Metal-semiconductor junctions on p-type strained Si1-xGex layers

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 8, 1996, Pages 1084-1086

  Nur, O ^a   Willander, M ^a   Turan, R ^b   Sardela Jr , M R ^a   Hansson, G V ^a  

^a LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

^b MIDDLE EAST TECHNICAL UNIVERSITY   (Turkey)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001912716     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.115720     Document Type: Article

References (18)

1. T. L. Lin, A. Ksendzov, S. M. Dejewski, E. W. Jones, R. W. Fathauer, T. N. Krabach, and J. Maserjian, IEEE Trans. Electron Devices INS ED-38, 1141 (1991).
2. S. S. Iyer, G. L. Patton, J. M. C. Stork, B. S. Meyerson, and D. L. Harame, IEEE Trans. Electron Devices INS ED-36, 2043 (1989).
3. H. Daembkes, H-J. Herzog, H. Jorke, H. Kibbel, and E. Kasper, IEEE Trans. Electron Devices INS ED-33, 633 (1986).
4. O. Nur, M. Willander, H. H. Radamson, M. R. Sardela, Jr., G. V. Hansson, C. S. Petersson, and K. Maex, Appl. Phys. Lett. AIP 64, 440 (1994).
5. W. Kosoncky, F. V. Shallcross, T. S. Villani, and J. V. Groppe, IEEE Trans. Electron Devices INS ED-32, 1564 (1982).
6. H. Kanaya, F. Hasegawa, E. Yamaka, T. Moriyama, and M. Nakajima, Jpn. J. Appl. Phys. INS 28, L544 (1989).
7. X. Xiao, J. C. Sturm, S. R. Parihar, S. A. Lyon, D. Meyerhofer, S. Palfrey, and F. V. Shallcross, IEEE Trans. Electron Devices Lett. INS EDL-14, 199 (1993).
8. J. R. Jimenez, X. Xiao, J. C. Sturm, and P. W. Pellegrini, Appl. Phys. Lett. AIP 67, 506 (1995).
9. M. R. Sardela, Jr. and G. V. Hansson, J. Vac. Sci. Technol. A AIP 13, 314 (1995).
10. P. F. Fewster, Semicond. Sci. Technol. INS 22, 64 (1993).
11. O. Nur, M. R. Sardela, Jr., M. Willander, and R. Turan, Semicond. Sci. Technol. INS 10, 551 (1995).
12. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981), p. 245.
13. M. O. Aboelfotoh, Solid State Electron. INS 34, 51 (1991).
14. M. Barus and D. Donoval, Solid State Electron. INS 36, 969 (1993).
15. J. C. Brighten, I. D. Hawkins, A. R. Peaker, E. H. C. Parker, and T. E. Whall, J. Appl. Phys. AIP 74, 1894 (1993).
16. W.-X. Ni, J. Knall, and G. V. Hansson, Phys. Rev. B AIP 36, 7744 (1987).
17. P. J. Wang, F. F. Fang, B. S. Meyerson, J. Nocera, and B. Parker, Appl. Phys. Lett. AIP 54, 2071 (1989).
18. K. Nauka, T. I. Kamins, J. E. Turner, C. A. King, J. L. Hoyt, and J. F. Gibbons, Appl. Phys. Lett. AIP 60, 195 (1992).