Towards perfectly ordered novel ZnO/Si nano-heterojunction arrays

Small

Volumn 10, Issue 2, 2014, Pages 344-348

  Yadian, Boluo ^a   Liu, Hai ^a   Wei, Yuefan ^b   Wu, Junsheng ^c   Zhang, Sen ^d   Sun, Linfeng ^d   Zhao, Chunwang ^e   Liu, Qing ^a   Ramanujan, Raju V ^a   Zhou, Kun ^b   Gan, Chee Lip ^a   Huang, Yizhong ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^c UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY BEIJING   (China)

^d NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^e INNER MONGOLIA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

annealing; interfaces; nano heterojunctions; ordered arrays; ZnO Si

Indexed keywords

FABRICATION PROCESS; FOCUSED-ION-BEAM SYSTEM; HYDROTHERMAL PROCESS; NANO-HETEROJUNCTIONS; NUCLEATION SITES; ORDERED ARRAY; PHOTOLUMINESCENCE MEASUREMENTS; ZNO;

ANNEALING; ASPECT RATIO; FABRICATION; INTERFACES (MATERIALS); NANORODS; NUCLEATION; PARAMETER ESTIMATION; PHOTOLUMINESCENCE; RECRYSTALLIZATION (METALLURGY); SILICON; ZINC OXIDE;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 84893135727     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.201301674     Document Type: Article

References (30)

1. R. A. Mckee, F. J. Walker, M. F. Chisholm, Science 2001, 293, 468.
2. S. Banerjee, S. S. Wong, Nano Lett. 2002, 2, 195.
3. A. Jensen, J. R. Hauptmann, J. Nygard, J. Sadowski, P. E. Lindelof, Nano Lett. 2004, 4, 349.
4. H. Kim, W. Sigmund, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 2085.
5. H. Sun, Q. F. Zhang, J. L. Wu, Nanotechnology 2006, 17, 2271.
6. S. W. Lee, H. D. Cho, G. Panin, T. W. Kang, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 093110.
7. J. Hu, M. Ouyang, P. Yang, C. M. Lieber, Nature 1999, 399, 48.
8. M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. Wang, D. C. Smith, C. M. Lieber, Nature 2002, 415, 617.
9. Y. Wu, R. Fan, P. Yang, Nano Lett. 2002, 2, 83.
10. Z. H. Zhang, X. Y. Qi, J. K. Jian, X. F. Duan, Micron 2006, 37, 229.
11. B. S. Richards, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2006, 90, 2329.
12. X. D. Wang, C. J. Summers, Z. L. Wang, Nano Lett. 2004, 4, 423.
13. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Webber, R. Russo, P. Yang, Science 2001, 292, 1897.
14. U. K. Gautam, M. Imura, C. S. Rout, Y. Bando, X. Fang, B. Dierre, L. Sakharov, A. Govindaraj, T. Sekiguchi, D. Golberg, C. N. R. Rao, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2010, 107, 13588.
15. S. Y. Li, P. Lin, C. Y. Lee, T. Y. Tseng, J. Appl. Phys. 2004, 95, 3711.
16. X. D. Wang, J. H. Song, P. Li, J. H. Ryou, R. D. Dupuis, C. J. Summers, Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 7920.
17. Y. J. Hong, J. Yoo, Y. J. Doh, S. H. Kang, K. Kong, M. Kim, D. R. Lee, K. H. Oh, G. C. Yi, J. Mater. Chem. 2009, 19, 941.
18. C. Cheng, T. L. Wang, L. Feng, W. Li, K. M. Ho, M. M. T. Loy, K. K. Fung, N. Wang, Nanotechnology 2010, 21, 475703.
19. H. Huang, G. Fang, X. Mo, L. Yuan, H. Zhou, M. Wang, H. Xiao, X. Zhao, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 063512.
20. Y. Z. Huang, S. G. Wang, C. Wang, Z. B. Xie, D. J. H. Cockayne, R. C. C. Ward, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 103104.
21. Y. Z. Huang, D. J. H. Cockayne, J. Ana-Vanessa, R. P. Cowburn, S. G. Wang, R. C. C. Ward, Nanotechnology 2008, 19, 015303.
22. H. Liu, J. Wu, Y. Wang, C. L. Chow, Q. Liu, C. L. Gan, X. Tang, R. S. Rawat, O. K. Tan, J. Ma, Y. Huang, Small 2012, 18, 2807.
23. H. Liu, B. Yadian, Q. Liu, C. L. Gan, Y. Hang, Nanotechnology 2013, 24, 175301.
24. M. A. Vergés, A. Mifsud, C. J. Serna, J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1990, 86, 959.
25. Y. Z. Huang, S. Lozano-Perez, R. M. Langford, J. M. Titchmarsh, M. L. Jenkins, J. Microsc. 2002, 207, 129.
26. M. Ieong, B. Doris, J. Kedzierski, K. Rim, M. Yang, Science 2004, 306, 2057.
27. M. V. Fischetti, S. E. Laux, J. Appl. Phys. 1996, 80, 2234.
28. U. Ozgur, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, H. Morkoc, J. Appl. Phys. 2005, 98, 041301.
29. T. W. Kim, T. Kazawoe, S. Yamazaki, M. Ohtsu, T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3358.
30. I. Shalish, H. Temkin, V. Narayanamurti, Phys. Rev. B 2004, 69, 245401.