Large area fabrication of leaning silicon nanopillars for Surface Enhanced Raman Spectroscopy

Advanced Materials

Volumn 24, Issue 10, 2012, Pages

  Schmidt, Michael Stenbæk ^a   Hübner, Jörg ^a   Boisen, Anja ^a  

^a TECHNICAL UNIVERSITY OF DENMARK   (Denmark)

Author keywords

hot spots; leaning silicon nanopillars; maskless reactive ion etching; substrate fabrication; surface enhanced raman spectroscopy

Indexed keywords

FABRICATION; LIGHT TRANSMISSION; NANOSTRUCTURES; RAMAN SPECTROSCOPY; REACTIVE ION ETCHING; SILICON;

FABRICATION PROCESS; HOT SPOT; MASK LESS; NANOPILLARS; RAMAN ENHANCEMENT; SILICON NANOPILLARS; SILICON PROCESSING; SURFACE ENHANCED RAMAN SPECTROSCOPY;

SUBSTRATES;

EID: 84858053906     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201103496     Document Type: Article

References (39)

1. M. Fleischmann, P. J. Hendra, A. J. McQuillan, Chem. Phys. Lett. 1974, 26, 163.
2. S. S. R. Dasary, A. K. Singh, D. Senapati, H. Yu, P. C. Ray, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 13806.
3. J. F. Li, Y. F. Huan, Y. Ding, Z. L. Yang, S. B. Li, X. S. Zhou, F. R. Fan, W. Zhang, Z. Y. Zhou, D. Y. Wu, B. Ren, Z. L. Wang, Z. Q. Tian, Nature 2010, 464, 392.
4. M. Moskovits, J. Raman Spectrosc. 2005, 36, 485.
5. Y. He, S. Su, T. Xu, Y. Zhong, J. A. Zapien, J. Li, C. Fan, S.-T. Lee, Nano Today 2011, 6, 122.
6. S. Abalde-Cela, P. Aldeanueva-Potel, C. Mateo-Mateo, L. Rodríguez-Lorenzo, R. A. Alvarez-Puebla, L. M. Liz-Marzán, J. R. Soc. Interface 2010, 7, 435.
7. Y. Fang, N.-H. Seong, D. D. Dlott, Science 2008, 321, 388.
8. F. J. García-Vidal, J. B. Pendry, Phys. Rev. Lett. 1996, 77, 1163.
9. E. C. Le Ru, P. Etchegoin, Principles of Surface Enhanced Raman Spectroscopy and related Plasmonic Effects Elsevier publishing, page 22, 2008.
10. K. Kneipp, Y. Wang, H. Kneipp, L. T. Perelman, I. Itzkan, R. Dasari, M. S. Feld, Phys. Rev. Lett. 1997, 78, 1667.
11. S. Nie, S. R. Emory, Science 1997, 275, 1102.
12. D.-K. Lim, K.-S. Jeon, H. M. Kim, J.-M. Nam, Y. D. Suh, Nat. Mater. 2010, 9, 60.
13. F. Yan, M. B. Wabuyele, G. D. Griffin, A. A. Vass, T. Vo-Dinh, IEEE Sensors J. 2005, 5, 665.
14. A. K. Misra, S. K. Sharma, P. V. Zinin, L. Melnick, L. Kamemoto, Q. Iu, N. Hu, Appl. Spectrosc. 2009, 63, 373.
15. J. D. Driskell, S. Shanmukh, Y. Liu, S. B. Chaney, X.-J. Tang, Y.-P. Zhao, R. A. Dluhy, J. Phys. Chem. C 2008, 112, 895.
16. E. C. Le Ru, P. G. Etchegoin, J. Grand, N. Félidj, J. Aubard, G. Lévi, A. Hohenau, J. R. Krenn, Curr. Appl. Phys. 2008, 8, 467.
17. A. Sánchez-Iglesias, P. Aldeanueva-Potel, W. Ni, J. Pérez-Juste, I. Pastoriza-Santos, R. A. Alvarez-Puebla, B. N. Mbenkum, L. M. Liz-Marzán, Nano Today, 2010, 5, 21.
