Anomalous temperature dependence of photoluminescence from InAs quantum dots

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 5, 2000, Pages 2529-2532

  Jiang, W H ^a   Ye, X L ^a   Xu, B ^a   Xu, H Z ^a   Ding, D ^a   Liang, J B ^a   Wang, Z G ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001668170     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1288231     Document Type: Article

References (30)

1. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
2. S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Scherniakov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Y. Egorov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, N. Kirstaedter, and D. Bimberg, Superlattices Microstruct. 21, 559 (1997).
3. F. Schafer, J. P. Reithaier, and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 74, 2915 (1999).
4. D. Pan and E. Towe, Electron. Lett. 34, 1883 (1998).
5. K. Tamamura, Y. Sugiyama, Y. Nakata, S. Muto, and N. Yokohama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1445 (1995).
6. D. Bimberg, D. Kirstanedter, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, P. S. Kop'ev, and V. M. Ustinov, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 1 (1997).
7. Z. Y. Xu, Z. D. Lu, X. P. Yang, Z. L. Yuan, B. Z. Zheng, and J. Z. Xu, Phys. Rev. B 54, 11528 (1996).
8. D. I. Lubyshev, P. P. Gonzalez-Borrero, E. Marega, Jr., E. Petitprez, N. Lascala, Jr., and P. Basmaji, Appl. Phys. Lett. 68, 205 (1996).
9. H. Xu, Q. Gong, B. Xu, W. Jiang, J. Wang, W. Zhou, and Z. Wang, J. Cryst. Growth 200, 70 (1999).
10. S. Fafard, S. Raymond, G. Wang, R. Leon, D. Leonard, S. Charbonneau, J. L. Merz, P. M. Petroff, and J. E. Bowers, Surf. Sci. 361/362, 778 (1996).
11. L. Brusafarri, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, A. Bignazzi, F. Bogani, L. Carraresi, and M. Colocci, Appl. Phys. Lett. 69, 3354 (1996).
12. A. Polimeni, A. Patane, M. Henini, L. Eaves, and P. C. Main, Phys. Rev. B 59, 5064 (1998).
13. G. Wang, S. Fafard, D. Leonard, J. E. Bowers, J. L. Merz, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 64, 2815 (1994).
14. Y. T. Dai, J. C. Fan, Y. F. Chen, R. M. Lin, S. C. Lee, and H. H. Lin, J. Appl. Phys. 82, 4489 (1997).
15. D. Leonard, S. Fafard, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516 (1994).
16. K. Nishi, H. Satio, S. Sugou, and J.-S. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 111 (1999).
17. M. Sugawara, Semiconductor and Semimetals-Self-Assembled InGaAs/ GaAs Quantum Dots (Academic, New York, 1999), Vol. 60, Chap. 8.
18. S. Marcinkevicies and R. Leon, Phys. Rev. B 59, 4630 (1999).
19. R. Leon, Y. Kim, C. Jagadish, M. Gal, J. Zou, and D. J. H. Cokayne, Appl. Phys. Lett. 69, 1888 (1999).
20. S. Malik, C. Roberts, R. Murray, and M. Pate, Appl. Phys. Lett. 71, 1987 (1997).
21. Z. Lu, Ph.D. dissertation, 1998.
22. M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S. S. Rumimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Phys. Rev. Lett. 74, 4043 (1995).
23. S. Chaoshu, D. Jie, H. Zhengfu, X. Zhijian, and L. Jingying, Chin. Phys. Lett. 15, 455 (1998).
24. G. Ji, D. Huang, U. K. Reddy, T. S. Henderson, R. Houdre, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 62, 3366 (1987).
25. M. J. Joyce, M. J. Johnson, M. Gal, and B. F. Usher, Phys. Rev. B 38, 10978 (1988).
26. R. P. Schneider, Jr., R. P. Bryan, E. D. Jones, and J. A. Lott, Appl. Phys. Lett. 63, 1240 (1993).
27. C. Priester, G. Allan, and M. Lannoo, Phys. Rev. B 38, 9870 (1988).
28. W. J. Fan and J. B. Xia, Chin. J. Semicond. 13, 134 (1992).
29. M. Vening, D. J. Dunstan, and K. P. Homewood, Phys. Rev. B 48, 2412 (1993).
30. L. V. Dao, M. B. Johnston, M. Gal, L. Fu, H. H. Tan, and C. Jagadish, Appl. Phys. Lett. 73, 3408 (1998).