Fermi-level pinning and Schottky barrier heights on epitaxially grown fully strained and partially relaxed n-type Si1 - XGex layers

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 12, 1999, Pages 6890-6894

  Mamor, M ^a   Nur, O ^a   Karlsteen, M ^a   Willander, M ^a   Auret, F D ^b  

^a UNIVERSITY OF GOTHENBURG   (Sweden)

^b UNIVERSITY OF PRETORIA   (South Africa)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0006811348     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371768     Document Type: Article

References (30)

1. S. S. Iyer, G. L. Patton, J. M. C. Stork, B. S. Meyerson, and D. L. Harame, IEEE Trans. Electron Devices ED-36, 2043 (1989).
2. H. Daembkes, H.-J. Herzog, H. Jorke, H. Kibbel, and E. Kasper, IEEE Trans. Electron Devices ED-33, 633 (1986).
3. T. L. Lin, A. Ksendzov, S. M. Dejewski, E. W. Jones, R. W. Fathauer, T. N. Krabach, and J. Maserjian, IEEE Trans. Electron Devices ED-38, 1141 (1991).
4. H. Kanaya, F. Hasegawa, E. Yamaka, T. Moriyama, and M. Nakajima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L544 (1989).
5. O. Nur, M. Willander, R. Turan, M. R. Sardela, Jr., and G. V. Hansson, Appl. Phys. Lett. 68, 1084 (1996).
6. F. Meyer, M. Mamor, V. Aubry-Fortuna, P. Warren, S. Bodnar, D. Dutartre, and J. L. Regolini, J. Electron. Mater. 25, 1748 (1996).
7. M. Mamor, F. D. Auret, S. A. Goodman, and G. Myburg, Appl. Phys. Lett. 72, 1069 (1998).
8. R. L. Jiang, L. Liu, J. Li, Y. Shi, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. Lett. 68, 1123 (1996).
9. O. Nur, M. Karlsteen, M. Willander, R. Turan, B. Asian, M. O. Tanner, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 73, 3920 (1998).
10. J. R. Jimenez, X. Xiao, J. C. Sturm, P. W. Pelligrini, and M. M. Weeks, J. Appl. Phys. 75, 5160 (1994).
11. O. Thomas, S. Delage, F. M. D'Heurle, and G. Scilla, Appl. Phys. Lett. 54, 228 (1998).
12. Z. Wang, D. B. Aldrich, R. J. Nemanich, and D. E. Sayers, J. Appl. Phys. 82, 2342 (1997).
13. M. Lyakas, M. Beregovsky, M. Eizenberg, and F. Meyer. J. Appl. Phys. 82, 1716 (1997).
14. O. Nur, M. Willander, H. H. Radamson, M. R. Sardela, Jr., G. V. Hanson, C. S. Petersson, and K. Maex, Appl. Phys. Lett. 64, 440 (1994).
15. A. Buxbaum, M. Einzenberg, A. Raizman, and F. Schäffler, Appl. Phys. Lett. 59, 665 (1991): Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 3590 (1991).
16. A. Buxbaum, M. Einzenberg, A. Raizman, and F. Schäffler, Appl. Phys. Lett. 59, 665 (1991): Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 3590 (1991).
17. H. K. Liou, X. Wu, U. Gennser, V. P. Kesan, S. S. Iyer, K. N. Tu, and E. S. Yang, Appl. Phys. Lett. 60, 577 (1992).
18. P. Van der Sluis, J. Phys. D: Appl. Phys. 26, 188 (1993).
19. J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 52, 465 (1984); Surf. Sci. 168, 275 (1986).
20. J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 52, 465 (1984); Surf. Sci. 168, 275 (1986).
21. J. Y. Duboz, P. A. Badoz, F. A. d'Avitaya, and E. Rosencher, Phys. Rev. B 40, 10607 (1989).
22. M. O. Aboelfotoh, Solid-State Electron. 34, 51 (1991).
23. M. Lyakas, M. Beregovsky, M. Eizenberg, and F. Meyer, J. Appl. Phys. 82, 1716 (1997).
24. W. Mönch, Surf. Sci. 299-300, 928 (1994).
25. R. M. Feenstra and P. Mårtensson, Phys. Rev. Lett. 61, 447 (1988).
26. H. W. Hubers and H. P. Röser, J. Appl. Phys. 84, 5326 (1998).
27. A. Hara, F. Kasahara, S. Wada, and H. Ikoma, J. Appl. Phys. 85, 3234 (1999).
28. T. J. Drummond, Phys. Rev. B 59, 8182 (1999).
29. W. E. Spicer, R. Cao, K. Miyano, T. Kendelwicz, I. Lindo, E. Weber, Z. Liliental-Weber, and N. Newman, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1245 (1988).
30. A. Ruini, R. Resta, and S. Baroni, Phys. Rev. B 56, 14921 (1997).