Interface characterization of Si3N4/Si/GaAs heterostructures after high temperature annealing

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 6, 1998, Pages 3032-3040

  Park, Dae Gyu ^a,d   Wang, Zhonghui ^a   Morkoç, Hadis ^a,e   Alterovitz, Samuel A ^b   Smith, David J ^c   Tsen, S C Y ^c  

^a University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

^b NASA GLENN RESEARCH CENTER   (United States)

^c ARIZONA STATE UNIVERSITY   (United States)

^d Hynix Semiconductor Inc   (South Korea)

^e Virginia Commonwealth University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0005815076     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (33)

1. C. W. Wilmsen and S. Szpak, Thin Solid Films 46, 17 (1977).
2. L. Messick, J. Appl. Phys. 47, 5474 (1976).
3. H. Hasegawa, L. He, H. Ohno, T. Sawada, and T. Haga, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1097 (1987).
4. P. P. Jenkins, A. N. Maclnnes, M. Tabbib-Azar, and A. R. Barron, Science 263, 1751 (1994); L. J. Huang, W. M. Lau, S. Ingrey, D. Landheer, and J.-P. Noel, J. Appl. Phys. 76, 8192 (1994).
5. P. P. Jenkins, A. N. Maclnnes, M. Tabbib-Azar, and A. R. Barron, Science 263, 1751 (1994); L. J. Huang, W. M. Lau, S. Ingrey, D. Landheer, and J.-P. Noel, J. Appl. Phys. 76, 8192 (1994).
6. M. Passlack, M. Hong, and J. P. Mannaerts, Appl. Phys. Lett. 68, 1099 (1996).
7. S. Tiwari, S. L. Wright, and J. Batey, IEEE Electron Device Lett. 9, 488 (1988).
8. J. I. Freeouf, D. A. Buchanan, S. L. Wright, T. N. Jackson, and B. Robinson, Appl. Phys. Lett. 57, 1919 (1990); A. Callegari, D. K. Sadana, D. A. Buchanan, A. Paccagnella, E. D. Marshall, M. A. Tischler, and M. Norcott, ibid. 58, 2540 (1991).
9. J. I. Freeouf, D. A. Buchanan, S. L. Wright, T. N. Jackson, and B. Robinson, Appl. Phys. Lett. 57, 1919 (1990); A. Callegari, D. K. Sadana, D. A. Buchanan, A. Paccagnella, E. D. Marshall, M. A. Tischler, and M. Norcott, ibid. 58, 2540 (1991).
10. D. S. L. Mui, S. F. Fang, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 59, 1887 (1991); D. S. L. Mui, D. Biswas. J. Reed, A. L. Demirel, S. Strite, and H. Morkoç, ibid. 60, 2511 (1992).
11. D. S. L. Mui, S. F. Fang, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 59, 1887 (1991); D. S. L. Mui, D. Biswas. J. Reed, A. L. Demirel, S. Strite, and H. Morkoç, ibid. 60, 2511 (1992).
12. D. G. Park, Z. Chen, S. N. Mohammad, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Philos. Mag. B 74, 219 (1996); Z. Chen, D. G. Park, S. N. Mohammad, and H. Morkoç. Appl. Phys. Lett. 69, 230 (1996).
13. D. G. Park, Z. Chen, S. N. Mohammad, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Philos. Mag. B 74, 219 (1996); Z. Chen, D. G. Park, S. N. Mohammad, and H. Morkoç. Appl. Phys. Lett. 69, 230 (1996).
14. 10D. G. Park, Z. Chen, D. M. Diatezua, Z. Wang, A. Rockett, H. Morkoç, and S. A. Alterovitz, Appl. Phys. Lett. 70, 1263 (1997); D. G. Park, D. M. Diatezua, Z. Chen, S. N. Mohammad, and H. Morkoç, ibid. 69, 3025 (1996).
