Density functional study of fluorinated single-walled silicon carbide nanotubes

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 116, Issue 2, 2012, Pages 1702-1708

  Wang, Xiao ^a   Liew, K M ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DENSITY-FUNCTIONAL STUDY; DOPED SILICON; ELECTRONIC AND MAGNETIC PROPERTIES; SILICON CARBIDE NANOTUBES; SINGLE-CARBON ATOMS; SINGLE-WALLED; SPONTANEOUS MAGNETIZATION;

ADSORPTION; ATOMS; CHEMISORPTION; FERMI LEVEL; FLUORINE; MAGNETIC MATERIALS; MAGNETIC MOMENTS; MAGNETIC PROPERTIES; NANOTUBES; SILICON CARBIDE;

DENSITY FUNCTIONAL THEORY;

EID: 84862956038     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp207980h     Document Type: Article

References (54)

1. Ijima, S. Nature 1991, 354, 56-58
2. Ijima, S.; Ichihashi, T. Nature 1993, 363, 603-605
3. Tans, S. J.; Verschueren, A. R. M.; Dekker, C. Nature 1998, 393, 49-52
4. Charlier, J. C.; Blase, X.; Roche, S. Rev. Mod. Phys. 2007, 79, 677-732
5. Lee, J. W.; Kim, H.; Kahng, S.-J.; Kim, G.; Son, Y. -W.; Ihm, J.; Kato, H.; Wang, Z. W.; Okazaki, T.; Shinohara, H. Nature 2002, 415, 1005-1008
6. Chen, R. J.; Zhang, Y. G.; Wang, D. W.; Dai, H. J. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 3838-3839
7. Strano, M. S.; Dyke, C. A.; Usrey, M. L.; Barone, P. W.; Allen, M. J.; Shan, H. W.; Kittrell, C.; Hauge, R. H.; Tour, J. M.; Smalley, R. E. Science 2003, 301, 1519-1522
8. Roche, S.; Saito, R. Phys. Rev. B 1999, 59, 5242-5246
9. Huang, B.; Son, Y. W.; Kim, G.; Duan, W. H.; Ihm, J. S. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 17919-17925
10. Son, Y. -W.; Ihm, J.; Cohen, M. L.; Louie, S. G. Phys. Rev. Lett. 2005, 95, 216602
11. Duclaux, L. Carbon 2002, 40, 1751-1764
12. Bettinger, H. F. Chem. Phys. Chem. 2003, 4, 1283-1289
13. Khabashesku, V. N.; Billups, W. E.; Margrave, J. L. Acc. Chem. Res. 2002, 35, 1087-1095
14. Touhara, H.; Okino, F. Carbon 2000, 38, 241-267
15. Pan, H.; Feng, Y. P.; Lin, J. Y. J. Phys.: Condens. Matter 2006, 18, 5175-5184
16. Zhi, C.; Bando, Y.; Tang, C; Xie, R.; Sekiguchi, T.; Golberg, D. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 15996-15997
17. Xiang, H. J.; Yang, J. L.; Hou, J. G.; Zhu, Q. S. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 243113
18. Zhou, Z.; Zhao, J. J.; Chen, Z. F.; Schleyer, P.; von, R. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 25678-25685
19. Zhang, J.; Loh, K. P.; Yang, S. W.; Wu, P. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 243105
20. Li, F.; Zhu, Z. H.; Yao, X. D.; Lu, G. Q.; Zhao, M. W.; Xia, Y. Y.; Chen, Y. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 102515
21. Pham, H. C.; Keller, N.; Ehret, G.; Ledouxi, M. J. J. Catal. 2001, 200, 400-410
22. Zhao, M. W.; Xia, Y. Y.; Li, F.; Zhang, R. Q.; Lee, S. -T. Phys. Rev. B 2005, 71, 085312
23. Gao, G. H.; Kang, H. S. J. Chem. Theory Comput. 2008, 4, 1690-1697
