Graphene electron cannon: High-current edge emission from aligned graphene sheets

Applied Physics Letters

Volumn 104, Issue 2, 2014, Pages

  Liu, Jianlong ^a   Zeng, Baoqing ^a   Wang, Wenzhong ^b   Li, Nannan ^a   Guo, Jing ^a   Fang, Yong ^a   Deng, Jiang ^a   Li, Jiangnan ^b   Hao, Chenchun ^b  

^a UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

^b MINZU UNIVERSITY OF CHINA   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EDGE EMISSIONS; EMISSION STABILITY; FIELD EMISSION PROPERTY; GRAPHENE PAPERS; GRAPHENE SHEETS; HIGH EMISSION CURRENT; LUMINANCE PATTERNS; VACUUM DEVICES;

ELECTRON BEAMS; FIELD EMISSION;

GRAPHENE;

EID: 84893120308     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4861611     Document Type: Article

References (37)

1. N. S. Xu and S. E. Huq, Mater. Sci. Eng., R 48, 47 (2005). 10.1016/j.mser.2004.12.001
2. W. I. Milne, K. B. K. Teo, G. A. J. Amaratunga, P. Legagneux, L. Gangloff, J. P. Schnell, V. Semet, V. Thien Binhc, and O. Groening, J. Mater. Chem. 14, 933 (2004). 10.1039/b314155c
3. D. R. Whaley, R. Duggal, C. M. Armstrong, C. L. Bellew, C. E. Holland, and C. A. Spindt, IEEE Trans. Electron Devices 56, 896 (2009). 10.1109/TED.2009.2015614
4. K. Teo, E. Minoux, L. Hudanski, F. Peauger, J. P. Schnell, L. Gangloff, P. Legagneux, D. Dieumegard, G. A. J. Amaratunga, and W. I. Milne, Nature 437, 968 (2005). 10.1038/437968a
5. E. Minoux, O. R. Groening, K. B. K. Teo, S. H. Dalal, L. Gangloff, J. P. Schnell, L. Hudanski, L. Y. Y. Bu, P. Vincent, P. Legagneux, G. A. J. Amaratunga, and W. I. Milne, Nano Lett. 5, 2135 (2005). 10.1021/nl051397d
6. N. S. Ginzburg, N. Yu. Peskov, A. S. Sergeev, A. D. R. Phelps, I. V. Konoplev, G. R. M. Robb, A. W. Cross, A. V. Arzhannikov, and S. L. Sinitsky, Phys. Rev. E 60, 935 (1999). 10.1103/PhysRevE.60.935
7. M. Yu. Glyavin, A. G. Luchinin, and G. Yu. Golubiatnikov, Phys. Rev. Lett. 100, 015101 (2008). 10.1103/PhysRevLett.100.015101
8. M. E. Read, V. Jabotinski, G. Miram, and L. Ives, IEEE Trans. Plasma Sci. 33 (2), 647-653 (2005). 10.1109/TPS.2005.844507
9. V. T. Binh, V. Semet, D. Guillot, P. Legagneux, and D. Pribat, Appl. Phys. Lett. 73, 2048 (1998). 10.1063/1.122363
10. A. Zlatkin and N. García, Appl. Phys. Lett. 75, 1807 (1999). 10.1063/1.124827
11. Z. Chen, D. Den Engelsen, P. K. Bachmann, V. Van Elsbergen, I. Koehler, J. Merikhi, and D. U. Wiechert, Appl. Phys. Lett. 87, 243104 (2005). 10.1063/1.2140893
12. R. Seelaboyina, I. Lahiri, and W. Choi, Nanotechnology 21, 145206 (2010). 10.1088/0957-4484/21/14/145206
13. W. Lei, X. Zhang, J. Chen, Z. Zhao, Y. Cui, and B. Wang, IEEE Trans. Electron Devices 58, 3616 (2011). 10.1109/TED.2011.2162520
14. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004). 10.1126/science.1102896
