High-Performance Thin Film Transistor with Amorphous In 2O 3-SnO 2-ZnO channel layer

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 3 PART 2, 2012, Pages

  Tomai, Shigekazu ^a   Nishimura, Mami ^a   Itose, Masayuki ^a   Matuura, Masahide ^a   Kasami, Masashi ^a   Matsuzaki, Shigeo ^a   Kawashima, Hirokazu ^a   Utsuno, Futoshi ^a   Yano, Koki ^a  

^a IDEMITSU KOSAN CO LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHANNEL LAYERS; CHANNEL MATERIALS; FIELD-EFFECT MOBILITIES; HIGH MOBILITY; OXIDE SEMICONDUCTOR; SUBTHRESHOLD SWING; THIN FILM TRANSISTORS (TFT); ZNO;

ZINC OXIDE;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 84858976094     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.51.03CB01     Document Type: Article

References (18)

1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirao, and H. Hosono: Nature 432 (2004) 488.
2. M. Kobayashi, M. Takei, T. Isobe, T. Kurata, M. Arai, J. Kiyota, S. Ishibashi, T. Ohno, Y. Sato, S. Sato, J. Nitta, and K. Takahashi: ULVAC Tech. J. 73E (2010) 10.
3. J. K. Jeong, J. H. Jeong, J. H. Choi, J. S. Im, S. H. Kim, H. W. Yang, K. N. Kang, K. S. Kim, T. K. Ahn, H.-J. Chung, M. Kim, B. S. Gu, J.-S. Park, Y.-G. Mo, H. D. Kim, and H. K. Chung: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 39 (2008) 1.
4. H. D. Kim, J. K. Jeong, H.-J. Chung, and Y.-G. Mo: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 39 (2008) 291.
5. J. Y. Kwon, K. S. Son, J. S. Jung, T. S. Kim, M. K. Ryu, K. B. Park, J. W. Kim, Y. G. Lee, C. J. Kim, S. I. Kim, Y. S. Park, S. Y. Lee, and J. M. Kim: Proc. IDW, 2007, p. 1783.
6. J. H. Lee, D. H. Kim, D. J. Yang, S. Y. Hong, K. S. Yoon, P. S. Hong, C. O. Jeong, H. S. Park, S. Y. Kim, S. K. Lim, and S. S. Kim: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 39 (2008) 625.
7. K. S. Son, T. S. Kim, J. S. Jung, M. K. Ryu, K. B. Park, B. W. Yoo, J. W. Kim, Y. G. Lee, J. Y. Kwon, S. Y. Lee, and J. M. Kim: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 39 (2008) 633.
8. H. C. Ting, H. H. Lu, T. H. Shih, L. C. Lee, C. W. Chou, L. P. Shin, S. S. Wang, T. C. Wan, C. Y. Chen, and Y. H. Lin: Proc. IDW, 2010, p. 629.
9. A. Kaijo, K. Inoue, S. Matsuzaki, and Y. Shigesato: Proc. 4th Pacific Rim Int. Conf. Advanced Materials and Processing (PRICM-4), 2001, p. 1787.
10. T. Sasabayashi, N. Ito, E. Nishimura, M. Kon, P. K. Song, K. Utsumi, A. Kaijo, and Y. Shigesato: Thin Solid Films 445 (2003) 219.
11. N. Ito, Y. Sato, P. K. Song, A. Kaijo, K. Inoue, and Y. Shigesato: Thin Solid Films 496 (2006) 99.
12. K. Inoue: Japan Patent 2000-256059 (2000).
13. K. Yano, K. Inoue, N. Tanaka, A. Kaijo, and S. Umeno: Japan Patent 2007- 115431 (2007).
14. Y. Inoue, T. Shimomura, and S. Kajiwara: Japan Patent 2000-150457 (2000).
15. M. S. Grover, P. A. Hersh, H. Q. Chiang, E. S. Kettenring, J. F. Wager, and D. A. Keszler: J. Phys. D 40 (2007) 1335.
16. K. J. Saji, M. K. Jayarai, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono: J. Electrochem. Soc. 155 (2008) H390.
17. E. Fortunate, R. Barros, P. Barquinha, V. Figueiredo, S.-H. K. Park, C.-S. Hwang, and R. Martins: Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 052105.
18. E. Fukumoto, T. Arai, N. Morosawa, K. Tokunaga, Y. Terai, T. Fujimori, and T. Sasaoka: Proc. IDW, 2010, p. 631.