24. Gao, G. H.; Park, S. H.; Kang, H. S. Chem. Phys. 2009, 355, 50-54
25. Wang, X.; Liew, K. M. J. Chem. Phys. C 2011, 115, 10388-10393
26. Zhao, J. X.; Ding, Y. H. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 2558-2564
27. Li, F.; Xia, Y. Y.; Zhao, M. W.; Liu, X. D.; Huang, B. D.; Yang, Z. H.; Ji, Y. -J.; Song, C. J. Appl. Phys. 2005, 97, 104311
28. Förster, C.; Cimalla, V.; Kosiba, R.; Ecke, G.; Weih, P.; Ambacher, O.; Pezoldt, J. Silicon Carbide Relat. Mater. 2004, 457-460, 821-824
29. Sugiura, J.; Lu, W. -J.; Cadien, K. C.; Steckl, A. J. J. Vac. Sci. Technol. B 1986, 4, 349-354
30. Yih, P. H.; Saxena, V.; Steckl, A. Phys. Status Solidi B 1997, 202, 605-642
31. Miyata, M.; Hattori, S.; Hayafuji, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2009, 48, 041301
32. Zhao, J. X.; Ding, Y. H.; Cai, Q. H.; Wang, X. G.; Wang, X. Z. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 3825-3829
33. Delley, B. J. Chem. Phys. 1990, 92, 508-517
34. Delley, B. J. Chem. Phys. 1991, 94, 7245-7250
35. Delley, B. Int. J. Quantum Chem. 1998, 69, 423-433
36. Perdew, J. P.; Burke, K.; Ernzerhof, M. Phys. Rev. B 1996, 77, 3865-3868
37. Mavrandonakis, A.; Froudakis, G.; Andriotis, A. N. Nano Lett. 2003, 3, 1481-1484
38. Gali, A. Phys. Rev. B 2006, 73, 245415
39. Aulbur, W. G.; Jonsson, L.; Wilkins, J. W. Solid State Phys. 2000, 54, 1-218
40. Perry, J. K.; Tahir-Kheli, J.; Goddard, W. A. Phys. Rev. B 2001, 63, 144510
41. Adamo, C.; Barone, V. J. Chem. Phys. 1999, 110, 6158-6170
42. Heyd, J.; Peralta, J. E.; Scuseria, G. E.; Martin, R. L. J. Chem. Phys. 2005, 123, 174101
43. Hod, O.; Scuseria, G. E. ACS Nano 2008, 2, 2243-2249
44. Barone, V.; Heyd, J.; Scuseria, G. E. J. Chem. Phys. 2004, 120, 7169-7173
45. Kudin, K. N.; Bettinger, H. F.; Scuseria, G. E. Phy. Rev. B 2001, 63, 045413
46. Lai, L.; Song, W.; Lu, J.; Gao, Z. X.; Nagase, S.; Ni, M.; Mei, W. N.; Liu, J. J.; Yu, D. P.; Ye, H. Q. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 14092-14097
47. Marlid, B.; Larsson, K.; Carlsson, J.-O. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 7637
48. Lee, Y. S. J. Fluorine Chem. 2007, 128, 392-403
49. Mickelson, E. T.; Huffman, C. B.; Rinzler, A. G.; Smalley, R. E.; Hauge, R. H.; Margrave, J. L. Chem. Phys. Lett. 1998, 296, 188-194
50. Alemany, L. B.; Zhang, L.; Zeng, L. L.; Edwards, C. L.; Barron, A. R. Chem. Mater. 2007, 19, 735-744
51. Kelly, K. F.; Chiang, I. W.; Mickelson, E. T.; Kelly, K. F.; Hauge, R. H.; Margrave, J. L.; Wang, X.; Scuseria, G. E.; Radloff, C.; Halas, N. J. Chem. Phys. Lett. 1999, 313, 445-450
52. An, K. H.; Heo, J. G.; Jeon, K. G.; Bae, D. J; Jo, C.; Yang, C. W.; Park, C.-Y.; Lee, Y. H.; Lee, Y. S.; Chung, Y. S. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 4235-4237
53. Batisse, N.; Guérin, K.; Dubois, M.; Hamwi, A.; Spinelle, L.; Tomasella, E. Thin Solid Films 2010, 518, 6746-6751
54. Hirshfeld, F. L. Theor. Claim. Acta (Berlin) 1977, 44, 129-138