Effects of Mo-free C40 Ti(Si1-xGex)2 precursors and the thickness of an interposed Mo layer on the enhanced formation of C54 Ti(Si1-xGex)2

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 22, 1999, Pages 3482-3484

  Luo, Jian Shing ^a   Huang, Jun Chieh ^a   Lin, Wen Tai ^a   Chang, C Y ^b   Shih, P S ^b  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0009260561     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125362     Document Type: Article

References (25)

1. R. Beyers and R. Sinclair, J. Appl. Phys. 57, 5240 (1985).
2. J. B. Lasky, J. S. Nakos, O. J. Cain, and P. J. Geiss, IEEE Trans. Electron Devices ED-38, 262 (1991).
3. H. Kuwano, J. R. Phillips, and J. W. Mayer, Appl. Phys. Lett. 56, 440 (1990).
4. M. Okihara, N. Hirashita, K. Tai, M. Kageyama, Y. Harada, and H. Onoda, J. Appl. Phys. 85, 2988 (1999).
5. S. M. Chang, H. Y. Huang, H. Y. Yang, and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 74, 224 (1999).
6. R. W. Mann, G. L. Miles, T. A. Knotts, D. W. Rakowski, L. A. Clevenger, J. M. Harper, F. M. d'Heurle, and C. Cabral, Jr., Appl. Phys. Lett. 67, 3729 (1995).
7. J. A. Kittl, M. A. Gribelyuk, and S. B. Samavedam, Appl. Phys. Lett. 73, 900 (1998).
8. A. Mouroux, S. L. Zhang, W. Kaplan, S. Nygren, M. Oestling, and C. S. Petersson, Appl. Phys. Lett. 69, 975 (1996).
9. A. Mouroux, S. L. Zhang, and C. S. Petersson, Phys. Rev. B 56, 10614 (1997).
10. C. Cabral, Jr., L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, R. A. Roy, K. L. Saenger, G. L. Miles, and R. W. Mann, J. Mater. Res. 12, 304 (1997).
11. S. L. Cheng, J. J. Jou, L. J. Chen, and B. Y. Tsui, J. Mater. Res. 14, 2061 (1999).
12. C. Cabral, Jr., L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, R. A. Roy, C. Lavoie, K. L. Saenger, G. L. Miles, R. W. Mann, and J. S. Nakos, Appl. Phys. Lett. 71, 3531 (1997).
13. Z. Ma, L. A. Allen, and D. D. J. Allman, J. Appl. Phys. 77, 4384 (1995).
14. S. M. Chang, H. Y. Huang, H. Y. Yang, and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 74, 224 (1999).
15. S. L. Zhang, F. M. d'Heurle, C. Lavoie, C. Cabral, Jr., and J. M. E. Harper, Appl. Phys. Lett. 73, 312 (1998).
16. F. Bonoli, M. Iannuzzi, L. Miglio, and V. Meregalli, Appl. Phys. Lett. 73, 1964 (1998).
17. F. S. Lai, P. A. McFarland, F. M. d'Heurle, and C. Y. Ting, J. Appl. Phys. 60, 243 (1983).
18. O. Thomas, S. Delage, F. M. d'Heurle, and G. Scilla, Appl. Phys. Lett. 54, 228 (1989).
19. W. J. Qi, B. Z. Li, W. N. Huang, Z. G. Gu, H. Q. Lu, X. J. Zhang, M. Zhang, G. S. Dong, D. C. Miller, and R. G. Aitken, J. Appl. Phys. 77, 1086 (1995).
20. D. B. Aldrich, Y. L. Chen, D. E. Sayers, R. J. Nemanich, S. P. Ashburn, and M. C. Ozturk, J. Appl. Phys. 77, 5107 (1995).
21. D. B. Aldrich, H. L. Heck, Y. L. Chen, D. E. Sayers, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 78, 4958 (1995).
22. A. Eyal, R. Brener, R. Beserman, M. Eizenberg, Z. Atzmon, D. J. Smith, and J. W. Mayer, Appl. Phys. Lett. 69, 64 (1996).
23. W. Freiman, A. Eyal, Y. L. Khait, R. Beserman, and K. Dettmer, Appl. Phys. Lett. 69, 3821 (1996).
24. 2], JCPDS-International Center for Diffraction Data, PDF-2 Database, Newton Square, PA.
25. 2], JCPDS-lnternational Center for Diffraction Data, PDF-2 Database, Newton Square, PA.