Revealing the preferred interlayer orientations and stackings of two-dimensional bilayer gallium selenide crystals

Angewandte Chemie - International Edition

Volumn 54, Issue 9, 2015, Pages 2712-2717

  Li, Xufan ^a   Basile, Leonardo ^a,b   Yoon, Mina ^a   Ma, Cheng ^a   Puretzky, Alexander A ^a   Lee, Jaekwang ^a   Idrobo, Juan C ^a   Chi, Miaofang ^a   Rouleau, Christopher M ^a   Geohegan, David B ^a   Xiao, Kai ^a  

^a OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^b ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL   (Ecuador)

Author keywords

Gallium selenide; Interlayer orientation; Monolayers; Stacking; Vapor phase deposition

Indexed keywords

CRYSTAL STRUCTURE; CRYSTALS; DEPOSITION; GALLIUM; MONOLAYERS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; VAN DER WAALS FORCES;

GALLIUM SELENIDES; OPTOELECTRONIC PROPERTIES; PREFERRED ORIENTATIONS; SCANNING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; STACKING; STACKING CONFIGURATIONS; TWO DIMENSIONAL (2 D); VAPOR PHASE DEPOSITION;

CRYSTAL ATOMIC STRUCTURE;

EID: 85027930181     PISSN: 14337851     EISSN: 15213773     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/anie.201409743     Document Type: Article

References (32)

