Evidence of phase separation in cubic InxGa1-xN epitaxial layers by resonant Raman scattering

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 23, 1999, Pages 3602-3604

  Silveira, E ^a   Tabata, A ^a   Leite, J R ^a   Trentin, R ^a   Lemos, V ^b   Frey, T ^c   As, D J ^c   Schikora, D ^c   Lischka, K ^c  

^a UNIVERSITY OF SÃO PAULO   (Brazil)

^b UNIVERSITY OF CAMPINAS   (Brazil)

^c UNIVERSITY OF PADERBORN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001750575     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125401     Document Type: Article

References (21)

1. S. Nakamura and C. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
2. Semiconductor and Semimetals, Vol. 50, Gallium Nitrides I, edited by J. I. Pankove and T. Moustakas (Academic, San Diego, CA, 1998).
3. S. Nakumura, M. Senoh, S.-J. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsuschita, H. Hiroku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Huemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
4. A. Tabata, J. R. Leite, A. P. Lima, E. Silveira, V. Lemos, T. Frey, D. J. As, D. Schikora, and K. Lischka, Appl. Phys. Lett. 75, 1095 (1999).
5. J. B. Li, H. Yang, L. X. Zheng, D. P. Xu, and Y. T. Wang, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 451, G3.25 (1999).
6. J. R. Müllhäuser, O. Brandt, A. Trompert, B. Jenichen, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 73, 1230 (1998).
7. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 2822 (1997).
8. K. P. O'Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).
9. R. W. Martin, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, and W. Van der Stricht, Appl. Phys. Lett. 74, 263 (1999).
10. J. Dalfors, J. P. Bergman, P. O. Holtz, B. E. Sernelius, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 74, 3299 (1999).
11. I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
12. K. Osamura, S. Naka, and Y. Murakami, J. Appl. Phys. 46, 3432 (1975).
13. R. Singh, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, and L. T. Romano, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
14. A. Wakahara, T. Tokuda, X.-Z. Dang, S. Noda, and A. Sasaki, Appl. Phys. Lett. 71, 906 (1997).
15. N. A. El-Masry, E. L. Piner, S. X. Liu, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 72, 40 (1998).
16. D. Doppalapudi, S. N. Basu, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 84, 1389 (1998).
17. C. Kisielowski, Z. Liliental-Weber, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 6932 (1997).
18. S. Keller, B. P. Keller, M. S. Minsky, J. E. Bowers, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and W. Seifert, J. Cryst. Growth 189/190, 29 (1998).
19. D. Behr, J. Wagner, A. Ramakrishnan, H. Obloh, and K.-H. Bachem, Appl. Phys. Lett. 73, 241 (1998).
20. A. Tabata, A. P. Lima, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, V. Lemos, B. Schöttker, T. Frey, D. Schikora, and K. Lischka, Appl. Phys. Lett. 74, 362 (1999).
21. T. Frey, D. J. As, D. Schikora, K. Lischka, J. Holst, A. Hoffmann, and I. Broser, The Third International Conference on Nitride Semiconductors, edited by Karin Müller (Wiley, Berlin, 1999), Vol. 216.