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (John Wiley & Sons, New York, 1994) p. 81.
21. T. Nagatomo, T. Kosaka, S. Onori and O. Omoto: Ferroelectrics 37 (1981) 681.
22. M. Matsuoka, K. Hoshino and K. Ono: J. Appl. Phys. 76 (1994) 1768.
23. T. Horikawa, N. Mikami, T. Makila, J. Tanimura, M. Kataoka, K. Sato and M. Nunoshita: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 426.
24. T. S. Kim, C. H. Kim and M. H. Oh: J. Appl. Phys. 75 (1994) 7998.
25. R. Waser. Science and Technology of Electroceramic Thin Films, eds. O. Auciello and R. Waser (Kluwer, Dordrecht, 1995) p. 223.
26. I. R. Anderson, G. W. Brady, W. J. Merz and J. P. Remeika: J. Appl. Phys. 26 (1955) 1387.
27. R. Waser and D. M. Smyth: Ferroelectric Thin Films: Synthesis and Basic Properties, eds. C. P. de Araujo, J. F. Scott and G. W. Taylor (Gordon and Breach, Amsterdam, 1996) p. 47.
28. D. Nagano, H. Funakubo, O. Sakurai, K. Shinozaki and N. Mizutani: J. Mater. Res. 12 (1997) 1655.
29. J. H. Joo, Y. C. Jeon, J. M. Seon, K. Y. Oh, J. S. Roh and J. J. Kim: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 4382.