Strain relaxation of InxGa1-xAs during lateral oxidation of underlying alas layers

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 15, 1999, Pages 2253-2255

  Chavarkar, P ^a   Zhao, L ^a   Keller, S ^a   Fisher, A ^a   Zheng, C ^a   Speck, J S ^a   Mishra, U K ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001489793     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124981     Document Type: Article

References (16)

1. J. W. Eldredge, K. M. Matney, M. S. Goorsky, H. C. Chui, and J. S. Harris, Jr., J. Vac. Sci. Technol. B 13, 689 (1995).
2. M. T. Bulsara, V. Yang, A. Thilderkvist, E. A. Fitzgerald, K. Hausler, and K. Eberl, J. Appl. Phys. 83, 592 (1998).
3. A. Bosacchi, A. C. De Riccardis, P. Frigeri, S. Franch, C. Ferrari, S. Gennari, L. Lazzarini, L. Nasi, G. Salviati, A. V. Drigo, and F. Romanato, J. Cryst. Growth 175/176, 1009 (1997).
4. F. E. Ejeckam, Y. H. Lo, S. Subramanian, H. Q. Hou, and B. E. Hammons, Appl. Phys. Lett. 70, 1685 (1997).
5. K. Nakajima and T. Kusunoki, J. Cryst. Growth 169, 217 (1996).
6. R. J. Menna, R. U. Martinelli, D. Garbuzov, R. Paff, J. S. Vermaak, G. H. Olsen, and W. A. Bonner, Electron. Lett. 31, 188 (1995).
7. J. H. Seo and K. S. Seo, Appl. Phys. Lett. 72, 1466 (1998).
8. R. D. Twesten, D. M. Follstaedt, K. D. Choquette, and R. P. Schneider, Jr., Appl. Phys. Lett. 69, 19 (1996).
9. L. B. Freund, MRS Bull. July, 52 (1992).
10. V. T. Gillard, W. D. Nix, and L. B. Freund, J. Appl. Phys. 76, 7280 (1994).
11. H. Reese, Y. J. Chiu, and E. Hu, Appl. Phys. Lett. 73, 2624 (1998).
12. J. Y. Tsao, Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy (Academic, San Diego, 1993).
13. J. M. Dallesasse, N. Holonyak, Jr., A. R. Sugg, T. A. Richard, and N. El-Zein, Appl. Phys. Lett. 57, 2844 (1990).
14. J. Kui, W. A. Jesser, and S. H. Jones, J. Appl. Phys. 76, 7829 (1994).
15. G. P. Watson, D. G. Ast, T. J. Anderson, Y. Hayakawa, and B. Pathangey, J. Electron. Mater. 20, 703 (1991).
16. B. W. Dodson and J. Y. Tsao, Appl. Phys. Lett. 51, 1325 (1987).