Ion-beam synthesis and stability of GaAs nanocrystals in silicon

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 17, 1996, Pages 2389-2391

  White, C W ^a   Budai, J D ^a   Zhu, J G ^a   Withrow, S P ^a   Aziz, M J ^b  

^a OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^b HARVARD UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000220651     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116143     Document Type: Article

References (23)

1. A. E. White, K. T. Short, R. C. Dynes, J. P. Garno, and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. AIP 50, 95 (1987).
2. S. Mantl, Mater. Sci. Rep. 8, 1 (1992).
3. Z. Tan, F. Namavar, S. M. Heald, and J. I. Budnick, Appl. Phys. Lett. AIP 63, 791 (1993).
4. K. I. Zumi, M. Doken, and H. Arigoshi, Electron. Lett. INS 14, 593 (1978).
5. K. Das, J. B. Butcher, M. C. Wilson, G. R. Booker, D. W. Wellby, P. L. F. Hemment, and K. V. Anand, Inst. Phys. Conf. Ser. 60, 307 (1981).
6. K. J. Reeson, Nucl. Instrum. Methods B INS 19/20, 269 (1987).
7. K. G. Stevens, K. J. Reeson, B. J. Sealy, R. M. Gwilliam, and P. L. F. Hemment, Nucl. Instrum. Methods B INS 50, 368 (1990).
8. P. L. F. Hemment, SPIE Proceedings 530, 230 (1985).
9. H. H. Hosack, T. W. Houston, and G. P. Pollack, Solid State Technol. INS 12, 61 (1990).
10. G. Zimmer and H. Vogt, IEEE Trans. Electron Devices INS ED-30, 1515 (1983).
11. J. A. Borders, S. T. Picraux, and W. Beezhold, Appl. Phys. Lett. AIP 18, 509 (1971).
12. L. Kroko, I. Golecki, and H. L. Glass, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 45, 323 (1985).
13. See numerous papers and references contained in Heteroepitaxy on Silicon, edited by J. C. C. Fan and J. M. Poate, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 67 (1986).
14. T. E. Haynes, R. A. Zuhr, S. J. Pennycook, and B. R. Appleton, Appl. Phys. Lett. AIP 54, 1439 (1989).
15. S. P. Withrow, O. W. Holland, S. J. Pennycook, J. Pankove, and A. Mascarenhas, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 157, 143 (1990).
16. C. W. White, J. D. Budai, J. G. Zhu, S. P. Withrow, R. A. Zuhr, D. M. Hembree, D. O. Henderson, A. Ueda, Y. S. Tung, R. Mu, and R. H. Magruder, J. Appl. Phys. 79, 1876 (1996); C. W. White, J. D. Budai, J. G. Zhu, S. P. Withrow, R. A. Zuhr, Y. Chen, D. M. Hembree, R. H. Magruder, and D. O. Henderson, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 358, 169 (1995).
17. D. S. Zhou, O. W. Holland, and J. D. Budai, Appl. Phys. Lett. 63, 3580 (1993); O. W. Holland, L. Xie, B. Nielsen, and D. S. Zhou, J. Electron Mater. 25, 99 (1996).
18. J. Y. Tsao, Materials Fundamentals on Molecular Beam Epitaxy (Academic, Boston, 1993), pp. 20,21, 67-71.
19. R. W. Olesinski, N. Kanani, and G. J. Abbaschian, Bull. Alloy Phase Diagrams 6, 362 (1985).
20. R. W. Olesinski and G. J. Abbaschian, Bull. Alloy Phase Diagrams 8, 254 (1985).
21. F. A. Trumbore, Bell Syst. Tech. J. INS 39, 205 (1960).
22. J. S. Sandhu and J. L. Reuter, IBM J. Res. Dev. INS 15, 464 (1971).
23. H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. INS 32, 3892 (1993).