Chloride-driven chemical vapor transport method for crystal growth of transition metal dichalcogenides

Crystal Growth and Design

Volumn 13, Issue 10, 2013, Pages 4453-4459

  Ubaldini, Alberto ^a   Jacimovic, Jacim ^a   Ubrig, Nicolas ^a   Giannini, Enrico ^a  

^a UNIVERSITY OF GENEVA   (Switzerland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR TRANSPORT; ELECTRICAL RESISTIVITY MEASUREMENTS; NUCLEATION PROCESS; REACTION TEMPERATURE; TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES; TRANSPORT REACTION; VAPOR TRANSPORT METHODS; X-RAY DIFFRACTION STUDIES;

ATOMS; CHLORINE COMPOUNDS; CRYSTAL GROWTH; SELENIUM COMPOUNDS; TELLURIUM COMPOUNDS; X RAY DIFFRACTION;

VAPORS;

EID: 84885124575     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg400953e     Document Type: Article

References (49)

1. Radisavljevic, B.; Radenovic, A.; Brivio, J.; Giacometti, V.; Kis, A. Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147-150
2. Morosan, E.; Zandbergen, H. W.; Dennis, B. S.; Bos, J. W. G.; Onose, Y.; Klimczuk, T.; Ramirez, A. P.; Ong, N. P.; Cava, R. J. Nat. Phys. 2006, 2, 544-550
3. Shishidou, T.; Freeman, A.; Asahi, R. Phys. Rev. B 2001, 64, 180401
4. Lee, C.; Li, Q.; Kalb, W.; Liu, X.-Z.; Berger, H.; Carpick, R. W.; Hone, J. Science 2010, 328, 76-80
5. Chiritescu, C.; Cahill, D. G.; Nguyen, N.; Johnson, D.; Bodapati, A.; Keblinski, P.; Zschack, P. Science 2007, 315, 351-353
6. Braga, D.; Gutierrez Lezama, I.; Berger, H.; Morpurgo, A. F. Nano Lett. 2012, 12, 5218-5223
7. Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y.; Kim, T.; Li, J.; Kim, J.; Chim, C.-Y.; Galli, G.; Wang, F. Nano Lett. 2010, 10, 1271-1275
8. Reed, C. A.; Cheung, S. K. Proc. Natl. Acad. Sci U.S.A. 1977, 74, 1780-1784
9. Puthussery, J.; Seefeld, S.; Berry, N.; Gibbs, M.; Law, M. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 716-719
10. Novoselov, K. S.; Jiang, D.; Schedin, F.; Booth, T. J.; Khotkevich, V. V.; Morozov, S. V.; Geim, A. K. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 102, 10451-10453
11. Radisavljevic, B.; Whitwick, M. B.; Kis, A. ACS Nano 2011, 5, 9934-9938
12. Larentis, S.; Fallahazad, B.; Tutuc, E. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 223104
13. Mak, K. F.; Lee, C.; Hone, J.; Shan, J.; Heinz, T. F. Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 136805
14. Yun, W. S.; Han, S. W.; Hong, S. C.; Kim, I. G.; Lee, J. D. Phys. Rev. B 2012, 85, 033305
15. Tongay, S.; Zhou, J.; Ataca, C.; Lo, K.; Matthews, T. S.; Li, J. B.; Grossman, J. C.; Wu, J. Q. Nano Lett. 2012, 12, 5576-5580
16. Podberezskaya, N. V.; Magarill, S. A.; Pervukhina, N. V.; Borisov, S. V. J. Struct. Chem. 2001, 42, 654-681
17. Ataca, C.; Şahin, H.; Ciraci, S. J. Phys. Chem. C 2012, 116, 8983-8999
18. Lee, S.; Nagasundaram, N. Chem. Mater. 1989, 1, 597-601
19. Schönfeld, B.; Huang, J. J.; Moss, S. C. Acta Crystallogr. 1983, B39, 404-407
20. Suzuki, Y.; Uchida, T.; Wakihara, M.; Taniguchi, M. Mater. Res. Bull. 1981, 16, 1085-1090
