Improved drive voltages of organic electroluminescent devices with an efficient p-type aromatic diamine hole-injection layer

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 25, 2000, Pages 4211-4213

  Ganzorig, Chimed ^a   Fujihira, Masamichi ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000066723     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1331640     Document Type: Article

References (28)

1. C. W. Tang and S. A. Van Slyke, Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987).
2. R. H. Friend, R. W. Gymer, A. B. Holmes, J. H. Burroughes, R. N. Marks, C. Taliani, D. D. C. Bradley, D. A. Dos Santos, J. L. Bredas, M. Lögdlund, and W. R. Salaneck, Nature (London) 397, 121 (1999).
3. C. Ganzorig and M. Fujihira, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L1348 (1999).
4. L. S. Hung, C. W. Tang, and M. G. Mason, Appl. Phys. Lett. 70, 152 (1997).
5. J. Kido and T. Matsumoto, Appl. Phys. Lett. 73, 2866 (1998).
6. Q. T. Le, L. Yan, Y. Gao, M. G. Mason, D. J. Giesen, and C. W. Tang, J. Appl. Phys. 87, 375 (2000).
7. Y. Park, V. Choong, Y. Gao, B. R. Hsieh, and C. W. Tang, Appl. Phys. Lett. 68, 2699 (1996).
8. J. S. Kim, M. Granström, R. H. Friend, N. Johansson, W. R. Salaneck, R. Daik, W. J. Feast, and F. Cacialli, J. Appl. Phys. 84, 6859 (1998).
9. C. C. Wu, C. I. Wu, J. C. Sturm, and A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 70, 1348 (1997).
10. T. Osada, Th. Kugler, P. Broms, and W. R. Salaneck, Synth. Met. 96, 77 (1998).
11. M. G. Mason, L. S, Hung, C. W. Tang, S. T. Lee, K. W. Wong, and M. Wang, J. Appl. Phys. 86, 1688 (1999).
12. F. Nüesch, F. Rotzinger, L. Si-Ahmed, and L. Zuppiroli, Chem. Phys. Lett. 288, 861 (1998).
13. F. Nüesch, E. W. Forsythe, Q. T. Le, Y. Gao, and L. J. Rothberg, J. Appl. Phys. 87, 7973 (2000).
14. H. Fujikawa, S. Tokito, and Y. Taga, Synth. Met. 91, 161 (1997).
15. D. F. O'Brien, P. E. Burrows, S. R. Forrest, B. E. Koene, D. E. Loy, and M. E. Thompson, Adv. Mater. 10. 1108 (1998).
16. S. A. Van Slyke, C. H. Chen, and C. W. Tang, Appl. Phys. Lett. 69, 2160 (1996).
17. Y. Shirota, Y. Kuwabara, and H. Inada, Appl. Phys. Lett. 65, 807 (1994).
18. Y. Yang and A. J. Heeger, Appl. Phys. Lett. 64, 1245 (1994).
19. S. A. Carter, M. Angelopoulos, S. Karg, P. J. Brock, and J. C. Scott, Appl. Phys. Lett. 70, 2067 (1997).
20. Z. B. Deng, X. M. Ding, S. T. Lee, and W. A. Gambling, Appl. Phys. Lett. 74, 2227 (1999).
21. D. B. Romero, M. Schaer, L. Zuppiroli, B. Cesar, and B. Francois, Appl. Phys. Lett. 67, 1659 (1995).
22. F. Huang, A. G. MacDiamid, and B. R. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 71, 2415 (1997).
23. J. Blochwitz, M. Pfeiffer, T. Fritz, and K. Leo, Appl. Phys. Lett. 73, 729 (1998).
24. A. Yamamori, C. Adachi, T. Koyama, and Y. Taniguchi, Appl. Phys. Lett. 72, 2147 (1998).
25. Th. Kugler, W. R. Salaneck, H. Rost, and A. B. Holmes, Chem. Phys. Lett. 310, 391 (1999).
26. D. Dobos, Electrochemical Data (Elsevier, Amsterdam, 1975).
27. J. C. deMello, N. Tessler, S. C. Graham, and R. H. Friend, Phys. Rev. B 57, 12951 (1998).
28. A. S. Grove, Physics and Technology of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1967).