Raman phonon modes of zinc blende InxGa1 - xN alloy epitaxial layers

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 8, 1999, Pages 1095-1097

  Tabata, A ^a,d   Leite, J R ^a   Lima, A P ^a   Silveira, E ^a   Lemos, V ^b   Frey, T ^c   As, D J ^c   Schikora, D ^c   Lischka, K ^c  

^a UNIVERSITY OF SÃO PAULO   (Brazil)

^b UNIVERSITY OF CAMPINAS   (Brazil)

^c UNIVERSITY OF PADERBORN   (Germany)

^d SÃO PAULO STATE UNIVERSITY UNESP   (Brazil)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000727341     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124608     Document Type: Article

References (25)

1. Gallium Nitrides I, Semiconductors and Semimetals, Vol. 50, edited by J. I. Pankove and T. Moustakas (Academic, San Diego, CA, 1998).
2. W. Shan, W. Walukiewicz, E. E. Haller, B. D. Little, J. J. Song, M. D. McCluskey, N. M. Johnson, Z. C. Feng, M. Schurman, and R. A. Stall, J. Appl. Phys. 84, 4452 (1998).
3. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 2822 (1997).
4. W. Shan, P. Perlin, J. W. Ager III, W. Walukiewicz, E. E. Haller, M. D. McCluskey, N. M. Johnson, and D. P. Bour, Appl. Phys. Lett. 73, 1613 (1998).
5. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
6. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
7. J. W. Orton and C. T. Foxon, Rep. Prog. Phys. 61, 1 (1998).
8. C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, S. R. Bharatan, K. S. Jones, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 66, 1632 (1995); J. Vac. Sci. Technol. A 13, 716 (1995).
9. C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, S. R. Bharatan, K. S. Jones, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 66, 1632 (1995); J. Vac. Sci. Technol. A 13, 716 (1995).
10. J. R. Müllhäuser, B. Jenichen, M. Wassermeier, O. Brandt, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 71, 909 (1997).
11. J. R. Müllhäuser, O. Brandt, A. Trompert, B. Jenichen, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 73, 1230 (1998).
12. J. Holst, A. Hoffmann, I. Broser, T. Frey, B. Schöttker, D. J. As, D. Schikora, and K. Lischka, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.3 (1999).
13. Z. C. Feng, M. Schurman, C. A. Tran, T. Salagaj, B. Karlicek, I. Ferguson, R. A. Stall, C. D. Dyer, K. P. J. Williams, and G. D. Pitt, Mater. Sci. Forum 264-268, 1359 (1998).
14. D. Behr, R. Niebuhr, H. Obloh, J. Wagner, K. H. Bachem, and U. Kaufmann, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 213 (1997).
15. K. Osamura, S. Naka, and Y. Murakami, J. Appl. Phys. 46, 3432 (1975).
16. A. Tabata, A. P. Lima, L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, V. Lemos, B. Schöttker, T. Frey, D. Schikora, and K. Lischka, Appl. Phys. Lett. 74, 362 (1999).
17. A. Tabata, R. Enderlein, J. R. Leite, S. W. da Silva, J. C. Galzerani, D. Schikora, M. Kloidt, and K. Lischka, J. Appl. Phys. 79, 4137 (1996).
18. S. Strite, D. Chandrasekhar, D. J. Smith, J. Sariel, H. Chen, N. Teraguchi, and H. Morkoç, J. Cryst. Growth 127, 204 (1993).
19. I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
20. T. Inushima, T. Yaguchi, A. Nagase, A. Iso, and T. Shiraishi, Proceedings of the 6th Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Bristol, 1996 [Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 971 (1996)].
21. T. Inushima, T. Yaguchi, A. Nagase, A. Iso, and T. Shiraishi, Proceedings of the 6th Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Bristol, 1996 [Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 971 (1996)].
22. J. S. Dyck, K. Kash, K. Kim, W. R. L. Lambrecht, C. C. Hayman, A. Argoitia, M. T. Grossner, W. L. Zhou, and J. C. Angus, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 549 (1998).
23. S. Yu, K. W. Kim, L. Bergman, M. Dutta, M. A. Stroscio, and J. M. Zavada, Phys. Rev. B 58, 15283 (1998).
24. H.-J. Kwon, Y.-H. Lee, O. Miki, H. Yamano, and A. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 69, 937 (1996).
25. M.-C. Lee, H.-C. Lin, Y.-C. Pan, C.-K. Shu, J. Ou, W.-H. Chen, and W.-K. Chen, Appl. Phys. Lett. 73, 2606 (1998).