Single phase a-plane MgZnO epilayers for UV optoelectronics: Substitutional behaviour of Mg at large contents

CrystEngComm

Volumn 14, Issue 5, 2012, Pages 1637-1640

  Redondo Cubero, A ^a,b   Hierro, A ^b   Chauveau, J M ^c   Lorenz, K ^a   Tabares, G ^b   Franco, N ^a   Alves, E ^a   Munoz E ^b  

^a INSTITUTO TECNOLÓGICO E NUCLEAR   (Portugal)

^b UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID   (Spain)

^c CRHEA CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84856865346     PISSN: None     EISSN: 14668033     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c2ce06315h     Document Type: Article

References (26)

1. Ü. Özgür Y. I. Alivov C. Liu A. Teke M. A. Reshchikov S. Doan V. Avrutin S.-J. Cho H. Morko J. Appl. Phys. 2005 98 041301
2. H. Kato T. Yamamuro A. Ogawa C. Kyotani M. Sano Appl. Phys. Express 2011 4 091105
3. S. Akasaka K. Nakahara A. Tsukazaki A. Ohtomo M. Kawasaki Appl. Phys. Express 2010 3 071101
4. K. Nakahara S. Akasaka H. Yuji K. Tamura T. Fujii Y. Nishimoto D. Takamizu A. Sasaki T. Tanabe H. Takasu H. Amaike T. Onuma S. F. Chichibu A. Tsukazaki A. Ohtomo M. Kawasaki Appl. Phys. Lett. 2010 97 013501
5. S. Choopun R. D. Vispute W. Yang R. P. Sharma T. Venkatesan H. Shen Appl. Phys. Lett. 2002 80 1529
6. W. I. Park G. C. Yi H. M. Jang Appl. Phys. Lett. 2001 79 2022
7. H. Tanaka S. Fujita S. Fujita Appl. Phys. Lett. 2005 86 192911
8. J. Chen W. Z. Shen N. B. Chen D. J. Qiu H. Z. Wu J. Phys.: Condens. Matter 2003 15 L475
9. I. Takeuchi W. Yang K.-S. Chang M. A. Aronova T. Venkatesan R. D. Vispute L. A. Bendersky J. Appl. Phys. 2003 94 7336
10. Y. N. Hou Z. X. Mei Z. L. Liu T. C. Zhang X. L. Du Appl. Phys. Lett. 2011 98 103506
11. T. Takagi H. Tanaka S. Fujita Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 2003 42 L401
12. J.-M. Chauveau J. Vives J. Zuniga-Perez M. Laügt M. Teisseire C. Deparis C. Morhain B. Vinter Appl. Phys. Lett. 2008 93 231911
13. J.-F. Carlin M. Ilegems Appl. Phys. Lett. 2003 83 663
14. J.-M. Chauveau P. Vennéguès M. Laügt C. Deparis J. Zuniga-Perez C. Morhain J. Appl. Phys. 2008 104 073535
15. J.-M. Chauveau M. Laügt P. Vennéguès M. Teisseire B. Lo C. Deparis C. Morhain B. Vinter Semicond. Sci. Technol. 2008 23 035005
16. J. A. Leavitt L. C. McIntyre M. D. Ashbaugh J. G. Oder Z. Lin B. Dezfouly-Arjomandy Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 1990 44 260
17. A. Redondo-Cubero M. Vinnichenko M. Krause A. Mücklich E. Muñoz A. Kolitsch R. Gago J. Appl. Phys. 2011 110 113516
18. E. Kótai Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 1994 85 588
19. L. C. Feldman, J. W. Mayer and S. T. Picraux, Materials Analysis by Ion Channelling, Academic Press, New York, 1982
20. A. K. Sharma J. Narayan J. F. Muth C. W. Teng C. Jin A. Kvit R. M. Kolbas O. W. Holland Appl. Phys. Lett. 1999 75 3327
21. A. Redondo-Cubero R. Gago F. González-Posada U. Kreissig M.-A. di Forte Poisson A. F. Braña E. Muñoz Thin Solid Films 2008 516 8447
22. A. Redondo-Cubero K. Lorenz R. Gago N. Franco M.-A. di Forte Poisson E. Alves E. Muñoz J. Phys. D: Appl. Phys. 2010 43 055406
23. J. U. Andersen N. G. Chechenin Z. Z. Hua Appl. Phys. Lett. 1981 39 758
24. T. Haga H. Suzuki M. H. Rashid Y. Abe A. Tanaka Appl. Phys. Lett. 1988 52 200
25. P. J. M. Smulders D. O. Boerma Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 1987 29 471
26. G. Tabares A. Hierro J. M. Ulloa A. Guzman E. Muñoz A. Nakamura T. Hayashi J. Temmyo Appl. Phys. Lett. 2010 96 101112