Erratum to Self-assembled Nanolayers as Interfacial Diffusion Barriers for Thermally Stable and Low Contact Resistance Cu Source/Drain Electrode in a-Si:H TFT-LCDs (Electronic Materials Letters, 10.1007/s13391-011-1092-9);Self-assembled nanolayers as interfacial diffusion barriers for thermally stable and low contact resistance Cu source/drain electrode in a-Si:H TFT-LCDs

Electronic Materials Letters

Volumn 8, Issue 1, 2012, Pages 21-25

  Han, Jung Suk ^a   Lee, Chiyoung ^a   Lee, Jaegab ^a  

^a Kookmin University   (South Korea)

Author keywords

contact resistance; Diffusion barrier; MUA; SAMs; TFT

Indexed keywords

ADHESION; CONTACT RESISTANCE; ELECTRODES; THERMODYNAMIC STABILITY; THIN FILM TRANSISTORS;

CHEMICAL INTERACTIONS; DOPANT CONCENTRATIONS; INTERFACIAL DIFFUSION; MERCAPTOUNDECANOIC ACID; SAMS; SOURCE/DRAIN ELECTRODES; SPECIFIC CONTACT RESISTANCES; THERMALLY STABLE;

DIFFUSION BARRIERS;

EID: 84863298516     PISSN: 17388090     EISSN: 20936788     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s13391-012-2092-0     Document Type: Erratum

References (19)

1. W. H. Lee, B. S. Cho, B. J. Kang, H. J. Yang, J. G. Lee, I. K. Woo, S. W. Lee, J. Jang, G. S. Chae, and H. S. Soh, Appl. Phys. Lett. 79, 3962 (2001).
2. Y. S. Hwang, G. C. Jo, G. S. Chae, and I. J. Chung, IDMC. 205 (2003).
3. G. S. Chae, H. S. Soh, W. H. Lee, and J. G. Lee, J. Appl. Phys. 90, 411 (2001).
4. J. S. Park, T. S. Kim, K. S. Son, E. Lee, J. S. Jung, K. H. Lee, W. J. Maeng, H. S. Kim, E. S. Kim, K. B. Park, J. Y. Kwon, M. K. Ryu, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 97, 162105 (2010).
5. A. Ulman, Chem. Rev. 96, 1533 (1996).
6. M. F. Calhoun, J. Sanchez, D. Olya, M. E. Gershenson, and V. Podzorov, Nature Mater. 7, 84 (2008).
7. A. Kumar and G. M. Whitesides, Appl. Phys. Lett. 63, 2002 (1993).
8. C. A. Nijhuis, W. F. Reus, and G. M. Whitesides, J. Am. Chem. Soc. 132, 18386 (2010).
9. C. A. Nijhuis, W. F. Reus, J. R. Barber, M. D. Dickey, and G. M. Whitesides, Nano Lett. 10, 3611 (2010).
10. J. H. Cho, J. A. Lim, J. T. Han, H. W. Jang, J. L. Lee, and K. Cho, Appl. Phys. Lett. 86, 171906 (2005).
11. J. H. Cho, Y. D. Park, D. H. Kim, W. K. Kim, H. W. Jang, J. L. Lee, and K. Cho, Appl. Phys. Lett. 88, 102104 (2006).
12. X. Liu, Q. Wang, S. Wu, and Z. Liu, J. Electrochem. Soc. 153, C142 (2006).
13. G. Ramanath, G. Cui, P. G. Ganesan, X. Guo, A. V. Ellis, M. Stukowski, P. Doppelt, and M. Lane, Appl. Phys. Lett. 83, 383 (2003).
14. M. Dijksma, B. A. Boukamp, B. Kamp, and W. P. van Bennekom, Langmuir. 18, 3105 (2002).
15. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, and K. D. Bomben, Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (1992).
16. F. S. Damos, R. C. S. Luz, and L. T. Kubota, Langmuir. 21, 602 (2005).
17. H. H. Kim, K. H. Jeong, C. J. Yu, H. S. Nam, H. S. Soh, and J. G. Lee, Solid-State Electron, In Press (2011).
18. E. F. Chor and J. Lerdworatawee, IEEE Trans. Electron. Dev. 49, 105 (2002).
19. A. Y. C. Yu, Solid-State Electron. 13, 239 (1970).