15. D. G. Park, Z. Chen, D. M. Diatezua, Z. Wang, A. Rockett, H. Morkoç, and S. A. Alterovitz, Appl. Phys. Lett. 70, 1263 (1997); D. G. Park, D. M. Diatezua, Z. Chen, S. N. Mohammad, and H. Morkoç, ibid. 69, 3025 (1996).
16. D. G. Park, M. Tao, K. Suzue, A. E. Botchkarev, J. Reed, Z. Fan, S. J. Chey, J. V. Nostrand, D. G. Cahill, and H. Morkoç, J. Cryst. Growth 150, 1275 (1995).
17. D. G. Park, M. Tao, D. Li, A. E. Botchkarev, Z. Fan, Z. Wang, S. N. Mohammad, A. Rockett, J. R. Abelson, H. Morkoç, A. R. Heyd, and S. A. Alterovitz, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2674 (1996); M. Tao, D. G. Park, S. N. Mohammad, D. Li, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Philos. Mag. B 73, 723 (1996).
18. D. G. Park, M. Tao, D. Li, A. E. Botchkarev, Z. Fan, Z. Wang, S. N. Mohammad, A. Rockett, J. R. Abelson, H. Morkoç, A. R. Heyd, and S. A. Alterovitz, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2674 (1996); M. Tao, D. G. Park, S. N. Mohammad, D. Li, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Philos. Mag. B 73, 723 (1996).
19. T. Omi, M. Miyashita, M. Iteno, and T. Imaoka, IEEE Trans. Electron Devices 39, 537 (1992).
20. R. M. Sieg, S. A. Alterovitz, E. T. Croke, M. J. Harrell, M. Tanner, K. L. Wang, R. A. Mena, and P. G. Young, J. Appl. Phys. 74, 586 (1993).
21. S. A. Alterovitz, R. M. Sieg, N. S. Shoemaker, and J. J. Pouch, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 152, 21 (1989).
22. P. G. Snyder, M. C. Rost, G. H. Bu-Abbud, J. A. Woollam, and S. A. Alterovitz, J. Appl. Phys. 60, 3293 (1986).
23. 1, J. A. Woollam Co. Inc., Lincoln, NE 68508.
24. D. E. Aspnes, J. B. Theeten, and F. Hottier, Phys. Rev. B 20, 3292 (1979).
25. F. H. P. M. Habraken, A. E. T. Kuiper, Y. Tajminga, and J. B. Theeten, J. Appl. Phys. 53, 6996 (1982).
26. Y. M. Xiong, P. G. Snyder, J. A. Woollam, and E. R. Krosche, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 950 (1992).
27. P. G. Snyder, Y. M. Xiong, J. A. Woollam, G. A. Al-Jumaily, and F. J. Gagliardi, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1462 (1992).
28. D. E. Aspnes and J. B. Theeten, Phys. Rev. Lett. 43, 1046 (1979).
29. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS Physics and Technology (Wiley, New York, 1982).
30. Z. Wang, D. M. Diatezua, D. G. Park, Z. Chen, H. Morkoç. and A. Rockett (unpublished).
31. T. Zheng, J. M. Gibson, D. S. L. Mui, and H. Morkoç, J. Mater. Res. 10, 1126 (1995).
32. Z. Chen, S. N. Mohammad, D. G. Park, H. Morkoç, and Y.-C. Chang, Appl. Phys. Lett. 70, 228 (1997); Z. Chen, S. N. Mohammad, D. G. Park, D. M. Diatezua, H. Morkoç, and Y.-C. Chang, ibid. 82, 275 (1997).
33. Z. Chen, S. N. Mohammad, D. G. Park, H. Morkoç, and Y.-C. Chang, Appl. Phys. Lett. 70, 228 (1997); Z. Chen, S. N. Mohammad, D. G. Park, D. M. Diatezua, H. Morkoç, and Y.-C. Chang, ibid. 82, 275 (1997).