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Volumn , Issue , 2011, Pages

Comprehensive physical modeling of forming and switching operations in HfO 2 RRAM devices

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CONDUCTIVE FILAMENTS; DRIVING FORCES; PHYSICAL MECHANISM; PHYSICAL MODEL; PHYSICAL MODELING; SWITCHING OPERATIONS;

EID: 84856978876     PISSN: 01631918     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1109/IEDM.2011.6131574     Document Type: Conference Paper
Times cited : (48)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.