18. E. D. Diebold, N. H. Mack, S. K. Doorn, E. Mazur, Langmuir 2009, 25, 1790.
19. J. Dreier, R. L. Eriksen, O. Albrektsen, A. Pors, A. C. Simonsen, J. Phys. Chem. Lett. 2010, 1, 260.
20. Y. S. Hu, J. Jeon, T. J. Seok, S. Lee, J. H. Hafner, R. A. Drezek, H. Choo, ACS Nano 2010, 4, 5721.
21. M. S. Pio, S. Kwon, Y.-K. Choi, L. P. Lee, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2002, 729, U4.9.1.
22. W.-D. Li, F. Ding, J. Hu, S. Y. Chou, Optics Express 2011, 5, 3925.
23. S. Chattopadhyay, H.-C. Lo, C.-H. Hsu, L.-C. Chen, K.-H. Chen, Chem. Mater. 2005, 17, 553.
24. M. R. Gartia, Z. Xu, E. Behymer, H. Nguyen, J. A. Britten, C. Larson, R. Miles, M. Bora, A. S.-P. Chang, T. C. Bond, G. L. Liu, Nanotechnology 2010, 21, 395701.
25. Z. Huang, G. Meng, Q. Huang, Y. Yang, C. Zhu, C. Tang, Adv. Mater. 2010, 22, 4136.
26. M. Bora, B. J. Fasenfest, E. M. Behymer, A. S-P. Chang, H. T. Nguyen, J. A. Britten, C. C. Larson, J. W. Chan, R. R. Miles, T. C. Bond, Nano Lett. 2010, 10, 2832.
27. P. Dawson, J. A. Duenas, M. G. Boyle, M. D. Doherty, S. E. J. Bell, A. M. Kern, O. J. F. Martin, A.-S. Teh, K. B. K. Teo, W. I. Milne, Nano Lett. 2011, 11, 365.
28. S. Habouti, M. Mátéfi-Tempfli, C.-H. Solterbeck, M. Es-Souni, S. Mátéfi-Tempfli, M. Es-Souni, Nano Today 2011, 6, 12.
29. J. Chen, T. MÃ¥rtensson, K. A. Dick, K. Deppert, H. Q. Xu, L. Samuelson, H. Xu, Nanotechnology 2008, 19, 275712.
30. M. Hu, F. S. Ou, W. Wu, I. Naumov, X. Li, A. M. Bratkovsky, R. S. Williams, Z. Li, J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 12820.
31. A. Kim, F. S. Ou, D. A. A. Ohlberg, M. Hu, R. S. Williams, Z. Li, J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 8243.
32. F. S. Ou, M. Hu, I. Naumov, A. Kim, W. Wu, A. M. Bratkovsky, X. Li, R. S. Williams, Z. Li, Nano Lett. 2011, 11, 2538.
33. M. S. Schmidt, J. Hübner, A. Boisen, Proc. IEEE Sensors Conf. 2009, 1763, DOI: 10.1109/ICSENS.2009.5398468.
34. J. Tang, F. S. Ou, H. P. Kuo, M. Hu, W. F. Stickle, Z. Li, R. S. Williams, Appl. Phys. A 2009, 96, 793.
35. I. Talian, K. B. Mogensen, A. Oriňák, D. Kaniansky, J. Hübner, J. Raman Spectrosc. 2009, DOI 10.1002/jrs.2213.
36. M. Hu, J. Tang, F. S. Ou, H. P. Kuo, S.-Y. Wang, Z. Li, R. S. Williams, Proc. SPIE 2009, 7312, 73120I.
37. H. Jansen, M. de Boer, R. Legtenberg, M. Elwenspoek, J. Micromech. Microengin. 1995, 5, 115.
38. M. S. Schmidt, J. Hübner, A. Boisen, Proc. SPIE 2010, 7673, 767303.
39. M. S. Schmidt, N. Kostesha, F. Bosco, J. K. Olsen, C. Johnsen, K. A. Nielsen, J. O. Jeppesen, T. S. Alstrøm, J. Larsen, T. Thundat, M. H. Jakobsen, A. Boisen, Proc. SPIE 2011, 8031, 803123.