2.12 μm inGaAs-inGaAlAs-inP diode lasers grown in solid-source molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 8, 2000, Pages 1091-1092

  Kuang, G K ^a   Bohm G ^a   Grau, M ^a   Rosel G ^a   Meyer, R ^a   Amann, M C ^a  

^a WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0004892391     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1289799     Document Type: Article

References (10)

1. M. Mitsuhara, M. Ogasawara, M. Oishi, and H. Sugiura, Appl. Phys. Lett. 72, 3106 (1998).
2. R. U. Martinelli, R. J. Menna, G. H. Olsen, and J. S. Vermaak, IEEE Photonics Technol. Lett. 6, 1415 (1994).
3. M. Ochiai, H. Temkin, S. Forouhar, and R. A. Logan, IEEE Photonics Technol. Lett. 7, 825 (1995).
4. M. Oishi, M. Yamamoto, and K. Kasaya, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 431 (1997).
5. J. Dong, A. Ubukata, and K. Matsumoto, IEEE Photonics Technol. Lett. 10, 513 (1998).
6. M. C. Wang, W. Lin, T. T. Shi, and Y. K. Tu, Electron. Lett. 31, 1584 (1995).
7. T. R. Chen, P. C. Chen, J. Ungar, M. A. Newkirk, S. Oh, and N. BarChaim, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 17 (1997).
8. N. Ohnoki, G. Okazaki, F. Koyama, and K. Iga, Electron. Lett. 35, 51 (1999).
9. G. K. Kuang, G. Böhm, M. Grau, G. Rosel, and M.-C. Amann, Electron. Lett. 36, 634 (2000).
10. M. Mitsuhara, M. Ogasawara, M. Oishi, H. Sugiura, and K. Kasaya, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 33 (1999).