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Volumn , Issue , 2013, Pages 101-102

Chemical doping for threshold control and contact resistance reduction in graphene and MoS2 field effect transistors

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EID: 84890077350     PISSN: 15483770     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1109/DRC.2013.6633813     Document Type: Conference Paper
Times cited : (8)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.