Pt/Ta2O5/HfO2-x/Ti Resistive Switching Memory Competing with Multilevel NAND Flash

Advanced Materials

Volumn 27, Issue 25, 2015, Pages 3811-3816

  Yoon, Jung Ho ^a   Kim, Kyung Min ^b   Song, Seul Ji ^a   Seok, Jun Yeong ^a   Yoon, Kyung Jean ^a   Kwon, Dae Eun ^a   Park, Tae Hyung ^a   Kwon, Young Jae ^a   Shao, Xinglong ^a   Hwang, Cheol Seong ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b HEWLETT PACKARD LABORATORIES   (United States)

Author keywords

electroforming free; multilevel switching; resistive switching memory; self rectifying; uniformity

Indexed keywords

ELECTROCHEMISTRY; ELECTROFORMING; ELECTROMETALLURGY; MEMORY ARCHITECTURE; PLATINUM; SWITCHING; SWITCHING SYSTEMS;

ELECTRONIC SWITCHING; LOW VOLTAGE OPERATION; LOW-POWER CONSUMPTION; MULTILEVEL CELL NAND; RESISTIVE SWITCHING MEMORY; SELF-RECTIFYING; UNIFORMITY; WIRE RESISTANCE;

FLASH MEMORY;

EID: 85027918938     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201501167     Document Type: Article

References (23)

1. P. Ranganathan, Computer 2011, 44, 39.
2. A. Beck, J. G. Bednorz, C. Gerber, C. Rossel, D. Widmer, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 139.
3. J. Borghetti, G. S. Snider, P. J. kuekes, J. J. Yang, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nature 2010, 464, 873.
4. J. J. Yang, D. B. Strukov, D. R. Stewart, Nat. Nanotechnol. 2013, 8, 13.
5. E. Linn, R. Rosezin, C. Kügeler, R. Waser, Nat. Mater. 2010, 9, 403.
6. S. H. Jo, T. Chang, I. Ebong, B. B. Bhadviya, P. Mazumder, W. Lu, Nano Lett. 2010, 10, 1297.
7. J. Y. Seok, S. J. Song, J. H. Yoon, K. J. Yoon, T. H. Park, D. E. Kwon, H. Lim, G. H. Kim, D. S. Jeong, C. S. Hwang, Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 5316.
8. G. H. Kim, K. M. Kim, J. Y. Seok, H. J. Lee, D. Y. Cho, J. H. Han, C. S. Hwang, Nanotechnology 2010, 21, 385202.
9. S. Kim, J. Baek, D. Seo, J. Park, J. Chun, K. Kwon, Jpn. J. Appl. Phys. 2014, 53, 04ED15.
10. K. Suh, B. Suh, Y. Lim, J. Kim, Y. Choi, Y. Koh, S. Lee, S. Kwon, B. Choi, J. Yum, J. Choi, J. Kim, H. Lim, IEEE J. Solid-State Circuits 1995, 30, 1149.
11. B. Govoreanu, G. S. Kar, Y. Chen, V. Paraschiv, S. Kubicek, A. Fantini, I. P. Radu, L. Goux, S. Clima, R. Degraeve, N. Jossart, O. Richard, T. Vandeweyer, K. Seo, P. Hendrickx, G. Pourtois, H. Bender, L. Altimime, D. J. Wouters, J. A. Kittle, M. Jurczak, Int. Electron. Devices Meet., Tech. Dig. 2011, 729.
12. P. Gonon, M. Mougenot, C. Vallée, C. Jorel, V. Jousseaume, H. Grampeix, F. El Kamel, J. Appl. Phys. 2010, 107, 074507.
13. M. J. Lee, C. B. Lee, D. Lee, S. R. Lee, M. Chang, J. H. Hur, Y. Kim, C. Kim, D. H. Seo, S. Seo, U. Chung, I. Yoo, K. Kim, Nat. Mater. 2011, 10, 625.
14. J. H. Hur, M. Lee, C. B. Lee, Y. Kim, C. Kim, Phys. Rev. B 2010, 82, 155321.
15. J. J. Yang, M.-X. Zhang, J. P. Strachan, F. Miao, M. D. Pickett, R. D. Kelley, G. Medeiros-Ribeiro, R. S. Williams, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 232102.
16. J. H. Yoon, S. J. Song, I. Yoo, J. Y. Seok, K. J. Yoon, D. E. Kwon, T. H. Park, C. S. Hwang, Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 5086.
17. J. B. Johnson, Phys. Rev. 1928, 32, 97.
18. H. Nyquist, Phys. Rev. 1928, 32, 110.
19. K. M. Kim, B. J. Choi, M. H. Lee, G. H. Kim, S. J. Song, J. Y. Seok, J. H. Yoon, S. Han, C. S. Hwang, Nanotechnology 2011, 22, 254010.
20. C. Lee, S. Hur, Y. Shin, J. Choi, D. Park, K. Kim, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 152908.
21. T. Chen, K. Wu, H. Chung, C. Kao, IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 205.
22. S. J. Song, K. M. Kim, G. H. Kim, M. H. Lee, J. Y. Seok, R. Jung, C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 112904.
23. G. H. Kim, J. H. Lee, Y. Ahn, W. Jeon, S. J. Song, J. Y. Seok, J. H. Yoon, K. J. Yoon, T. J. Park, C. S. Hwang, Adv. Funct. Mater. 2012, 23, 1440.