Formation of a stable p-n junction in a liquid-gated MoS2 ambipolar transistor

Nano Letters

Volumn 13, Issue 7, 2013, Pages 3023-3028

  Zhang, Y J ^a   Ye, J T ^a   Yomogida, Y ^b,c   Takenobu, T ^b,c   Iwasa, Y ^a,d  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^b WASEDA UNIVERSITY   (Japan)

^c JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

^d RIKEN Center for Emergent Matter Science   (Japan)

Author keywords

ambipolar; electric double layer transistor; Molybdenum disulfide; p n junction

Indexed keywords

AMBIPOLAR; AMBIPOLAR TRANSISTORS; ELECTRIC DOUBLE-LAYER TRANSISTORS; HIGH MOBILITY; IV CHARACTERISTICS; MOLYBDENUM DISULFIDE; P-N DIODE; P-N JUNCTION;

LIQUIDS; MOLYBDENUM; MOLYBDENUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DIODES;

SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

EID: 84880155520     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl400902v     Document Type: Article

References (30)

1. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieva, I. V.; Firsov, A. A. Science 2004, 306, 666
2. Novoselov, K. S.; Jiang, D.; Schedin, F.; Booth, T. J.; Khotkevich, V. V.; Morozov, S. V.; Geim, A. K. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 102, 10451
3. Radisavljevic, B.; Radenovic, A.; Brivio, J.; Giacometti, V.; Kis, A. Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147
4. Shimotani, H.; Asanuma, H.; Iwasa, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, 3613
5. Zhang, Y. J.; Ye, J. T.; Matsuhashi, Y.; Iwasa, Y. Nano Lett. 2012, 12, 1136
6. Ye, J. T.; Zhang, Y. J.; Akashi, R.; Bahramy, M. S.; Arita, R.; Iwasa, Y. Science 2012, 338, 1193
7. Mak, K. F.; Lee, C.; Hone, J.; Shan, J.; Heinz, T. F. Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 136805
8. Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y.; Li, T.; Kim, J.; Chim, C. Y.; Galli, G.; Wang, F. Nano Lett. 2010, 10, 1271
9. Zeng, H.; Dai, J.; Yao, W.; Xiao, D.; Cui, X. Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 490
10. Mak, K. F.; He, K.; Shan, J.; Heinz, T. F. Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 494
11. Cao, T.; Wang, G.; Han, W.; Ye, H.; Zhu, C.; Shi, J.; Niu, Q.; Tan, P.; Wang, E.; Liu, B.; Feng, J. Nat. Commun. 2012, 3, 887
12. Xiao, D.; Liu, G. B.; Feng, W.; Xu, X.; Yao, W. Phys. Rev. Lett. 2012, 108, 196802
13. Misewich, J. A.; Martel, R.; Avouris, P.; Tsang, J. C.; Heinze, S.; Tersoff, J. Science 2003, 300, 783
14. Swensen, J. S.; Soci, C.; Heeger, A. J. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 253511
15. Zaumseil, J.; Friend, R. H.; Sirringhaus, H. Nat. Mater. 2006, 5, 69
16. Takahashi, T.; Takenobu, T.; Takeya, J.; Iwasa, Y. Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 1623
17. Takenobu, T.; Bisri, S. Z.; Takahashi, T.; Yashiro, M.; Adachi, C.; Iwasa, Y. Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 066601
18. Bisri, S. Z.; Takenobu, T.; Sawabe, K.; Tsuda, S.; Yomogida, Y.; Yamao, T.; Hotta, S.; Adachi, C.; Iwasa, Y. Adv. Mater. 2011, 23, 2753
19. Bisri, S. Z.; Takenobu, T.; Yomogida, Y.; Shimotani, H.; Yamao, T.; Hotta, S.; Iwasa, Y. Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 1728
20. Nakanotani, H.; Saito, M.; Nakamura, H.; Adachi, C. Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 1610
21. Al-Hilli, A. A.; Evans, B. L. J. Cryst. Growth 1972, 15, 93
22. Mahalawy, S. H.; Evans, B. L. Phys. Status Solidi B 1977, 79, 713
23. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Device, 2 nd ed.; Wiley: New York, 1981.
24. Dimitrakopoulos, C. D.; Malenfant, P. R. L. Adv. Mater. 2002, 14, 99
25. Ye, J. T.; Craciun, M. F.; Koshino, M.; Russo, S.; Inoue, S.; Yuan, H.; Shimotani, H.; Morpurgo, A. F.; Iwasa, Y. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2011, 108, 13002
26. Yomogida, Y.; Pu, J.; Shimotani, H.; Ono, S.; Hotta, S.; Iwasa, Y.; Takenobu, T. Adv. Mater. 2012, 24, 4392
27. Braga, D.; Lezama, I. G.; Berger, H.; Morpurgo, A. F. Nano Lett. 2012, 12, 5218
28. Pu, J.; Yomogida, Y.; Liu, K.-K.; Li, L.-J.; Iwasa, Y.; Takenobu, T. Nano Lett. 2012, 12, 4013
29. Bao, W.; Cai, X.; Kim, D.; Sridhara, K.; Fuhrer, M. S. Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 042104
30. Das, S.; Pisana, S.; Chakraborty, B.; Piscanec, S.; Saha, S. K.; Waghmare, U. V.; Novoselov, K. S.; Krishnamurthy, H. R.; Geim, A. K.; Ferrari, A. C.; Sood, A. K. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 210