Selective remanent ambipolar charge transport in polymeric field-effect transistors for high-performance logic circuits fabricated in ambient

Advanced Materials

Volumn 26, Issue 44, 2014, Pages 7438-7443

  Fabiano, Simone ^a   Usta, Hakan ^b,c   Forchheimer, Robert ^b   Crispin, Xavier ^a   Facchetti, Antonio ^a   Berggren, Magnus ^a  

^a LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

^b POLYERA CORPORATION   (United States)

^c ABDULLAH GUL UNIVERSITY   (Turkey)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; FABRICATION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; FLEXIBLE DISPLAYS; LOW POWER ELECTRONICS; METALS; MOS DEVICES; OXIDE SEMICONDUCTORS; POLYMERS; RADIO FREQUENCY IDENTIFICATION (RFID); RECONFIGURABLE HARDWARE; TIMING CIRCUITS;

AMBIPOLAR CHARGE TRANSPORTS; COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTORS; HIGH-PERFORMANCE LOGIC; MECHANICAL FLEXIBILITY; OPTOELECTRONIC PROPERTIES; POLYMERIC FIELD EFFECT TRANSISTORS; RADIO-FREQUENCY-IDENTIFICATION TAGS (RFID); RECONFIGURABLE CIRCUITS;

LOGIC CIRCUITS;

EID: 84918770263     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201403070     Document Type: Article

References (42)

