Bi surfactant effects on ordering in GaInP grown by organometallic vapor-phase epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 19, 2000, Pages 2716-2718

  Jun, S W ^a   Fetzer, C M ^a   Lee, R T ^a   Shurtleff, J K ^a   Stringfellow, G B ^a  

^a University of Utah   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001414513     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126453     Document Type: Article

References (30)

1. G. B. Stringfellow, in Common Themes and Mechanisms of Epitaxial Growth, edited by P. Fuoss, J. Tsao, D. W. Kisker, A. Zangwill, and T. Kuech (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1993), pp. 35-46.
2. G. B. Stringfellow, in Thin Films: Heteroepitaxial Systems, edited by M. Santos and W. K. Liu (World Scientific, Singapore, 1998). p. 64.
3. S. B. Zhang, S. Froyen, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 67, 3141 (1995).
4. See A. Zunger and S. Mahajan, in Handbook on Semiconductors, edited by T. S. Moss (Elsevier Science, Amsterdam, 19941, p. 1399.
5. H. Muratu, I. H. Ho, Y. Hosokawa, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 68, 2237 (1996).
6. L. C. Su, I. J. H. Ho, N. Kobayashi, and G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 145, 140 (1994).
7. K. A. Bertness, S. R. Kurtz, D. J. Friedman, A. E. Kibbler, C. Kramer, and J. M. Olson, Appl. Phys. Lett. 65, 989 (1994); T. Takamoto, E. Ileda, H. Kurita, and M. Ohmori, ibid. 70, 381 (1997).
8. K. A. Bertness, S. R. Kurtz, D. J. Friedman, A. E. Kibbler, C. Kramer, and J. M. Olson, Appl. Phys. Lett. 65, 989 (1994); T. Takamoto, E. Ileda, H. Kurita, and M. Ohmori, ibid. 70, 381 (1997).
9. G. B. Stringfellow, in High Brightness Light Emitting Diodes, edited by G. B. Stringfellow and M. G. Craford (Academic, Boston, MA. 1997).
10. Y. Ueno, H. Fujii, K. Kobayashi, K. Endo, A. Gomyo, K. Hara, S. Kwawata, T. Yuasa, and T. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 29, L1666 (1990); K. Itaya, M. Ishikawa, G. Hatakoshi, and U. Uematsu, IEEE J. Quantum Electron. 27, 1496 (1991).
11. Y. Ueno, H. Fujii, K. Kobayashi, K. Endo, A. Gomyo, K. Hara, S. Kwawata, T. Yuasa, and T. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 29, L1666 (1990); K. Itaya, M. Ishikawa, G. Hatakoshi, and U. Uematsu, IEEE J. Quantum Electron. 27, 1496 (1991).
12. P. G. de Gennes, Rev. Mod. Phys. 57, 827 (1985).
13. M. Copel, M. C. Reuter, E. Kaxiras, and R. M. Tromp. Phys. Rev. Lett. 63, 632 (1989).
14. E. Tournie and K. H. Ploog, Thin Solid Films 231, 43 (1993); D. Reinking, M. Kammier, M. Horn-von Hoeger, and K. R. Hofmann, Appl. Phys. Lett. 71, 924 (1997).
15. E. Tournie and K. H. Ploog, Thin Solid Films 231, 43 (1993); D. Reinking, M. Kammier, M. Horn-von Hoeger, and K. R. Hofmann, Appl. Phys. Lett. 71, 924 (1997).
16. J. Massies, N. Grandjean, and V. H. Etgens, Appl. Phys. Lett. 61, 99 (1992); J. E. Cunningham, K. W. Goossen, W. Jan, and M. D. Williams, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 646 (1994).
17. J. Massies, N. Grandjean, and V. H. Etgens, Appl. Phys. Lett. 61, 99 (1992); J. E. Cunningham, K. W. Goossen, W. Jan, and M. D. Williams, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 646 (1994).
18. B. R. A. Neves, M. S. Andrade, W. N. Rodrigues, G. A. M. Sáfar, M. V. B. Moreira, and A. G. de Oliveira, Appl. Phys. Lett. 72, 1712 (1998).
19. F. K. LeGoues, V. P. Kesan, S. S. Iyer, J. Tersoff, and R. Tromp. Phys. Rev. Lett. 64, 2038 (1990).
20. K. Sakamoto, H. Matsuhata, K. Kyoya, K. Miki, and T. Sakamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2307 (1994).
21. K. Miki, J. H. G. Owen, D. R. Bowler, G. A. D. Briggs, and K. Sakamoto, Surf. Sci. 421, 397 (1999).
22. R. Klockenbrink, Y. Kim, M. S. H. Leung, C. Kisielowski, J. Kruger, G. S. Sudhir, M. Rubin, and E. R. Weber, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 75 (1997).
23. J. K. Shurtleff, R. T. Lee, C. M. Fetzer, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 75, 1914 (1999).
24. S. H. Lee, C. M. Fetzer, and G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 195, 13 (1998).
25. S. H. Lee, C. M. Fetzer, G. B. Stringfellow, D. H. Lee, and T.-Y. Seong, J. Appl. Phys. 85, 3590 (1999).
26. S. H. Lee, T. C. Hsu, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 84, 2618 (1998).
27. P. Earnst, C. Geng, F. Sholtz, H. Schwerer, Y. Zhang, and A. Macarenhas, Appl. Phys. Lett. 67, 2347 (1994); H. Murata, I. H. Ho, L. C. Su, Y. Hosokawa, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 79, 6895 (1996).
28. P. Earnst, C. Geng, F. Sholtz, H. Schwerer, Y. Zhang, and A. Macarenhas, Appl. Phys. Lett. 67, 2347 (1994); H. Murata, I. H. Ho, L. C. Su, Y. Hosokawa, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 79, 6895 (1996).
29. R. T. Lee, J. K. Shurleff, C. M. Fetzer, G. B. Stringfellow, S. Lee, and T.-Y. Seong, J. Appl. Phys. 87, 3730 (2000).
30. S. W. Jun, R. T. Lee, J. K. Shurtleff, C. M. Fetzer, and G. B. Stringfellow (unpublished results).