Growth time-dependent density and surface evolution of silicon nanowires in a vapor-liquid-solid process

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 11, Issue 8, 2011, Pages 6946-6952

  Lee, Chan Yang ^a   Kim, Gil Sung ^a   Lee, Seung Yong ^a   Kim, Tae Hong ^a   Seo, Deok Won ^a   Lee, Sang Kwon ^a  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

Author keywords

Au catalyst; Faceting; Radial growth; Silicon nanowire; Tapering; Vapor liquid solid (VLS); Vapor solid (VS)

Indexed keywords

AU CATALYSTS; FACETING; RADIAL GROWTH; SILICON NANOWIRE; TAPERING; VAPOR-LIQUID-SOLID; VAPOR-SOLID;

DROPS; INTERFACES (MATERIALS); LIQUIDS; NANOWIRES; VAPORS;

SILICON;

EID: 84863050421     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2011.4244     Document Type: Conference Paper

References (22)

1. S. Y. Lee, C. O. Jang, D. J. Kim, J. H. Hyung, K. Rogdakis, E. Bano, K. Zekentes, and S.-K. Lee, J. Phys. Chem. C 112, 13287 (2008).
2. T. J. Kempa, B. Tian, D. R. Kim, J. Hu, X. Zheng, and C. M. Lieber, Nano Lett. 8, 3456 (2008).
3. I. Lombardi, A. I. Hochbaum, P. Yang, C. Carraro, and R. Maboudian, Chem. Mater. 18, 988 (2006).
4. Z. H. Chen, J. S. Jie, L. B. Luo, H. Wang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Nanotechnology 18, 345502 (2007).
5. S. T. Kim, D. J. Kim, T. J. Kim, D. W. Seo, T. H. Kim, S. Y. Lee, K. H. Kim, K. M. Lee, and S.-K. Lee, Nano Lett. 10, 2877 (2010).
6. Y. Cui, L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, J. Wang, and C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 78, 2214 (2001).
7. F. Li, P. D. Nellist, and D. J. H. Cockayne, Appl. Phys. Lett. 94, 263111 (2009).
8. S. Sharma, T. I. Kamins, and R. S. Williams, Appl. Phys. A 80, 1225 (2005).
9. J. B. Hannon, S. Kodambaka, F. M. Ross, and R. M. Tromp, Nature 440, 69 (2006).
10. F. Oehler, P. Gentile, T. Baron, P. Ferrect, M. D. Hertog, and J. Rouviere, Nano Lett. 10, 2335 (2010).
11. S. H. Oh, K. V. Benthem, S. I. Molina, A. Y. Borisevich, W. Luo, P. Werner, N. D. Zakharov, D. Kumar, S. T. Pantelides, and S. J. Pennycook, Nano Lett. 8, 1016 (2008).
12. J. E. Allen, E. R. Hemesath, D. E. Perea, J. L. Lensch-Falk, Z. Y. Li, F. Yin, M. H. Gass, P. Wang, A. L. Bleloch, R. E. Palmer, and L. J. Lauhon, Nat. Nanotechnol. 3, 168 (2008).
13. F. Li, P. D. Nellist, C. Lang, and D. J. H. Cockayne, ACS Nano 4, 632 (2010).
14. F. M. Ross, J. Tersoff, and M. C. Reuter, Phys. Rev. Lett. 95, 146104 (2005).
15. V. Schmidt, S. Senz, and U. Gosele, Nano Lett. 5, 931 (2005).
16. Y. Wu, Y. Cui, L. Huynh, C. J. Barrelet, D. C. Bell, and C. M. Lieber, Nano Lett. 4, 433 (2004).
17. M. I. Hertog, J. Rouviere, F. Dhalluin, P. J. Desre, P. Gentile, P. Ferret, and T. Baron, Nano Lett. 8, 1544 (2008).
18. R. Wagner and W. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
19. Y. Wu and P. Yang, J. Am. Chem. Soc. 123, 3165 (2001).
20. J.W. Dailey, J. Taraci, R. Clement, D. J. Smith, J. Drucker, and S. T. Picraux, J. Appl. Phys. 96, 7556 (2004).
21. E. I. Givargizov and A. A. Chernov, Kristallografiya 18, 147 (1973).
22. E.I. Givargizov, J. Crys. Growth 31, 20 (1975).