메뉴 건너뛰기




Volumn 7, Issue 3, 2015, Pages 475-478

A novel pH sensor using extended-gate field-effect transistors with Ga2O3 nanowires fabricated on SiO2/Si template

Author keywords

EGFET; Nanowire; pH sensor; Ga2O3

Indexed keywords


EID: 84922021686     PISSN: 19472935     EISSN: 19472943     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/sam.2015.1992     Document Type: Article
Times cited : (9)

References (28)
  • 25
    • 84922036614 scopus 로고
    • Ph.D. Thesis, Enschede
    • L. Bousse, Ph.D. Thesis, Enschede (1982).
    • (1982)
    • Bousse, L.1


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.