InGaN-based laser diodes with an estimated lifetime of longer than 10,000 hours

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering

Volumn 3283, Issue , 1998, Pages 2-13

  Nakamura, Shuji ^a  

^a NICHIA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

A1GaN; Blue; CW; GaN; InGaN; Laser; Modulation; MQW; Self pulsation

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; GALLIUM NITRIDE; LASER CLADDING; LASERS; MODULATION; OPTOELECTRONIC DEVICES; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SUPERLATTICES;

A1GAN; BLUE; CW; GAN; INGAN; MQW; SELF PULSATION;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 0004859009     PISSN: 0277786X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1117/12.316666     Document Type: Conference Paper

References (17)

1. For a review, see S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode, 1st ed. (Springer-Verlag, Berlin, 1997).
2. K. Itaya, M. Onomura, J. Nishino, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nunoue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun, Y. Ohba, G. Hatakoshi, and M. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L1315 (1996).
3. G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindell and J. F. Schetzena, Electron. Lett. 33, 1556 (1997).
4. M. P. Mack, A. Abare, M. Aizcorbe, P. Kozodoy, S. Keller, U. K. Mishra, L. Coldren and S. DenBaars, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 41 (1997). (Available from http:llnsr.mij.mrs.org/2/5/)
5. A. Kuramata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota and T. Tanahashi, Jpn J. Appl. Phys. 36, L1330 (1997).
6. F. Nakamura, T. Kobayashi, T. Asatsuma, K. Funato, K. Yanashima, S. Hashimoto, K. Naganuma, S. Tomioka, T. Miyajima, E. Morita, H. Kawai and M. Ikeda, Proc. Second Int. Conf. Nitride Semiconductors, Tokushima, Japan, LN-8, October 27-31, 1997.
7. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 36, L1059 (1997).
8. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 36, L1568 (1997).
9. A. Sakai, H. Sunakawa and A. Usui, Apply. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
10. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. Zheleva and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
11. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
12. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho, Proc. Second Int. Conf. Nitride Semiconductors, Tokushima, Japan, S-i, October 27-31, 1997.
13. S. Yamashita, A. Ohishi, T. Kajimura, M. Inoue and Y. Fukui, IEEE J. Quantum Electron. QE-25, 1483 (1989).
14. T. Takayama, O. Imafuji, H. Sugiura, M. Yuri, H. Naito, M. Kume, A. Yoshikawa and K. Itoh, Appl. Phys. Lett. 65, 1211 (1994).
15. M. Suzuki and T. Uenoyama, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1420 (1996).
16. M. Suzuki and T. Uenoyama, Appl. Phys. Lett. 69, 3378 (1996).
17. W. W. Chow, A. F. Wright, and J. S. Nelson, Appl. Phys. Lett. 68, 296 (1996).