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Volumn 266-269 A, Issue , 2000, Pages 380-384

High hole drift mobility in a-Si:H deposited at high growth rates for solar cell application

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EID: 0001288746     PISSN: 00223093     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/s0022-3093(99)00735-8     Document Type: Article
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References (17)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.