Transport properties of polymer semiconductor controlled by ionic liquid as a gate dielectric and a pressure medium

Advanced Functional Materials

Volumn 24, Issue 14, 2014, Pages 2005-2012

  Shi, Wu ^a   Ye, Jianting ^a   Checkelsky, Joseph G ^a   Terakura, Chieko ^b   Iwasa, Yoshihiro ^a,b  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^b RIKEN Center for Emergent Matter Science   (Japan)

Author keywords

conjugated polymers; gate dielectric; ionic liquid; pressure; transport properties

Indexed keywords

CONJUGATED POLYMERS; ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; GATE DIELECTRICS; METAL INSULATOR TRANSITION; POLYMER FILMS; PRESSURE; SEMICONDUCTING FILMS; THIOPHENE; TRANSPORT PROPERTIES;

CHARGED STATE; DEGREE OF FREEDOM; HIGH CONDUCTIVITY; POLYMER SEMICONDUCTORS; PRESSURE MEDIUM; TRANSITION REGIONS;

IONIC LIQUIDS;

EID: 84897987763     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201302954     Document Type: Article

References (41)

1. C. K. Chiang, C. R. Fincher, Y. W. Park, A. J. Heeger, H. Shirakawa, E. J. Louis, S. C. Gau, A. G. MacDiarmid, Phys. Rev. Lett. 1977, 39, 1098.
2. L. Zuppiroli, M. Bussac, S. Paschen, O. Chauvet, L. Forro, Phys. Rev. B 1994, 50, 5196.
3. C. O. Yoon, M. Reghu, D. Moses, A. J. Heeger, Y. Cao, T.-A. Chen, X. Wu, R. D. Rieke, Synth. Met. 1995, 75, 229.
4. Z. Wang, C. Li, E. Scherr, A. MacDiarmid, A. Epstein, Phys. Rev. Lett. 1991, 66, 1745.
5. C. Yoon, R. M. D. Moses, A. Heeger, Phys. Rev. B 1994, 49, 10851.
6. K. Lee, S. Cho, S. H. Park, A. J. Heeger, C. W. Lee, S. H. Lee, Nature 2006, 441, 65.
7. R. Menon, C. Yoon, D. Moses, A. Heeger, Y. Cao, Phys. Rev. B 1993, 48, 17685.
8. M. J. Panzer, C. D. Frisbie, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 6960.
9. H. Shimotani, G. Diguet, Y. Iwasa, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 022104.
10. M. J. Panzer, C. D. Frisbie, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 203504.
11. M. J. Panzer, C. D. Frisbie, Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 1051.
12. A. S. Dhoot, J. D. Yuen, M. Heeney, I. McCulloch, D. Moses, A. J. Heeger, Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2006, 103, 11834.
13. J. D. Yuen, A. S. Doot, E. B. Namdas, N. E. Coates, M. Heeney, L. McCulloch, D. Moses, A. J. Heeger, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 14367.
14. J. Lee, M. J. Panzer, Y. He, T. P. Lodge, C. D. Frisbie, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 4532.
15. J. H. Cho, J. Lee, Y. Xia, B. Kim, Y. He, M. J. Renn, T. P. Lodge, C. D. Frisbie, Nat. Mater. 2008, 7, 900.
16. J. Lee, L. G. Kaake, J. H. Cho, X.-Y. Zhu, T. P. Lodge, C. D. Frisbie, J. Phys. Chem. C 2009, 113, 8972.
17. T. Uemura, M. Yamagishi, S. Ono, J. Takeya, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 103301.
18. S. Ono, N. Minder, Z. Chen, A. Facchetti, A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 143307.
19. H. T. Yuan, H. Shimotani, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki, Y. Iwasa, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 1046.
20. J. T. Ye, S. Inoue, K. Kobayashi, Y. Kasahara, H. T. Yuan, H. Shimotani, Y. Iwasa, Nat. Mater. 2009, 9, 125.
21. J. T. Ye, Y. J. Zhang, R. Akashi, M. S. Bahramy, R. Arita, Y. Iwasa, Science 2012, 338, 1193.
22. M. Reghu, C. O. Yoon, D. Moses, A. J. Heeger, Synth. Met. 1994, 64, 53.
23. N. F. Mott, Metal Insulator Transitions 2nd ed, Taylor and Francis, 1990.
24. B. I. Shklovskii, A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors Springer-Verlag, Berlin, 1984.
25. I. McCulloch, M. Heeney, C. Bailey, K. Genevicius, I. Macdonald, M. Shkunov, D. Sparrowe, S. Tierney, R. Wagner, W. Zhang, M. L. Chabinyc, R. J. Kline, M. D. McGehee, M. F. Toney, Nat. Mater. 2006, 5, 328.
26. A. Salleo, R. J. Kline, D. M. DeLongchamp, M. L. Chabinyc, Adv. Mater. 2010, 22, 3812.
27. M. L. Chabinyc, M. F. Toney, R. J. Kline, I. McCulloch, M. Heeney, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 3226.
28. H. Shimotani, H. Asanuma, J. Takeya, Y. Iwasa, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 203501.
29. D. D. Schroepfer, P. P. Ruden, Y. Xia, C. D. Frisbie, S. E. Shaheen, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 013305.
30. Y. Okada, K. Sakai, T. Uemura, Y. Nakazawa, J. Takeya, Phys. Rev. B 2011, 84, 245308.
31. T. Kaniowski, S. Niziol, J. Sanetra, M. Trznadel, A. Pron, Synth. Met. 1998, 94, 111.
32. S.-C. Yang, W. Graupner, S. Guha, P. Puschnig, C. Martin, H. R. Chandrasekhar, M. Chandrasekhar, G. Leising, C. Ambrosch-Draxl, U. Scherf, Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 2388.
33. M. Chandrasekhar, S. Guha, W. Graupner, Adv. Mater. 2001, 13, 613.
34. J. Mardalen, E. J. Samuelsen, O. R. Konestabo, M. Hanfland, M. Lorenzen, J. Phys.: Condens. Matter 1998, 10, 7145.
35. J. P. Schmidtke, J.-S. Kim, J. Gierschner, C. Silva, R. H. Friend, Phys. Rev. Lett. 2007, 99, 167401.
36. Q. G. Zeng, Z. J. Ding, X. D. Tang, Z. M. Zhang, J. Lumin. 2005, 115, 32.
37. C. Martin, S. Guha, M. Chandrasekhar, H. Chandrasekhar, R. Guentner, P. Scanduicci de Freitas, U. Scherf, Phys. Rev. B 2003, 68, 115203.
38. M. A. Loi, A. Mura, G. Bongiovanni, Q. Cai, C. Martin, H. Chandrasekhar, M. Chandrasekhar, W. Graupner, F. Garnier, Phys. Rev. Lett. 2001, 86, 732.
39. A. Brillante, M. Hanfland, K. Syassen, J. Hocker, Physica 1986, 139 & 140B, 533.
40. S. Wang, M. Ha, M. Manno, C. Daniel Frisbie, C. Leighton, Nat. Commun. 2012, 3, 1210.
41. A. G. Zabrodskii, K. N. Zeninova, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 1984, 86, 727.