Junction properties of homoepitaxial diamond films grown by step-flow mode

Journal of Applied Physics

Volumn 84, Issue 11, 1998, Pages 6095-6099

  Yamanaka, S ^a,b   Watanabe, H ^a,b   Masai, S ^a,c   Kawata, S ^a,c   Hayashi, K ^a,d   Takeuchi, D ^a   Okushi, H ^a   Kajimura, K ^a,b  

^a ELECTROTECHNICAL LABORATORY   (Japan)

^b UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

^c TOKAI UNIVERSITY   (Japan)

^d KOBE STEEL LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001594808     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.368922     Document Type: Article

References (25)

1. A. Hokazono and H. Kawarada, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 7133 (1997).
2. B. A. Fox, M. L. Hartsell, D. M. Malta, H. A. Wynands, C.-T. Kao, L. S. Plano, G. J. Tessmer, R. B. Henard, J. S. Holmes, A. J. Tessmer, and D. L. Dreifus, Diamond Relat. Mater. 4, 622 (1996).
3. K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Okushi, and K. Kajimura, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 416, 217 (1996).
4. K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Okushi, and K. Kajimura, Appl. Phys. Lett. 68, 1220 (1996).
5. K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Watanabe, T. Sekiguchi, H. Okushi, and K. Kajimura, J. Cryst. Growth 183, 338 (1988).
6. K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Okushi, and K. Kajimura, Diamond Relat. Mater. 5, 1002 (1996).
7. D. Takeuchi, S. Yamanaka, H. Watanabe, S. Kawata, S. Masai, T. Sekiguchi, S. Sawada, H. Ichinose, and H. Okushi, Proceeding of the Second Symposium on Diamond Electronics Device, edited by A. Hiraki, T. Ito, T. Kobayashi, A. Hatta, S. Kono, M. Murakami, T. Sukegawa, T. Nishino, and C. Tatsuyama (Osaka University Press, Osaka, 1998), p. 47.
8. H. Watanabe, D. Takeuchi, S. Hara, T. Sekiguchi, H. Okushi, and K. Kajimura, Diamond Films Technol. 7, 277 (1997).
9. M. Kamo, H. Yurimoto, and Y. Sato, Appl. Surf. Sci. 33, 553 (1988).
10. H. Shiomi, K. Tanabe, Y. Nishibayashi, and N. Fujimori, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 29, 34 (1990).
11. L. F. Sutcu, C. J. Chu, M. S. Thompson, R. H. Hauge, J. L. Margrave, and M. P. D'Evelyn, J. Appl. Phys. 71, 5930 (1992).
12. H. Shiomi and Y. Kumazawa, Diamond Films Technol. 6, 95 (1996).
13. T. Tsuno, T. Tomikawa, S. Shikata, T. Imai, and N. Fujimori, Appl. Phys. Lett. 64, 572 (1994).
14. M. I. Landstrass and K. V. Ravi, Appl. Phys. Lett. 55, 1391 (1989).
15. S. A. Grot, G. S. Gildenblat, C. W. Hatfield, C. R. Wronski, A. R. Badzian, T. Badzian, and R. Messier, IEEE Electron Device Lett. 11, 100 (1990).
16. T. Maki, A. Shikama, M. Komori, Y. Sakaguchi, K. Sakuta, and T. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, L1446 (1992).
17. K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Okushi, and K. Kajimura, Appl. Phys. Lett. 68, 376 (1996).
18. S. Yamanaka, K. Hayashi, H. Okushi, and K. Kajimura, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 423, 353 (1996).
19. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), Chap. 5.
20. R. J. Graham, T. D. Moustakas, and M. M. Diako, J. Appl. Phys. 69, 3212 (1991).
21. M. Aoki and H. Kawarada, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L708 (1994).
22. H. Kiyota, E. Matsushima, K. Sato, H. Okushi, T. Ando, M. Kamo, Y. Sato, and M. Iida, Appl. Phys. Lett. 67, 3596 (1995).
23. K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Okushi, and K. Kajimura, J. Appl. Phys. 81, 744 (1997).
24. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-Semiconductor Contacts, 2nd ed. (Clarendon, Oxford, 1988), p. 89.
25. F. A. Padovani and R. Stratton, Solid-State Electron. 9, 695 (1966).