Tunnel effect causing nonlinear current in few-layer graphene

Applied Physics Letters

Volumn 101, Issue 6, 2012, Pages

  Wang, Quan ^a   Zhang, Jin ^a   Yuan, Shouqi ^a   Li, Xinxin ^b  

^a JIANGSU UNIVERSITY   (China)

^b INSTITUTE OF GEOLOGY AND GEOPHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGED IMPURITY; FEW-LAYER GRAPHENE; GRAPHENE LAYERS; I - V CURVE; NONLINEAR CURRENT; POTENTIAL APPLICATIONS; TUNNELING CURRENT;

ELECTRIC PROPERTIES;

GRAPHENE;

EID: 84865141104     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4745206     Document Type: Article

References (19)

1. I. Meric, M. Y. Han, A. F. Young, B. Ozyilmaz, P. Kim, and K. L. Shepard, Nat. Nanotechnol. 3, 654 (2008). 10.1038/nnano.2008.268
2. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004). 10.1126/science.1102896
3. J. H. Chen, C. Jang, S. Adam, M. S. Fuhrer, E. D. Williams, and M. Ishigami, Nat. Phys. 4, 377 (2008). 10.1038/nphys935
4. K. Zou and J. Zhu, Phys. Rev. B 82, 081407 (2010). 10.1103/PhysRevB.82. 081407
5. P. Blake, E. W. Hill, A. H. Castro Neto, K. S. Novoselov, D. Jiang, R. Yang, T. J. Booth, and A. K. Geim, Appl. Phys. Lett. 91, 063124 (2007). 10.1063/1.2768624
6. Z. H. Ni, T. Yu, Z. Q. Luo, Y. Y. Wang, L. Liu, C. P. Wong, J. M. Miao, W. Huang, and Z. X. Shen, ACS Nano 3, 569 (2009). 10.1021/nn900130g
7. A. C. Ferrari, J. C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K. S. Novoselov, S. Roth, and A. K. Geim, Phys. Rev. Lett. 97, 187401 (2006). 10.1103/PhysRevLett.97.187401
8. A. Gupta, G. Chen, P. Joshi, S. Tadigadapa, and P. C. Eklund, Nano Lett. 6, 2667 (2006). 10.1021/nl061420a
9. R. Yang, L. C. Zhang, Y. Wang, Z. W. Shi, D. X. Shi, H. J. Gao, E. G. Wang, and G. Y. Zhang, Adv. Mater. 22, 4014 (2010). 10.1002/adma.201000618
10. J. S. Bunch, A. M. van der Zande, S. S. Verbridge, I. W. Frank, D. M. Tanenbaum, J. M. Parpia, H. G. Craighead, and P. L. McEuen, Science 15, 490 (2007). 10.1126/science.1136836
11. F. B. Rao, H. Almumen, Z. Fan, W. Li and L. X. Dong, Nanotechnol. 23, 105501 (2012). 10.1088/0957-4484/23/10/105501
12. H. Castro Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselova, and A. K. Geim, Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2009). 10.1103/RevModPhys.81.109
13. L. Britnell, R. V. Gorbachev, R. Jalil, B. D. Belle, F. Schedin, A. Mishchenko, T. Georgiou, M. I. Katsnelson, L. Eaves, S. V. Morozov, N. M. R. Peres, J. Leist, A. K. Geim, K. S. Novoselov, and L. A. Ponomarenko, Science 35 (6071), 947 (2012). 10.1126/science.1218461
14. A. Das, S. Pisana, B. Chakraborty, S. Piscanec, S. K. Saha, U. V. Waghmare, K. S. Novoselov, H. R. Krishnamurthy, A. K. Geim, A. C. Ferrari, and A. K. Sood, Nat. Nanotechnol. 3, 210 (2008). 10.1038/nnano.2008.67
15. F. Schedin, A. K. Geim, S. V. Morozov, E. W. Hill, P. Blake, M. I. Katsnelson, and K. S. Novoselov, Nature (London) 6, 652 (2007). 10.1038/nmat1967
16. Y. W. Tan, Y. Zhang, K. Bolotin, Y. Zhao, S. Adam, E. H. Hwang, S. Das Sarma, H. L. Stormer, and P. Kim, Phys. Rev. Lett. 99, 246803 (2007). 10.1103/PhysRevLett.99.246803
17. C. Casiraghi, S. Pisana, K. S. Novoselov, A. K. Geim, and A. C. Ferrari, Appl. Phys. Lett. 91, 233108 (2007). 10.1063/1.2818692
18. Y. H. Xu, C. Y. Chen, V. V. Deshpande, F. A. DiRenno, A. Gondarenko, D. B. Heinz, S. M. Liu, P. Kim, and J. Hone, Appl. Phys. Lett. 97, 243111 (2010). 10.1063/1.3528341
19. I. W. Frank, D. M. Tanenbaum, A. M. van der Zande, and P. L. McEuen, Vac. Sci. Technol. B 25, 2558 (2007). 10.1116/1.2789446