15. A. K. Geim, Science 324, 1530 (2009). 10.1126/science.1158877
16. H. Yang, J. Heo, S. Park, H. Song, D. H. Seo, K. Byun, P. Yoo, H. Chung, and K. Kim, Science 1, 1140 (2012). 10.1126/science.1220527
17. K. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J.-H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi, and B. H. Hong, Nature 457, 706 (2009). 10.1038/nature07719
18. X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, and R. S. Ruoff, Science 324, 1312 (2009). 10.1126/science.1171245
19. P. W. Sutter, J. I. Flege, and E. A. Sutter, Nature Mater. 7, 406 (2008). 10.1038/nmat2166
20. G. Ruan, Z. Sun, Z. Peng, and J. Tour, ACS Nano 5, 7601 (2011). 10.1021/nn202625c
21. M. Hansen, R. Outlaw, P. Miraldo, M. Zhu, K. Hou, and N. Theodore, J. Appl. Phys. 103, 014311 (2008). 10.1063/1.2829810
22. P. Talemi and G. Simon, Carbon 49, 2875 (2011). 10.1016/j.carbon.2011.03. 004
23. J. L. Liu, B. Q. Zeng, Z. Wu, and H. Sun, ACS Appl. Mater. Interfaces 4, 1219 (2012). 10.1021/am201306c
24. Z. Wu, S. Pei, W. Ren, D. Tang, and H. Cheng, Adv. Mater. 21, 1756 (2009). 10.1002/adma.200802560
25. M. Qian, T. Feng, H. Ding, L. Lin, H. Li, Y. Chen, and Z. Sun, Nanotechnology 20, 425702 (2009). 10.1088/0957-4484/20/42/425702
26. G. Eda, H. E. Unalan, N. Rupesinghe, G. A. J. Amaratunga, and M. Chhowalla, Appl. Phys. Lett. 93, 233502 (2008). 10.1063/1.3028339
27. D. Li, M. B. MüLler, S. Gilje, R. B. Kaner, and G. G. Wallce, Nat. Nanotechnol. 3, 101 (2008). 10.1038/nnano.2007.451
28. J. L. Liu, B. Q. Zeng, Z. Wu, J. F. Zhu, and X. C. Liu, Appl. Phys. Lett. 97, 033109 (2010). 10.1063/1.3467042
29. D. A. Dikin, S. Stankovich, E. J. Zimney, R. D. Piner, G. H. B. Dommett, G. Evmenenko, S. T. Nguyen, and R. S. Ruoff, Nature 448, 457 (2007). 10.1038/nature06016
30. W. Hummers and R. Offeman, J. Am. Chem. Soc. 80, 1339 (1958). 10.1021/ja01539a017
31. A. Kaniyoor and S. Ramaprabhu, AIP Adv. 2, 032183 (2012). 10.1063/1.4756995
32. R. Roy, A. Jha, D. Banerjee, N. S. Das, and K. K. Chattopadhyay, AIP Adv. 3, 012115 (2013). 10.1063/1.4789409
33. A. T. T. Koh, Y. M. Foong, L. Pan, Z. Sun, and D. H. C. Chua, Appl. Phys. Lett. 101, 183107 (2012). 10.1063/1.4765070
34. R. V. Kashid, D. J. Late, Y.-K. Huang, S. S. Chou, M. De, D. S. Joag, M. A. More, and V. P. Dravid, Small 9, 2730 (2013). 10.1002/smll.201300002
35. I. Sameera, R. Bhatia, J. Ouyang, V. Prasad, and R. Menon, Appl. Phys. Lett. 102, 033102 (2013). 10.1063/1.4788738
36. T. T. Baby and S. Ramaprabhu, Appl. Phys. Lett. 98, 183111 (2011). 10.1063/1.3587639
37. U. A. Palnitkar, R. V. Kashid, M. A. More, D. S. Joag, L. S. Panchakarla, and C. N. R. Rao, Appl. Phys. Lett. 97, 063102 (2010). 10.1063/1.3464168