1. a) M. Chhowalla, H. S. Shin, G. Eda, L.-J. Li, K. P. Loh, H. Zhang, Nat. Chem. 2013, 5, 263;
2. b) V. Nicolosi, M. Chhowalla, M. G. Kanatzidis, M. S. Strano, J. N. Coleman, Science 2013, 340, 1226419.
3. a) K. F. Mak, K. L. McGill, J. Park, P. L. McEuen, Science 2014, 344, 1489;
4. b) Y. B. Zhang, T.-T. Tang, C. Girit, Z. Hao, M. C. Martin, A. Zettl, M. F. Crommie, Y. R. Shen, F. Wang, Nature 2009, 459, 820;
5. c) S. F. Wu, J. S. Ross, G.-B. Liu, G. Aivazian, A. Jones, Z. Y. Fei, W. G. Zhu, D. Xiao, W. Yao, D. Cobden, X. D. Xu, Nat. Phys. 2013, 9, 149.
6. a) A. Luican, G. H. Li, A. Reina, J. Kong, R. R. Nair, K. S. Novoselov, A. K. Geim, E. Y. Andrei, Phys. Rev. Lett. 2011, 106, 126802;
7. b) Z. Yan, Y. Y. Liu, L. Ju, Z.W. Peng, J. Lin, G. Wang, H. Q. Zhou, C. S. Xiang, E. L. G. Samuel, C. Kittrell, V. I. Artyukhov, F. Wang, B. I. Yakobson, J. M. Tour, Angew. Chem. Int. Ed. 2014, 53, 1565;
8. Angew. Chem. 2014, 126, 1591.
9. a) A. H. MacDonald, R. Bistritzer, Nature 2011, 474, 453;
10. b) S. Shallcross, S. Sharma, E. Kandelaki, O. A. Pankratov, Phys. Rev. B 2010, 81, 165105.
11. A. M. Jones, H. J. Yu, J. S. Ross, P. Klement, N. J. Ghimire, J. Q. Yan, D. G. Mandrus, W. Yao, X. D. Xu, Nat. Phys. 2014, 10, 130.
12. a) L. Leontie, I. Evtodiev, V. Nedeff, M. Stamate, M. Caraman, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 071903;
13. )W. Shi, Y. J. Ding, N. Fernelius, K. Vodopyanov, Opt. Lett. 2002, 27, 1454;
14. c) K. R. Allakhverdiev, M. Ö. Yetis, T. K. Baykara, E. Y. Salaev, Laser Phys. 2009, 19, 1092.
15. A. Kuhn, A. Chevy, R. Chevalier, Phys. Status Solidi A 1975, 31, 469.
16. L. Plucinski, R. L. Johnson, B. J. Kowalski, K. Kopalko, B. A. Orlowski, Z. D. Kovalyuk, G. V. Lashkarev, Phys. Rev. B 2003, 68, 125304.
17. a) X. F. Li, M.-W. Lin, A. A. Puretzky, J. C. Idrobo, C. Ma, M. F. Chi, M. Yoon, C. M. Rouleau, I. I. Kravchenko, D. B. Geohegan, K. Xiao, Sci. Rep. 2014, 4, 5497;
18. b) S. D. Lei, L. H. Ge, Z. Liu, S. Najmaei, G. Shi, G. You, J. Lou, R. Vajtai, P. M. Ajayan, Nano Lett. 2013, 13, 2777;
19. c) M. Mahjouri-Samani, R. Gresback, M. K. Tian, K. Wang, A. A. Puretzky, C. M. Rouleau, G. Eres, I. N. Ivanov, K. Xiao, M. A. McGuire, G. Duscher, D. B. Geohegan, Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 6356;
20. d) Y. B. Zhou, Y. F. Nie, Y. J. Liu, K. Yan, J. H. Hong, C. H. Jin, Y. Zhou, J. B. Yin, Z. F. Liu, H. L. Peng, ACS Nano 2014, 8, 1485.
21. C. Li, L. Huang, G. P. Snigdha, Y. F. Yu, L. Y. Cao, ACS Nano 2012, 6, 8868.
22. a) E. J. Mele, Phys. Rev. B 2010, 81, 161405;
23. b) C. R. Woods, L. Britnell, A. Eckmann, R. S. Ma, J. C. Lu, H. M. Guo, X. Lin, G. L. Yu, Y. Cao, R. V. Gorbachev, A. V. Kretinin, J. Park, L. A. Ponomarenko, M. I. Katsnelson, Y. N. Gornostyrev, K. Watanabe, T. Taniguchi, C. Casiraghi, H.-J. Gao, A. K. Geim, K. S. Novoselov, Nat. Phys. 2014, 10, 451.
24. a) R. Suzuki, M. Sakano, Y. J. Zhang, R. Akashi, D. Morikawa, A. Harasawa, K. Yaji, K. Kuroda, K. Miyamoto, T. Okuda, K. Ishizaka, R. Arita, Y. Iwasa, Nat. Nanotechnol. 2014, 9, 611;
25. b) B. Zhu, H. L. Zeng, J. F. Dai, Z. R. Gong, X. D. Cui, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2014, 111, 11606.
26. a) K. Kusakabe, M. Maruyama, Phys. Rev. B 2003, 67, 092406;
27. b) X. B. Yin, Z. L. Ye, D. A. Chenet, Y. Ye, K. O'Brien, J. C. Hone, X. Zhang, Science 2014, 344, 488;
28. c) H. R. Gutiérrez, N. Perea-Löpez, A. L. Elías, A. Berkdemir, B. Wang, R. Lv, F. López-Urías, V. H. Crespi, H. Terrones, M. Terrones, Nano Lett. 2013, 13, 3447;
29. d) H. I. Karunadasa, E. Montalvo, Y. J. Sun, M. Majda, J. R. Long, C. J. Chang, Science 2012, 335, 698.
30. M. Yankowitz, J. M. Xue, D. Cormode, J. D. Sanchez-Yamagishi, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Jarillo-Herrero, P. Jacquod, B. J. LeRoy, Nat. Phys. 2012, 8, 382.
31. a) C. R. Dean, L. Wang, P. Maher, C. Forsythe, F. Ghahari, Y. Gao, J. Katoch, M. Ishigami, P. Moon, M. Koshino, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. L. Shepard, J. Hone, P. Kim, Nature 2013, 497, 598;
32. b) L. A. Ponomarenko, R. V. Gorbachev, G. L. Yu, D. C. Elias, R. Jalil, A. A. Patel, A. Mishchenko, A. S. Mayorov, C. R. Woods, J. R. Wallbank, M. Mucha-Kruczynski, B. A. Piot, M. Potemski, I. V. Grigorieva, K. S. Novoselov, F. Guinea, V. I. Fal'ko, A. K. Geim, Nature 2013, 497, 594.