Facile preparation of nitrogen-doped few-layer graphene via supercritical reaction

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 3, Issue 7, 2011, Pages 2259-2264

  Qian, Wen ^a   Cui, Xu ^a   Hao, Rui ^a   Hou, Yanglong ^a   Zhang, Zhiyong ^a  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

chemical doping; few layer; high quality; N doped graphene; n type FET; supercritical reaction

Indexed keywords

CHEMICAL DOPING; FEW-LAYER; HIGH QUALITY; N-DOPED GRAPHENE; N-TYPE FET; SUPERCRITICAL REACTIONS;

ACETONITRILE; ELECTRIC PROPERTIES; NANOELECTRONICS; NITROGEN; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTROSCOPY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

GRAPHENE;

EID: 80052307805     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am200479d     Document Type: Article

References (41)

1. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieva, I. V.; Firsov, A. A. Science 2004, 306, 666-669
2. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Katsnelson, M. I.; Grigorieva, I. V.; Dubonos, S. V.; Firsov, A. A. Nature 2005, 438, 197-200
3. Berger, C.; Song, Z. M.; Li, X. B.; Wu, X. S.; Brown, N.; Naud, C.; Mayou, D.; Li, T. B.; Hass, J.; Marchenkov, A. N.; Conrad, E. H.; First, P. N.; de Heer, W. A. Science 2006, 312, 1191-1196
4. Ang, P. K.; Chen, W.; Wee, A. T. S.; Loh, K. P. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 14392-14393
5. Stankovich, S.; Dikin, D. A.; Dommett, G. H. B.; Kohlhaas, K. M.; Zimney, E. J.; Stach, E. A.; Piner, R. D.; Nguyen, S. T.; Ruoff, R. S. Nature 2006, 442, 282-286
6. Wang, X.; Zhi, L. J.; Mullen, K. Nano Lett. 2008, 8, 323-327
7. Geim, A. K.; Novoselov, K. S. Nat. Mater. 2007, 6, 183-191
8. Du, X.; Skachko, I.; Barker, A.; Andrei, E. Y. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 491-495
9. Li, N.; Wang, Z. Y.; Zhao, K. K.; Shi, Z. J.; Gu, Z. N.; Xu, S. K. Carbon 2010, 48, 255-259
10. Lherbier, A.; Blase, X.; Niquet, Y. M.; Triozon, F.; Roche, S. Phys. Rev. Lett. 2008, 101, 036808
11. Wang, X. R.; Li, X. L.; Zhang, L.; Yoon, Y.; Weber, P. K.; Wang, H. L.; Guo, J.; Dai, H. J. Science 2009, 324, 768-771
12. Li, X. L.; Wang, H. L.; Robinson, J. T.; Sanchez, H.; Diankov, G.; Dai, H. J. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 15939-15944
13. Wei, D. C.; Liu, Y. Q.; Wang, Y.; Zhang, H. L.; Huang, L. P.; Yu, G. Nano Lett. 2009, 9, 1752-1758
14. Romero, H. E.; Shen, N.; Joshi, P.; Gutierrez, H. R.; Tadigadapa, S. A.; Sofo, J. O.; Eklund, P. C. ACS Nano 2008, 2, 2037-2044
15. Carvajal, J. J. MRS Bull. 2009, 34, 475-476
16. Xiao, K.; Liu, Y. Q.; Hu, P. A.; Yu, G.; Sun, Y. M.; Zhu, D. B. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 8614-8617
17. Qu, L. T.; Liu, Y.; Baek, J. B.; Dai, L. M. ACS Nano 2010, 4, 1321-1326
18. Czerw, R.; Terrones, M.; Charlier, J. C.; Blase, X.; Foley, B.; Kamalakaran, R.; Grobert, N.; Terrones, H.; Tekleab, D.; Ajayan, P. M.; Blau, W.; Ruhle, M.; Carroll, D. L. Nano Lett. 2001, 1, 457-460
19. Yang, Q. H.; Xu, W. H.; Tomita, A.; Kyotani, T. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 8956-8957
20. Sui, Y.; Appenzeller, J. Nano Lett. 2009, 9, 2973-2977
21. Long, D. H.; Li, W.; Ling, L. C.; Miyawaki, J.; Mochida, I.; Yoon, S. H. Langmuir 2010, 26, 16096-16102
22. Qian, W.; Hao, R.; Hou, Y. L.; Tian, Y.; Shen, C. M.; Gao, H. J.; Liang, X. L. Nano Res. 2009, 2, 706-712
23. Peng, Y. L.; Ma, C. Y. Application Handbook of Supercritical Fluid Technology; Chemical Industry Press: Beijing, China, 2005.
24. Serhatkulu, G. K.; Dilek, C.; Gulari, E. J. Supercrit. Fluids 2006, 39, 264-270
25. Gulari, E.; Serhatkulu, G. U.S. patent 7 157 517, Jan 2, 2007.
26. Ruthven, D. M. Encyclopedia of Separation Technology; John Wiley: New York, 1997.
27. Kiran, E.; Peters, C.J.; Debenedetti, P. G. Supercritical Fluids-Fundamentals for Applications; Klüwer Academic Publishers: Dordrecht, The Netherlands, 1994.
28. Pu, N. W.; Wang, C. A.; Sung, Y.; Liu, Y. M.; Ger, M. D. Mater. Lett. 2009, 63, 1987-1989
29. Bengelsdorf, I. S. J. Am. Chem. Soc. 1958, 80, 1442-1444
30. Bengelsdorf, I. S. J. Org. Chem. 1963, 28, 1369-1372
31. Forsberg, J. H.; Spaziano, V. T.; Balasubramanian, T. M.; Liu, G. K.; Kinsley, S. A.; Duckworth, C. A.; Poteruca, J. J.; Brown, P. S.; Miller, J. L. J. Org. Chem. 1987, 52, 1017-1021
32. Nevidomskyy, A. H.; Csanyi, G.; Payne, M. C. Phys. Rev. Lett. 2003, 91, 105502
33. Ronning, C.; Feldermann, H.; Merk, R.; Hofsass, H.; Reinke, P.; Thiele, J. U. Phys. Rev. B 1998, 58, 2207-2215
34. Yang, D.; Velamakanni, A.; Bozoklu, G.; Park, S.; Stoller, M.; Piner, R. D.; Stankovich, S.; Jung, I.; Field, D. A.; Ventrice, C. A.; Ruoff, R. S. Carbon 2009, 47, 145-152
35. Akhavan, O.; Ghaderi, E. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 20214-20220
36. Gammon, W. J.; Kraft, O.; Reilly, A. C.; Holloway, B. C. Carbon 2003, 41, 1917-1923
37. Nakayama, Y.; Soeda, F.; Ishitani, A. Carbon 1990, 28, 21-26
38. Dresselhaus, M. S.; Eklund, P. C. Adv. Phys. 2000, 49, 705-814
39. Ferrari, A. C.; Meyer, J. C.; Scardaci, V.; Casiraghi, C.; Lazzeri, M.; Mauri, F.; Piscanec, S.; Jiang, D.; Novoselov, K. S.; Roth, S.; Geim, A. K. Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 187401
40. Bai, J. W.; Zhong, X.; Jiang, S.; Huang, Y.; Duan, X. F. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 190-194
41. Akhavan, O. Acs Nano 2010, 4, 4174-4180