1. a) A. Facchetti, Chem. Mater. 2011, 23, 733
2. b) I. McCulloch, R. S. Ashraf, L. Biniek, H. Bronstein, C. Combe, J. E. Donaghey, D. I. James, C. B. Nielsen, B. C. Schroeder, W. M. Zhang, Acc. Chem. Res. 2012, 45, 714
3. c) A. C. Grimsdale, K. L. Chan, R. E. Martin, P. G. Jokisz, A. B. Holmes, Chem. Rev. 2009, 109, 897
4. d) S. Z. Bisri, C. Piliego, J. Gao, M. A. Loi, Adv. Mater. 2014, 26, 1176.
5. a) G. H. Gelinck, H. E. A. Huitema, E. v. Veenendaal, E. Cantatore, L. Schrijnemakers, J. B. P. H. v. d. Putten, T. C. T. Geuns, M. Beenhakkers, J. B. Giesbers, B.-H. Huisman, E. J. Meijer, E. M. Benito, F. J. Touwslager, A. W. Marsman, B. J. E. v. Rens, D. M. d. Leeuw, Nature Mater. 2004, 3, 106
6. b) A. C. Arias, J. D. MacKenzie, I. McCulloch, J. Rivnay, A. Salleo, Chem. Rev. 2010, 110, 3.
7. a) H. Yan, Z. Chen, Y. Zheng, C. Newman, J. R. Quinn, F. Dötz, M. Kastler, A. Facchetti, Nature 2009, 457, 679
8. b) I. McCulloch, M. Heeney, C. Bailey, K. Genevicius, I. MacDonald, M. Shkunov, D. Sparrowe, S. Tierney, R. Wagner, W. Zhang, M. L. Chabinyc, R. J. Kline, M. D. McGehee, M. F. Toney, Nat. Mater. 2006, 5, 328
9. c) N. D. Treat, J. A. Nekuda Malik, O. Reid, L. Yu, C. G. Shuttle, G. Rumbles, C. J. Hawker, M. L. Chabinyc, P. Smith, N. Stingelin, Nat. Mater. 2013, 12, 628.
10. M. A. Loi, C. Rost-Bietsch, M. Murgia, S. Karg, W. Riess, M. Muccini, Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 41.
11. S. Fabiano, S. Himmelberger, M. Drees, Z. Chen, R. M. Altamimi, A. Salleo, M. A. Loi, A. Facchetti, Adv. Energy Mater. 2014, 4, 1301409.
12. A. J. Kronemeijer, E. Gili, M. Shahid, J. Rivnay, A. Salleo, M. Heeney, H. Sirringhaus, Adv. Mater. 2012, 24, 1558.
13. a) H. Usta, C. Risko, Z. Wang, H. Huang, M. K. Deliomeroglu, A. Zhukhovitskiy, A. Facchetti, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 5586
14. b) M. Irimia-Vladu, E. D. Glowacki, P. A. Troshin, G. Schwabegger, L. Leonat, D. K. Susarova, O. Krystal, M. Ullah, Y. Kanbur, M. A. Bodea, V. F. Razumov, H. Sitter, S. Bauer, N. S. Sariciftci, Adv. Mater. 2012, 24, 375.
15. H. Usta, C. Newman, Z. H. Chen, A. Facchetti, Adv. Mater. 2012, 24, 3678.
16. a) P. Sonar, S. P. Singh, Y. Li, M. S. Soh, A. Dodabalapur, Adv. Mater. 2010, 22, 5409
17. b) Z. Y. Chen, M. J. Lee, R. S. Ashraf, Y. Gu, S. Albert-Seifried, M. M. Nielsen, B. Schroeder, T. D. Anthopoulos, M. Heeney, I. McCulloch, H. Sirringhaus, Adv. Mater. 2012, 24, 647.
18. H. Usta, A. Facchetti, T. J. Marks, Acc. Chem. Res. 2011, 44, 501.
19. K. J. Baeg, M. Caironi, Y. Y. Noh, Adv. Mater. 2013, 25, 4210.
20. a) F. Dinelli, R. Capelli, M. A. Loi, M. Murgia, M. Muccini, A. Facchetti, T. J. Marks, Adv. Mater. 2006, 18, 1416
21. b) K. Szendrei, D. Jarzab, Z. Chen, A. Facchetti, M. A. Loi, J. Mater. Chem. 2010, 20, 1317.
22. Y. Zhao, Y. Guo, Y. Liu, Adv. Mater. 2013, 25, 5372.
23. K. J. Baeg, J. Kim, D. Khim, M. Caironi, D. Y. Kim, I. K. You, J. R. Quinn, A. Facchetti, Y. Y. Noh, ACS Appl. Mater. Interfaces 2011, 3, 3205.
24. D. Y. Khim, H. Han, K. J. Baeg, J. W. Kim, S. W. Kwak, D. Y. Kim, Y. Y. Noh, Adv. Mater. 2013, 25, 4302.
25. K. J. Baeg, D. Khim, S. W. Jung, M. Kang, I. K. You, D. Y. Kim, A. Facchetti, Y. Y. Noh, Adv. Mater. 2012, 24, 5433.
26. S. Horiuchi, Y. Tokura, Nat. Mater. 2008, 7, 357.
27. a) R. C. G. Naber, K. Asadi, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, B. de Boer, Adv. Mater. 2010, 22
28. b) J. C. Scott, L. D. Bozano, Adv. Mater. 2007, 19, 1452.
29. R. C. G. Naber, C. Tanase, P. W. M. Blom, G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh, D. M. De Leeuw, Nat. Mater. 2005, 4, 243.
30. S. Fabiano, X. Crispin, M. Berggren, ACS Appl. Mater. Interfaces 2014, 6, 438.
31. D. Mao, M. A. Quevedo-Lopez, H. Stiegler, B. E. Gnade, H. N. Alshareef, Organic Electronics 2010, 11, 925.
32. T. Lei, J. H. Dou, X. Y. Cao, J. Y. Wang, J. Pei, Adv. Mater. 2013, 25, 6589.
33. R. C. G. Naber, P. W. M. Blom, G. H. Gelinck, A. W. Marsman, D. M. de Leeuw, Adv. Mater. 2005, 17.
34. T. N. Ng, B. Russo, A. C. Arias, J. Appl. Phys. 2009, 106, 5.
35. T. Takahashi, M. Date, E. Fukada, Appl. Phys. Lett. 1980, 37, 791.
36. R. C. G. Naber, J. Massolt, M. Spijkman, K. Asadi, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 2007, 90.
37. A. Risteska, K. Y. Chan, T. D. Anthopoulos, A. Gordijn, H. Stiebig, M. Nakamura, D. Knipp, Org. Electron. 2012, 13, 2816.
38. G. Gelinck, P. Heremans, K. Nomoto, T. D. Anthopoulos, Adv. Mater. 2010, 22, 3778.
39. P. H. Wobkenberg, D. D. C. Bradley, D. Kronholm, J. C. Hummelen, D. M. de Leeuw, M. Colle, T. D. Anthopoulos, Synth. Metals 2008, 158, 468.
40. a) S. Das, J. Appenzeller, Nano Lett. 2011, 11, 4003
41. b) T. N. Ng, B. Russo, B. Krusor, R. Kist, A. C. Arias, Organic Electronics 2011, 12, 2012
42. c) T. N. Ng, D. E. Schwartz, L. L. Lavery, G. L. Whiting, B. Russo, B. Krusor, J. Veres, P. Broms, L. Herlogsson, N. Alam, O. Hagel, J. Nilsson, C. Karlsson, Scientific Reports 2012, 2, 585.