21. Towle, L. C.; Oberbeck, V.; Brown, B. E.; Stajdohar, R. E. Science 1966, 154, 895-896
22. Tiong, K. K.; Shou, T. S. J. Phys.: Condens. Matter 2000, 12, 5043-5052
23. Paorici, C.; Attolini, G. Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 2004, 48-49, 2-41
24. Hu, S. Y.; Liang, C. H.; Tiong, K. K.; Lee, Y. C.; Huang, Y. S. J. Cryst. Growth 2005, 285, 408-414
25. Bougouma, M.; Batan, A.; Guel, B.; Segato, T.; Legma, J. B.; Reniers, F.; Delplanke-Ogletree, M.-P.; Buess-Hermann, C.; Doneux, T. J. Cryst. Growth 2013, 363, 122-127
26. Sands, D. E.; Zalkin, A. Acta Crystallogr. 1959, 12, 723-726
27. Akrap, A.; Tran, M.; Ubaldini, A.; Teyssier, J.; Giannini, E.; van der Marel, D. Phys. Rev. B 2012, 86, 235207
28. Honig, R. E.; Kramer, D. A. RCA Review, 1969, 30, 285-305.
29. Villars, P. Pauling File Binaries Edition 2002, © MPDS and Crystal Impact.
30. Sekine, T.; Izumi, M.; Nakashizu, T.; Uchinokura, K.; Matsuura, E. J. Phys. Soc. Jpn. 1980, 49, 1069-1077
31. Zhang, X.; Han, W. P.; Wu, J. B.; Milana, S.; Lu, Y.; Li, Q. Q.; Ferrari, A. C.; Tan, P. H. Phys. Rev. B 2013, 87, 115413
32. Holy, J. A.; Woo, K. C.; Klein, M. V.; Brown, F. C. Phys. Rev. B 1977, 16, 3628-3637
33. Naito, M.; Tanaka, S. J. Phys. Soc. Jpn. 1982, 51, 219-227
34. Sorgel, T.; Nuss, J.; Wedig, U.; Kremer, R. K.; Jansen, M. Mater. Res. Bull. 2006, 41, 987-1000
35. Mandal, K. C.; Savadogo, O. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, 3484-3487
36. Wagner, K. E.; Morosan, E.; Hor, Y. S.; Tao, J.; Zhu, Y.; Sanders, T.; McQueen, T. M.; Zandbergen, H. W.; Williams, A. J.; West, D. V.; Cava, R. J. Phys. Rev. B 2008, 78, 104520
37. Revolinsky, E.; Beerntsen, D. J. Appl. Phys. 1964, 35, 2086-2089
38. Vellinga, M. B.; de Jonge, R.; Haas, C. J. Solid State Chem. 1970, 2, 299-302
39. Hughes, H. P.; Friend, R. H. J. Phys. C: Solid State Phys. 1978, 11, L103-L105
40. Ding, Y.; Wang, Y.; Ni, J.; Shi, L.; Shi, S.; Tang, W. Phys. B 2011, 406, 2254-2260
41. Dunnill, C. W.; Edwards, H. K.; Brown, P. D.; Gregory, D. H. Angew. Chem., Int. Ed. 2006, 45, 7060-7063
42. Dunnill, C. W.; MacLaren, I.; Gregory, D. H. Nanoscale 2010, 2, 90-97
43. Kidd, T. E.; O'Shea, A.; Griffith, Z.; Leslie, S.; Shand, P. M.; Boyle, K. R.; Strauss, L. H. J. Nanopart. Res. 2012, 14, 903
44. Wagner, R. S.; Ellis, W. C. Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89-90
45. Choi, H.-J. In Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Devices; Yi, G.-C., Ed.; Springer-Verlag: 2012, pp 1-37.
46. Shi, W. S.; Peng, H. Y.; Zheng, Y. F.; Wang, N.; Shang, N. G.; Pan, Z. W.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Adv. Mater. 2000, 12, 1343-1345
47. Seo, W.-S.; Koumoto, K. J. Am. Ceram. Soc. 1996, 79, 1777-1782
48. Zhang, Y.; Wang, N.; Gao, S.; He, R.; Miao, S.; Liu, J.; Zhu, J.; Zhang, X. Chem. Mater. 2002, 14, 3564-3568
49. He, R.; Law, M.; Fan, R.; Kim, F.; Yang, P. Nano Lett. 2002, 2, 1109-1112