Contact resistance in top-gated graphene field-effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 99, Issue 3, 2011, Pages

  Huang, Bo Chao ^a   Zhang, Ming ^a   Wang, Yanjie ^a   Woo, Jason ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACT RESISTIVITIES; GAAS; PARASITIC RESISTANCES; RESISTANCE MODELS; STATE OF THE ART; TOTAL RESISTANCE;

CONTACT RESISTANCE; GRAPHENE; TRANSISTORS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 79960831055     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3614474     Document Type: Article

References (20)

1. K. I. Bolotin, K. J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim, and H. L. Stormer, Solid State Commun. 146, 351 (2008). 10.1016/j.ssc.2008.02.024
2. I. Meric, M. Y. Han, A. F. Young, B. Ozyilmaz, P. Kim, and K. L. Shepard, Nat. Nanotechnol. 3, 654 (2008). 10.1038/nnano.2008.268
3. J. S. Moon, D. Curtis, S. Bui, M. Hu, D. K. Gaskill, J. L. Tedesco, P. Asbeck, G. G. Jernigan, B. L. VanMil, R. L. Myers-Ward, C. R. Eddy, P. M. Campbell, and X. Weng, IEEE Electron Device Lett. 31, 260 (2010). 10.1109/LED.2010.2040132
4. X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, and R. S. Ruoff, Science 324, 1312 (2009). 10.1126/science.1171245
5. L. Liao, J. Bai, Y. Qu, Y.-C. Lin, Y. Li, Y. Huang, and X. Duan, Proc. Natl. Acad. Sci. 107, 6711 (2010). 10.1073/pnas.0914117107
6. L. Liao, Y.-C. Lin, M. Bao, R. Cheng, J. Bai, Y. Liu, Y. Qu, K. L. Wang, Y. Huang, and X. Duan, Nature 467 (7313), 305 (2010). 10.1038/nature09405
7. P. Blake, R. Yang, S. V. Morozov, F. Schedin, L. A. Ponomarenko, A. A. Zhukov, R. R. Nair, I. V Grigorieva, K. S. Novoselov, and A. K. Geim, Solid State Commun. 149 (27-28), 1068 (2009). 10.1016/j.ssc.2009.02.039
8. A. Venugopal, L. Colombo, and E. M. Vogel, Appl. Phys. Lett. 96 (1), 013512 (2010). 10.1063/1.3290248
9. S. Russo, M. F. Craciun, M. Yamamoto, A. F. Morpurgo, and S. Tarucha, Phys. E: Low Dimens. Syst. Nanostruct. 42 (4), 677 (2010). 10.1016/j.physe.2009. 11.080
10. K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi, Jpn J. Appl. Phys. 49 (5), 051304 (2010). 10.1143/JJAP.49.051304
11. K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi, Appl. Phys. Lett. 97 (14), 143514 (2010). 10.1063/1.3491804
12. H. Murrmann and D. Widmann, Electron Devices, IEEE Transactions on 16 (12), 1022 (1969).
13. H. H. Berger, Solid-State Electron. 15 (2), 145 (1972). 10.1016/0038-1101(72)90048-2
14. K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J. H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi, and B. H. Hong, Nature 457, 706 (2009). 10.1038/nature07719
15. Q. K. Yu, J. Lian, S. Siriponglert, H. Li, Y. P. Chen, and S. S. Pei, Appl. Phys. Lett. 93 (11), 113103 (2008). 10.1063/1.2982585
16. H. L. Cao, Q. K. Yu, R. Colby, D. Pandey, C. S. Park, J. Lian, D. Zemlyanov, I. Childres, V. Drachev, E. A. Stach, M. Hussain, H. Li, S. S. Pei, and Y. P. Chen, J. Appl. Phys. 107 (4), 044310 (2010). 10.1063/1.3309018
17. A. Reina, S. Thiele, X. T. Jia, S. Bhaviripudi, M. S. Dresselhaus, J. A. Schaefer, and J. Kong, Nano Res. 2 (6), 509 (2009). 10.1007/s12274-009-9059-y
18. A. N. Obraztsov, A. V. Tyurnina, E. A. Obraztsova, A. A. Zolotukhin, B. H. Liu, K. C. Chin, and A. T. S. Wee, Carbon 46, 963 (2008). 10.1016/j.carbon.2008.03.002
19. S. Kim, J. Nah, I. Jo, D. Shahrjerdi, L. Colombo, Z. Yao, E. Tutuc, and S. K. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 94, 062107 (2009). 10.1063/1.3077021
20. J. S. Moon, D. Curtis, M. Hu, D. Wong, P. M. Campbell, G. Jernigan, J. Tedesco, B. VanMil, R. Myers-Ward, C. Eddy, D. K. Gaskill, J. Robinson, M. Fanton, and P. Asbeck, presented at the Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF) IEEE, New Orleans, LA, 11-13 January 2010.